簡介
為了探測穿透能力較強的γ射線，要求探測器有更大的靈敏區。這種效果通常是使鋰漂移進入P型半導體材料,進行補償而獲得。由于鍺比硅對γ射線有更高的探測效率，故一般采用鍺（鋰）漂移探測器。這種探測器的靈敏體積可大于200厘米3。但是,由于其死層較厚，故在探測較低能量的X射線時,往往采用硅（鋰）漂移探測器。鋰漂移型探測器的另一個特點，是當它被用來探測X及γ射線時必須保持在低溫(77K)和真空中工作。
空間電荷分布、電場分布及電位分布
I區為完全補償區，呈電中性為均勻電場；
I區為耗盡層，電阻率可達1010Ωcm；
I區厚度可達10～20mm，為靈敏體積。