飛行時間二次離子質譜法

飛行時間二次離子質譜法
Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry :TOF-SIMS

原理

超真空環境下向樣品射入1次離子束，從樣品的淺表層（1~3nm）釋放出2次離子。將2次離子導入飛行時間（TOF型）質譜儀，就可以獲得樣品最表層的質譜。此時，再通過調低1次離子的照射量，檢測保留了表面成分化學結構的分子離子和部分碎片離子，就可以獲取最表層的元素構成和化學結構的信息。

飛行時間（TOF型）質譜儀

由于脈沖后1次離子的照射而產生的2次離子在一定能量下被加速，根據質量不同以不同速度（輕離子高速，重離子低速）進入質譜儀。達到檢測器的時間（飛行時間）與質量有著函數關系，通過精密測定此飛行時間的分布可以獲取質譜。