吳施偉小組以折紙方式操控雙層二硫化鉬電子態
復旦大學物理系吳施偉課題組與龔新高的計算組合作，巧妙地通過“折紙”方式，研究了與天然結構截然不同的二硫化鉬雙層材料，并通過這些樣品實現了對二硫化鉬能帶結構、能谷、自旋電子態的操控。相關研究成果8月31日在線發表于《自然—納米技術》。 過渡金屬二硫屬化物是近年來在國際上最受關注的二維量子功能材料之一，深入理解其內在機制，從而進一步實現對它們的操控，對凝聚態物理學與未來新型的電子學、光電子學領域都有重要的價值。 據吳施偉介紹，這一工作的構想是基于二維量子功能材料的“超薄”性，即將單原子層材料像一張紙一樣直接折疊，發展出自然結晶或外延生長所無法獲得的雙層結構。取決于不同的折疊方向與折線位置，二硫化鉬“折紙”擁有豐富多樣的層間排列方式，繼而導致不同的宏觀結構對稱性與層間耦合。科研團隊運用非線性二次諧波成像、熒光光譜等多種實驗技術，結合第一性原理計算，研究了各類二硫化鉬“折紙”的空間與電子結構。 研究表明，具有中心反演對稱的天然......閱讀全文
半導體所等證實單層二硫化鉬谷圓偏振光吸收性質
《自然—通訊》（Nature Communications）最近發表了北京大學國際量子材料科學中心(馮濟研究員和王恩哥教授為通訊作者)與中國科學院物理研究所和半導體研究所合作的文章Valley-selective circular dichroism of monolayer m
全球最小晶體管拋棄硅材料
北京時間10月7日晚間消息，美國勞倫斯伯克力國家實驗室(以下簡稱“伯克力實驗室”)教授阿里-加維(Ali Javey)領導的一個研究小組日前利用碳納米管和一種稱為二硫化鉬的化合物開發出了全球最小的晶體管。 晶體管由三個終端組成：源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。電流從
美國科學家發現光激發下單層二硫化鉬導電能力下降
美國麻省理工學院和哈佛大學的研究人員發現，單層二硫化鉬半導體在光激發下導電能力下降。利用這一新的光電導機制有望研制下一代激子設備。該發現發表在近日的《物理評論快報》上。 眾所周知，電腦芯片及太陽能電池中使用的硅半導體在光的照射下，其導電能力增強。麻省理工學院和哈佛大學的研究人員發現，在強烈的激
半導體技術新突破：輕薄體軟易傳導
將二硫化鉬作為 2D 半導體材料有一項非常優異的性能，那就是它們很容易彎曲。電子在這樣的半導體中可以快速移動。同時，因為只有大約一個原子的厚度，這類半導體是透明的。這些特點讓它們成為制作柔性 OLED 顯示屏的理想材料。然而，當生產商試圖將二硫化鉬加工到控制 OLED 像素的晶體
物理所發展新技術誘導單層二硫化鉬相變
單層二硫化鉬是一種典型的二維過渡金屬硫屬化物，由于其特殊的能帶結構、半導體性質等，在納米電子器件和光電子學等諸多領域具有廣闊的應用前景。單層二硫化鉬由三個原子層（硫-鉬-硫）堆疊而成，不同的堆疊次序使其構成兩種不同的相，即2H和1T相。2H相層與層之間按照ABA堆垛，金屬原子為三棱柱配位，具有2
電子級二維半導體與柔性電子器件研究新進展
在半導體器件不斷小型化和柔性化的趨勢下，以二硫化鉬（MoS2）等過渡金屬硫屬化合物（TMDC）為代表的二維半導體材料顯示出獨特優勢，具有超薄厚度（單原子層或少原子層）和優異的電學、光學、機械性能及多自由度可調控性，使其在未來更輕、更薄、更快、更靈敏的電子學器件中具有優勢。然而，現階段以器件應用為
超越石墨烯：二硫化鉬和黑鱗成材料學家新寵
單層石墨烯（上）激發了科學家探索半導體單晶材料——如二維黑磷單晶（中）和二硫化鉬（下）——的熱情。 通常情況下，膠帶不會被看作是一種具有科學突破性的進展。但是當英國曼徹斯特大學物理學家安德烈·蓋姆（Andre Geim）和康斯坦丁·諾沃肖羅夫（Konstantin Novoselov）（兩人在
鋰電池材料二硫化鉬的基本信息介紹
