| 儀器名稱： | 真空互聯-原子層沉積系統 |
| 儀器編號： | 21029113 |
| 產地： | 芬蘭 |
| 生產廠家： | Picosun Oy |
| 型號： | R-200 Advanced |
| 出廠日期： | |
| 購置日期： | 2021-11-25 |
| 所屬單位： | 集成電路學院>微納加工平臺>真空互聯 |
| 放置地點： | 微電子學研究所南平房實驗室108號 |
| 固定電話： | 01062784044 |
| 固定手機： | 13051135063 |
| 固定email： | zygao@mail.tsinghua.edu.cn |
| 聯系人： | |
| 分類標簽： | 半導體 薄膜 微納 |
| 技術指標： | 樣品最大尺寸： 8英寸（兼容2英寸） ◇ 樣品不均勻性：優于1.0% ◇ 載物臺最高溫度： 500 °C ◇ 腔體最高溫度： 500 °C ◇ 前軀體最高加熱溫度： 200 °C ◇ 帶等離子增強功能，射頻電源300 W ◇ 氣路：O plasma， H2O，Al源，Ti源，Hf源，Zr源六路前軀體管路 |
| 知名用戶： | 科學學院宋成教授課題組 |
| 技術團隊： | 微電子所 |
| 功能特色： | 將物質以單原子膜形式一層一層的生長在沉底上 |
樣品要求：
8英寸（兼容2英寸）
預約說明：
由于該套系統的特殊性，將采用不同以往的開放形式：使用設備團隊負責人提出項目申請、項目評審委員會提出預審意見并由中心主任審批、設備工程師負責具體機時安排和使用培訓。
| 項目名稱 | 計價單位 | 費用類別 | 價格 | 備注 |
|---|---|---|---|---|
| 材料生長 | 元/小時 | 自主上機機時費 | 750.0 | 使用Pt貴重前驅體需430元/10nm |
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