業界普遍認為，混合波束賦形（例如圖 1 所示）將是工作在微波和毫米波頻率的 5G 系統的首選架構。這種架構綜合運用數字(MIMO) 和模擬波束賦形來克服高路徑損耗并提高頻譜效率。如圖 1 所示，m 個數據流的組合分割到 n 條 RF 路徑上以形成自由空間中的波束，故天線元件總數為乘積 m × n。數字流可通過多種方式組合，既可利用高層 MIMO 將所有能量導向單個用戶，也可以利用多用戶 MIMO 支持多個用戶。
圖 1. 混合波束賦形框圖
本文將考察一個簡單的大規模天線陣列示例，借以探討毫米波無線電的最優技術選擇。現在深入查看毫米波系統無線電部分的框圖，我們看到一個經典超外差結構完成微波信號到數字信號的變換， 然后連接到多路射頻信號處理路徑，這里主要是運用微波移相器和衰減器來實現波束賦形。
傳統上，毫米波系統是利用分立器件構建，導致其尺寸較大且成本較高。這樣的系統里面的器件使用 CMOS、SiGe BiCMOS 和 GaAs 等技術，使每個器件都能得到較優的性能。例如，數據轉換器現在采用 CMOS 工藝開發，使采樣速率達到 GHz 范圍。上下變頻和波束賦形功能可以在 SiGe BiCMOS 中有效實現。根據系統指標要求，可能需要基于 GaAs 功率放大器和低噪聲放大器，但如果 SiGe BiCMOS 能夠滿足要求，利用它將能實現較高的集成度。
對于 5G 毫米波系統，業界希望將微波器件安裝在天線基板背面，這要求微波芯片的集成度必須大大提高。例如，中心頻率為 28 GHz 的天線的半波陣子間距約為 5 mm。頻率越高，此間距越小，芯片或封裝尺寸因而成為重要考慮因素。理想情況下，單波束的整個框圖都應當集成到單個 IC 中；實際情形中，至少應將上下變頻器和 RF 前端集成到單個 RFIC 中。集成度和工藝選擇在某種程度上是由應用決定的，在下面的示例分析中我們將體會到這一點。
示例分析：天線中心頻率為 28 GHz，EIRP 為 60 dBm
此分析考慮一個典型基站天線系統，EIRP 要求為 60 dBm。使用如下假設條件：
天線陣子增益 = 6 dBi（瞄準線）
波形 PAPR = 10 dB（采用 QAM 的 OFDM）
P1dB 時的功率放大器 PAE = 30%
發射 / 接收開關損耗 = 2 dB
發射 / 接收占空比 = 70%/30%
數據流 = 8
各電路模塊的功耗基于現有技術。
該模型以 8 個數據流為基礎來構建，連接到不同數量的 RF 鏈。模型中的天線數量以 8 的倍數擴大，最多 512 個元件。
圖 2 顯示了功率放大器線性度隨著天線增益提高而變化的情況。注意：由于開關損耗，放大器的輸出功率要比提供給天線的功率高 2 dB。當給天線增加元件時，方向性增益隨著 X 軸對數值提高而線性提高，因此，各放大器的功耗要求降低。
為了便于說明，我們在曲線上疊加了技術圖，指示哪種技術對不同范圍的天線元件數量最佳。注意：不同技術之間存在重疊，這是因為每種技術都有一個適用的值范圍。另外，根據工藝和電路設計實踐，具體技術可以實現的性能也有一個范圍。元件非常少時，各鏈需要高功率 PA（GaN 和 GaAs），但當元件數量超過 200 時，P1dB 降到 20 dBm 以下，處于硅工藝可以滿足的范圍。當元件數量超過 500 時，PA 性能處于當前 CMOS 技術就能實現的范圍。
圖 2. 天線增益與功率放大器輸出水平要求的關系
現在考慮元件增加時天線 Tx 系統的功耗，如圖 3 所示。同預期一樣，功耗與天線增益成反比關系，但有一個限值。超過數百元件時，PA 的功耗不再占主導地位，導致效益遞減。
圖 3. 天線增益與天線 Tx 部分直流功耗的關系
整個系統的功耗如圖 4 所示（包括發射機和接收機）。同預期一樣，接收機的功耗隨著 RF 鏈的增加而線性提高。若將不斷下降的 Tx 功耗曲線疊加在不斷上升的 Rx 功耗曲線上，我們會觀察到一個最低功耗區域。
本例中，最低值出現在大約 128 個元件時。回顧圖 2 給出的技術圖，要利用 128 個元件實現 60 dBm 的 EIRP，最佳 PA 技術是 GaAs。雖然使用 GaAs PA 可以實現最低的天線功耗和 60 dBm EIRP，但這可能無法滿足系統設計的全部要求。前面提到，很多情況下要求將 RFIC 放在天線元件的λ/2 間距以內。使用 GaAs 發射 / 接收模塊可提供所需的性能，但不滿足尺寸約束條件。為了利用 GaAs 發射 / 接收模塊，需要采用其他封裝和布線方案。
優先選擇可能是增加天線元件數量以使用集成到 RFIC 中的 SiGeBiCMOS 功率放大器。圖 4 顯示，若將元件數量加倍，達到約 256 時，SiGe 放大器便能滿足輸出功率要求。功耗的增幅很小，而且可以把 SiGe BiCMOS RFIC 放到天線元件 (28 GHz) 的λ/2 間距以內。將這一做法擴展到 CMOS，我們發現 CMOS 也能實現整體 60 dBmEIRP，但從技術圖看，元件數量還要加倍。因此，這種方案會導致尺寸和功耗增加，考慮到電流技術限制，CMOS 方法不是可行的選擇。
圖 4. 整個天線陣列的直流功耗與天線增益的關系
我們的分析表明：同時考慮功耗和集成尺寸的話，當前實現 60dBm EIRP 天線的最佳方案是將 SiGe BiCMOS 技術集成到 RFIC 中。然而，如果考慮將更低功耗的天線用于 CPE，那么 CMOS 當然是可行的方案。
這一分析是基于當前可用技術，但毫米波硅工藝和設計技術正在取得重大進步。我們預計未來的硅工藝會有更好的能效和更高的輸出功率能力，將能實現更小的尺寸并進一步優化天線尺寸。
隨著 5G 的到來日益臨近，設計人員將持續遇到挑戰。為毫米波無線電應用確定最佳技術方案時，考慮信號鏈的所有方面和不同 IC 工藝的各種優勢是有益的。隨著 5G 生態系統不斷發展，ADI 公司依托獨有的比特到毫米波能力，致力于為客戶提供廣泛的技術組合（包括各種電路設計工藝）和系統化方法。