簡介
隨著鍺半導體材料提純技術的進展，已可直接用超純鍺材料制備輻射探測器。它具有工藝簡單、制造周期短和可在室溫下保存等優點。用超純鍺材料還便于制成X、γ射線探測器,既可做成很大靈敏體積，又有很薄的死層,可同時用來探測X和γ射線。高純鍺探測器發展很快，有逐漸取代鍺。
工作原理
采用高純度的 P型Ge單晶，一端表面通過蒸發擴散或加速器離子注入施主雜質(如磷或鋰)形成 N區 和 N+，并形成P-N結。另一端蒸金屬形成 P+，并作為入射窗。兩端引出電極。
因為雜質濃度極低，相應的電阻率很高。空間電荷密度很小，P區的耗盡層厚度大。
高純鍺探測器的特點
1) P區存在空間電荷，HPGe半導體探測器是PN結型探測器 。
2) P區為非均勻電場。
3) P區為靈敏體積，其厚度與外加電壓有關，一般工作于全耗盡狀態。
4) HPGe半導體探測器可在常溫下保存，低溫下工作。