分別對采用磁控濺射法和在線CVD法制備的Ag基低輻射薄膜和F摻雜SnO2（FTO）低輻射薄膜進行了熱處理和鋼化處理。運用X射線衍射（XRD）分析了兩種低輻射薄膜晶體結構的變化；采用場發射掃描電鏡（FESEM）和原子力顯微鏡（AFM）觀察了薄膜的表面形貌；采用X射線光電子能譜（XPS）和俄歇電子能譜（AES）分析了薄膜中各主要元素的分布和化學狀態的變化；分別采用紫外-可見分光光度計和綜合物理性能測試儀（PPMS）對樣品的光學和電學性能做了測量。對Ag基低輻射薄膜，實驗結果表明樣品的可見光透射比隨著熱處理溫度的升高都有不同程度的提高，但是當熱處理溫度為700℃時，樣品的可見光透射比明顯下降；隨著熱處理溫度的升高，樣品的方塊電阻呈現先下降后上升的變化趨勢，600℃時方塊電阻達到最小值5.1/□，高于600℃處理后薄膜的方塊電阻急劇增加到20.97/□，說明功能層Ag的低輻射性能發生失效；XRD結果表明熱處理溫度高于600℃時，Ag層的擇優取向由Ag（111）轉變為Ag（220），熱處理溫度高于400℃時XRD圖譜中出現了Ag的氧化物的衍射峰；XPS分析表明600℃熱處理后的樣品Ag3d峰發生化學位移，Ag3d5/2分峰擬合結果表明Ag被氧化為Ag2O和Ag3O4。對FTO低輻射薄膜，XRD結果表明薄膜的主要成分為金紅石結構的SnO2，鋼化過程中FTO薄膜呈現（110）晶面最優取向，鋼化處理后晶體結構趨于完善；隨著鋼化溫度的增加和鋼化時間的延長薄膜的方塊電阻逐漸增加，FTO低輻射薄膜的低輻射性能鋼化后明顯降低；AES分析表明FTO薄膜中的1＜O/Sn＜2，符合非化學計量比，XPS分析表明O元素以吸附O狀態、O充足狀態和O缺乏的狀態存在于薄膜中，鋼化后薄膜中O缺乏狀態O含量降低，O充足狀態O含量升高。