Co催化基于6HSiC單晶的石墨烯制備

采用磁控濺射制備Co（200nm）/6H-SiC異質結,在500-1000℃下退火,通過X-射線衍射（XRD）、俄歇電子能譜散射（AES）、拉曼光譜散射（Raman）研究接觸界面的化學反應。研究表明高溫下反應易生成穩定的化合物Co₂Si,反應生成的C單質經擴散會富集于界面的最表面,并呈現晶態石墨和無定形結構。