管制信息：本品不受管制 中文名稱：二硫化鉬 英文別名：Molybdenum(IV)sulfide，Molybdenumdisulfide，Molybdicsulfide CAS號：1317-33-5 EINECS號：215-263-9 化學式：MoS2 相對分子質量：160.07
光驅動的二硫化鉬膠體馬達實現了“人形奔跑”
自然界中，生物集群可以精準而快速地調整其形態以適應復雜多變的環境。例如，海洋中魚群可以隨時變換其形態以有效躲避鯊魚的攻擊。那么人工合成的膠體馬達是否也能夠響應環境的變化而精準調整其集群的形態呢？近日，哈爾濱工業大學賀強教授研究團隊設計并制備了紫外光驅動的二硫化鉬膠體馬達，實現了光驅動納米尺度膠體
3個原子厚電子芯片原型出爐
研究人員將斯坦福大學校標的納米圖片刻進超薄芯片中，同樣技術未來可創建電子電路 據趣味科學網站近日報道，美國斯坦福大學研究人員用二硫化鉬研制出只有3個原子厚的芯片原型，并首次證明僅原子厚的超薄材料和電路可實現規模化生產。這些透明可彎曲材料未來可將窗戶或車頂變成顯示屏。 由于目前的硅基芯片已很難
科學家突破單層二硫化鉬8英寸晶圓外延技術
近日，我國科學家在科技部重點研發計劃、國家自然科學基金委等項目的支持下，突破單層二硫化鉬8英寸晶圓外延技術。相關成果發表于《先進材料》（Advanced Materials）。由松山湖材料實驗室、中國科學院物理研究所、北京大學、華南師范大學組成的聯合研究團隊在松山湖材料實驗室研究員張廣宇的指導下，基
我國利用壓電材料實現對MoS2場效應晶體管動、靜態調控
自2004年Geim等人第一次在實驗室得到單層石墨烯以來，二維材料的出現為傳感器領域的進一步發展提供了可能，相對于傳統的三維材料，二維材料的層狀結構決定了其器件厚度可以達到單原子層，為實現更輕、更薄、體積更小的電子器件提供了可能。相較于其他二維材料，以單層二硫化鉬 (MoS2) 為代表的二維半導
物理所超靈敏二硫化鉬濕度傳感器研究獲進展
二維材料由于其超高的表體比、優異的電學性能、柔性透明等特性在濕度傳感器領域顯示了巨大的應用前景。這其中以二硫化鉬為代表的過渡金屬硫屬化物由于其優異的電流開關比、遷移率等特性為其在電子學器件中的應用提供了可能。由于二硫化鉬本身是一種n型半導體，因此當其表面吸附水分子時，相當于對其進行了p型摻雜，其
科學家在單原子層材料中首次觀測到壓電電子學效應
美國佐治亞理工學院和中國科學院北京納米能源與系統研究所王中林院士領導的研究小組最近與美國哥倫比亞大學的James Hone研究組合作，首次在二維單原子層材料二硫化鉬中實驗觀測到壓電效應(piezoelectric effect)和壓電電子學效應(piezotronic effect)，并首次成功
研究發展出單層二硫化鉬低功耗柔性集成電路
柔性電子是新興技術，在信息、能源、生物醫療等領域具有廣闊的應用前景。其中，柔性集成電路可用于便攜式、可穿戴、可植入式的電子產品中，對器件的低功耗提出了極高的技術需求。相對于傳統半導體材料，單層二硫化鉬二維半導體具有原子級厚度、合適的帶隙且兼具剛性（面內）和柔性（面外），是備受矚目的柔性集成電路溝
物理所實現多層MoS2外延晶圓推動二維半導體的器件應用
以二硫化鉬為代表的二維半導體材料，因其極限的物理厚度、極佳的柔性/透明性，是解決當前晶體管微縮瓶頸及構筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半導體芯片的一類新材料。近年來，國際上已在單層二硫化鉬的晶圓制備及大面積器件構筑方面不斷突破，在晶圓質量和器件性能方面逐漸逼近極限。例如，中國科學院物理研究所
物理所研究團隊發展出新的二維材料圖案化的方法
二維材料具有原子級厚度和較高的比表面積，所有原子處于表面，導致其表面對表面吸附和外界環境較為敏感。二維半導體材料在電子學與光電子學器件領域具有廣闊的應用前景，有望成為下一代小型化電子器件的核心材料。為實現此類應用，需要對材料進行剪裁。通過常規的微納加工技術，包括光刻和反應離子干法刻蝕或化學溶液濕
