采用磁控濺射法制備高純鈦膜,通過光學顯微鏡(OM)、掃描電鏡(SEM)、俄歇電子能譜(AES)等測試分析方法,對微觀形貌、薄膜純度、結合強度、膜厚及均勻性等進行了分析表征,并利用高真空微壓吸氫試驗系統對鈦膜的吸氘特性、真空除氣與活化工藝等進行了研究。結果表明:磁控濺射法制備的鈦膜具有薄膜致密、純度高、均勻性好、附著力強等優點。鈦膜在高真空環境下逐步升溫至550℃徹底除氣,并經過適當吸-放氘活化處理后,具有很好的吸氘活性(D/Ti約為2.0)且薄 。
