實際上Burst的方式也有一些細節是值得注意的。
每隔100ms連出10個開關和每10ms出一個開關，看起來平均頻率是一樣的，但轉換效率會不會有差別呢？注意是會有一些區別的。請關注下面的測試Data！！
注意：FLY電源中，有RCD鉗位電路中的能量每次Burst都是充滿再放完的，這樣的話連續出的開關數多一點會比較好。
LLC的情況會不一樣，因為LLC的Burst基本前一兩個周期把能量已經都輸出來了，后面再開關基本上只剩勵磁電流了，換句話說后面出的開關都是在做無用功，除了產生開關損耗外沒別的了。這樣就是連出的開關數少一點會比較好！！
6．變壓器的損耗
由于待機時有效工作頻率很低，并且一般限流點很小，磁通變化小，磁芯損耗很小，對待機影響不大，但繞組損耗是不可忽略的。
變壓器繞組引起的損耗；
繞組的層與層之間的分布電容的充放電損耗（分布電容在開關MOS管關斷時充電，在開關MOS管開通時放電引起的損耗。）
當測試mos管電流波形時，剛開啟的時候有個電流尖峰主要由變壓器分布電容引起。改善方法：在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來減少層間分布電容。
7．開關管MOSFET上的損耗
mos損耗包括：導通損耗，開關損耗，驅動損耗。其中在待機狀態下最大的損耗就是開關損耗。
改善辦法：降低開關頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片（在空載或很輕負載的情況下芯片進入間歇式振蕩）
8．整流管上的吸收損耗
輸出整流管上的結電容與整流管的吸收電容在開關狀態下引起的尖峰電流反射到原邊回路上，引起的開關損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。
改善方法：在其他指標允許的前提下盡量降低吸收電容的容值，降低吸收電阻的阻值。
當然還有整流管上的開關損耗、導通損耗和反向恢復損耗，這應該在允許的情況下盡量選擇導通壓降低和反向恢復時間短的二極管。
9．輸出反饋電路的損耗
比如客戶有實際的具體需求：
A．Testevaluation
Test ambienttemperature：25℃
AC input （ACIN）： 230VAC
Loadrequirement： 12V／10mA （Electronic load）
Power supply work；TV motherboard no power supply
Standby power： ＜0．3W （＜ 0．28W best）
B．The wholeMachine system Test and evaluation
Test ambienttemperature：25℃
AC input （ACIN）： 220VAC （Applied voltage rating according to product）
The system is on STBthrough the main board： V－STB＝9V
Mainboard power 5V／ 3．3V
Test System powerconsumtion： ＜0．3W
注意：原邊反饋和副邊反饋的芯片在待機功耗上的表現也是有所區別的；
原邊反饋的好處是省了光耦和TL431，但可以說的優勢就是降低了空載損耗，因為光耦和TL431也都會讓系統有損耗！
上面是一個典型的副邊反饋的配置，空載狀態下典型的偏置電流都在500uA－1mA之間，那么假設副邊和輔助繞組的供電都是12V的話，這里就產生了10－20mW的損耗！記住還要考慮轉換效率！！如果降低到如上圖的9V輸出的話，就會再降低點功耗啦！！！目前是我們通用的設計方法！！！！
有人說減小偏置電流來降低這部分損耗，但是別忘了，滿載時的偏置電流空載時還要小很多。這樣做可能會影響整個的環路的穩定性能！需要慎重！！