鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)因廉價的材料成本、易于制備大面積器件以及較高的光電轉換效率等優點而備受關注。SnO2具有高透過率、高電子遷移率、適宜的能級、良好的紫外輻照穩定性和易于低溫加工等特點,是目前n-i-p型PSCs電池常用的電子傳輸材料。然而,它的體相和表面的缺陷【氧空位(VO)、懸空羥基(-OH)和不飽和配位金屬原子】易引起載流子累積和非輻射復合損失。此外,鈣鈦礦中金屬、鹵素和有機離子的配位不足也會引起界面化學反應,使得器件的效率和穩定性惡化。因此,對PSCs埋底界面的優化是實現其高效率和穩定性的關鍵。然而,由于埋底界面的非暴露特性,對其進行研究和優化具有一定的挑戰性。
中國科學院上海高等研究院開發了簡單有效的策略,通過在SnO2納米顆粒中加入草酸甲脒(FOA)來同時抑制SnO2體相和表面缺陷以及鈣鈦礦埋底界面處FA+/Pb2+相關缺陷,實現了有效的靶向缺陷鈍化。相關研究成果以Target Therapy for Buried Interfacial Engineering Enables Stable Perovskite Solar Cells with 25.05% Efficiency為題,發表在《先進材料》(Advanced Materials)上。
研究發現,甲脒離子和草酸根離子在SnO2層中均呈縱向梯度分布,聚集在SnO2/鈣鈦礦埋底界面處,調節鈣鈦礦的晶體生長,降低體相及界面缺陷,改善鈣鈦礦和SnO2之間的能級匹配。結果表明,FOA處理后的PSCs能量轉換效率從22.40%提高到25.05%,同時PSCs的存儲穩定性和光穩定性也顯著提升。
該研究為靶向治療埋底界面缺陷,改善PSCs性能提供了有效途徑。研究工作得到國家自然科學基金委員會、廣東省基礎與應用基礎研究基金委員會、深圳市科技創新委員會及山西省科技廳的支持。該研究由上海高研院、南方科技大學、香港城市大學合作完成。
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