HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin－layer的縮寫，意為本征薄膜異質結，因HIT已被日本三洋公司申請為注冊商標，所以又被稱為HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。該類型太陽能電池最早由日本三洋公司于1990年成功開發，當時轉換效率可達到14．5％（4mm2的電池），后來在三洋公司的不斷改進下，三洋HIT電池的轉換效率于2015年已達到25．6％。2015年三洋的HITZL保護結束，技術壁壘消除，是我國大力發展和推廣HIT技術的大好時機。
下圖是HIT太陽能電池的基本構造，其特征是以光照射側的p－i型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）和背面側的i－n型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）夾住晶體硅片，在兩側的頂層形成透明的電極和集電極，構成具有對稱結構的HIT太陽能電池。
在電池正表面，由于能帶彎曲，阻擋了電子向正面的移動，空穴則由于本征層很薄而可以隧穿后通過高摻雜的p＋型非晶硅，構成空穴傳輸層。同樣，在背表面，由于能帶彎曲阻擋了空穴向背面的移動，而電子可以隧穿后通過高摻雜的n＋型非晶硅，構成電子傳輸層。通過在電池正反兩面沉積選擇性傳輸層，使得光生載流子只能在吸收材料中產生富集然后從電池的一個表面流出，從而實現兩者的分離。