4）替代RLC無源器件：
3.Lumped Port注意：
1）Lumped Port所在端面的長和寬需要遠小于信號波長，一般以1/10波長為界；
2）因為Lumped Port端口的兩側默認都是Perfect H邊界，因此兩個Lumped Port的邊緣不能相接；
3）Lumped Port的兩端必須和Perfect E邊界或金屬表面相接觸，否則信號無法注入；
4）Lumped Port只能用于傳輸TEM模式或準TEM模式；
5）因為真實的測試環境中回流通路是存在的，因此2個Lumped Port端口之間必須要形成回流通路，如下圖：
6）為了確保多端口S參數相位的一致性，Lumped Port積分線的定義方向必須一致；
以上是常用的一些Lumped Port的使用規則。下周我們將對Lumped Port和Wave Port做一個對比總結，有興趣的同學請繼續關注。
附上一期Wave Port當內部端口使用問題：
Wave Port當內部端口使用的唯一情況就是在同軸線激勵的對稱振子天線設計。因為Wave Port直接定義在同軸線的截面上時，由于場的雙向存在，HFSS軟件會報錯，導致仿真無法繼續。此時我們需要在Wave Port所在位置額外增加一個Perfect E物體，通常稱為“Coductive Cap”。利用此物體將端口面完全覆蓋，因為HFSS對Perfect E物體的內部是不求解場的，這樣可以保證場的單向存在。如下圖：
三、對比總結
上兩周我們已經介紹了一下Lumped Port和Wave Port的使用，本周我們針對前兩周的內容做個對比和小結。
1.Lumped Port是內部端口，Wave Port是外部端口：
Lumped Port相當于用測試系統如探針給傳輸線加激勵，Wave Port相當于用傳輸線給傳輸線加激勵；因此Lumped Port需要指定端口阻抗，Wave Port自動求解端口阻抗。此外，Wave Port加上“conductive cap”可以當內部端口用。
2.Lumped Port的激勵是電流和電壓，Wave Port的激勵是電磁波：
Lumped Port只能用于TEM模式或準TEM模式，不能進行Deembeding；Wave Port沒有這些限制。
3.Lumped Port和Wave Port的外表面的邊界定義有差別：
Lumped Port的兩側面區域為Profect H，其他面為Profect E；Wave Port的所有外表面均為Profect E。
4.Lumped Port和Wave Port的尺寸要求有差異：
（1）Wave port所在的截面一定要均勻。Wave Port的尺寸要求如下：
（2）Lumped Port的寬度要與傳輸線等寬，長度小于λ/100，Lumped Port的尺寸如下圖：
上圖中左邊的Lumped Port太細，本身會引入比較大的寄生RL效應，并且此時的電壓饋入點沒有覆蓋整個走線。
5.Lumped Port可以模擬RLC的寄生效應，Wave Port不行：
Lumped Port模擬RLC的寄生效應的情況如下圖：
6.Lumped Port必須定義積分線，Wave Port只有特定情況才需要：
Wave Port需要定義積分線的情況如下圖:
以上是Wave Port和Lumped port的一些主要區別，其他還有一些小的方面就不一一列舉了，大家感興趣的可以自己去查閱相關資料。