| 儀器名稱： | PICOSUN 原子層沉積系統 |
| 儀器編號： | 16041497 |
| 產地： | 中國 |
| 生產廠家： | PICOSUN |
| 型號： | R200 Advanced |
| 出廠日期： | 201709 |
| 購置日期： | 201612 |
| 所屬單位： | 集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝 |
| 放置地點： | 微電子所新所一樓109 |
| 固定電話： | |
| 固定手機： | |
| 固定email： | |
| 聯系人： | 曹秉軍（010-62784044,13910803625,caobj@mail.tsinghua.edu.cn） 竇維治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn） |
| 分類標簽： | 集成電路 半導體 微納加工， CVD 高K |
| 技術指標： | 4”硅片生長重復性及厚度不均勻性≤±2%； 氧化鋁的介電常數>8.0，擊穿電場>9MV/cm； 氧化鉿的介電常數>18.0，擊穿電場>3MV/cm。 最高溫度 500℃。 |
| 知名用戶： | 吳華強 微電子所；王謙 微電子所； |
| 技術團隊： | 曹秉軍 |
| 功能特色： | 可在4”硅片上沉積氧化物薄膜，目前可以通過水、臭氧以及Plasma等方式沉積氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鋯、鉿鋯氧薄膜。 |
樣品要求：
單片操作，硅片尺寸：4寸、6寸
預約說明：
根據實驗室要求預約設備使用。在預約設備生長時，應提前跟工藝工程師聯系，包括提供生長參數，提前送樣，并及時取樣。如果需要更換使用時間請按照要求提前通知，沒有提前通知的按照實驗室相關規定處理。
| 項目名稱 | 計價單位 | 費用類別 | 價格 | 備注 |
|---|---|---|---|---|
| 原子層沉積系統 ALD -機時費 | 元/小時 | 自主上機機時費 | 800.0 | |
| 原子層沉積系統 ALD -送樣測試費 | 元/小時 | 測試費 | 800.0 |