2011年11月22日,由天美公司和日立高新共同組辦的“2011年日立場發射掃描電鏡圖片大賽”評選結果在“日立場發射掃描電鏡最新技術研討會”上揭曉,最終,上海硅酸鹽研究所吳偉拍攝的“分子篩/內核為Fe3O4上SiO2納米材料負載Ce2O3”在眾多參賽作品中脫穎而出,摘得特等獎,喜獲ipad一部。
這幅作品所用樣品內核為Fe3O4的SiO2納米球(直徑100nm左右)負載了Ce2O3納米顆粒。 SiO2與Ce2O3導電性差,盡量分散粉體減少團聚、使用4號光鑭減少入射電流,同時LA5混合少量BSE信號等方法,有效減少荷電現象。作品充分體現了S-4800電鏡的低加速電壓優勢,樣品表面細節清楚,分辨率高,混入了背散射電子信號,突出了成分差異。
獲得本次大賽特等獎作品“分子篩/內核為Fe3O4上SiO2納米材料負載Ce2O3”(吳偉拍攝) 此次大賽是由天美公司和日立高新領導及工程師組成評委會,經過激烈討論,嚴格選拔,最終選出20余幅參賽作品作為入圍作品,并在2011年11月22日舉辦的“日立場發射掃描電鏡最新技術研討會”上由參會專家及用戶代表投票選出圖片所獲獎項,除一等獎外,另評出給力獎2名,分別是微電子所余嘉晗拍攝的金屬柵刻蝕以及高能所田甘/周亮君的藝術感強的圖片,優秀獎2名,分別是安徽大學林中清的大工作距離高分辨率的磁性樣品/Al2O3模板圖片和昆明植物所的任宗昕老師拍攝的南瓜花粉。貢獻獎15名,分別是:北京師范大學李永良、廣州能源所蘇麗芬、中國石油大學(華東)李彥鵬、四川大學史進春、蘇州納米所張琰/黃凱、河北師范大學李紀標、南京工業大學黃小健、廈門大學吳元菲、復旦大學曹惠、同濟大學胡惠康、北京理化測試中心鄧平曄、第四軍醫大學李艷玲、工信部第五研究所施明哲、蘇州大學王思兵、以及長春光機所趙海峰。詳細信息請參看“日立場發射掃描電鏡攝影大賽初選作品公示”。
給力獎作品“金屬刻柵”(余嘉晗拍攝)
給力獎作品“SnO2 /ZnO”(高亮君/田甘拍攝)
優秀獎作品“磁性樣品及難拍的Al2O3模板”(林中清拍攝)
優秀獎作品“南瓜花粉”(任宗昕拍攝) 本次大賽從9月底發出通知,到11月4日截稿,共有70余人參賽,共收到來自全國各地的樣品圖片100多幅,樣品種類各異,金屬材料,高分子材料,石墨烯,水泥,分子篩等等。再次感謝各位老師的踴躍參與和積極投稿,我們將響應各位老師的要求,以后多舉辦此類活動。
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