柵極長度僅一納米的晶體管問世
在7日出版的《科學》雜志上，一美國研究小組發表論文稱，他們利用碳納米管和二硫化鉬（MoS2），成功制出目前世界最小晶體管，其柵極長度僅有1納米，這一僅是人類發絲直徑五萬分之一的尺度，遠低于硅基晶體管柵極長度最小5納米的理論極值。 制出更小的晶體管，是半導體行業一直努力的方向，柵極長度則被認為
下一代納米結構或讓制造超低功率電子元件成為可能
來自東京都立大學的科學家們成功地設計了過渡金屬二硫化物的多層納米結構，它們在平面內相遇形成結點。他們從摻雜鈮的二硫化鉬碎片的邊緣長出了二硫化鉬的多層結構，形成了一個厚實的、粘合的、平面的異質結構。他們證明了這些可用于制造新的隧道場效應晶體管（TFET），即具有超低功率消耗的集成電路中的元件。化學氣相
關于鋰電材料二硫化鉬的潤滑劑的作用介紹
由于硫化物原子片之間的弱范德華相互作用，MoS2具有低的摩擦系數。MoS2粒度在1-100μm范圍內是一種常見的干潤滑劑。很少有替代品能在高達350℃時的氧化環境中提供高潤滑性和穩定性。對二硫化鉬的滑動摩擦試驗使用圓盤測試儀上的引腳在低載荷(0.1-2N)下進行，摩擦系數小于0.1。 MoS2
鋰電池材料二硫化鉬的晶相的相關介紹
所有形式的MoS2具有層狀結構，其中鉬原子平面被硫離子平面夾在中間。這三層形成一個單層二硫化鉬。塊狀二硫化鉬由堆疊的單層組成，它們通過弱范德華相互作用連接在一起。 二硫化鉬結晶在自然界中以兩相形態存在，2H-MoS2和3R-MoS2其中“H”和“R”分別表示六方和菱形對稱。在這兩種結構中，每個
美國科學家研制出全球最纖薄發電機兼力學感知設備
美國科學家在近日出版的《自然》雜志在線版報告稱，他們首次在一塊單個原子厚度的二硫化鉬（MoS2）內觀察到了壓電效應，證實了此前的理論預測，并研制出全球最纖薄的發電機兼力學感知設備，其不僅非常透明輕質且可彎曲可拉伸。 壓電效應指的是拉伸或按壓一種材料會導致其產生電壓，或者反過來，施加電壓會導致物
具有千個晶體管的二維半導體問世！重新定義數據處理的能源效率
據最新一期《自然·電子學》報道，瑞士洛桑聯邦理工學院研究人員提出了一種基于二硫化鉬的內存處理器，專用于數據處理中的基本運算之一：向量矩陣乘法。這種操作在數字信號處理和人工智能模型的實現中無處不在，其效率的提高可為整個信息通信行業節約大量的能源。 新處理器將1024個元件組合到一個一平方厘米的芯
科技突破！具有千個晶體管的二維半導體問世
據最新一期《自然-電子學》報道，瑞士洛桑聯邦理工學院研究人員提出了一種基于二硫化鉬的內存處理器，專用于數據處理中的基本運算之一：向量矩陣乘法。這種操作在數字信號處理和人工智能模型的實現中無處不在，其效率的提高可為整個信息通信行業節約大量的能源。 新處理器將1024個元件組合到一個一平方厘米的芯
用二硫化鉬鐵電場效應實現高響應度光電探測
近日，西安交通大學電信學部電子學院教授任巍、牛剛團隊利用基于二硫化鉬溝道和外延鐵電HZO薄膜柵介質的光電晶體管實現了高響應度光電探測，相關研究成果發表在Advanced Functional Materials上。該研究利用優化的具有背柵結構和肖特基對650nm波長光電響應進行了實驗驗證并實現良好的
研究人員開發新技術－可將不同材料集成于單一芯片層
以前，只有晶格非常匹配的材料能被整合在一個芯片層上。據美國麻省理工學院（MIT）網站27日報道，該校研究人員開發了一種全新的芯片制造技術，可將兩種晶格大小非常不一致的材料——二硫化鉬和石墨烯集成在一層上，制造出通用計算機所需的電路元件芯片。最新研究或有助于功能更強大計算機的研制。 在實驗中，研
美康乃爾大學發現新材質、電子產品過熱問題有解？
半導體內的電晶體微縮化，科學界一直在尋找能取代矽的材質，如今除了石墨烯之外，韓國科學與資訊科技未來規畫部（Ministry of Science ICT and Future Planning，MSIP）宣布，該部資助的美國康乃爾大學研發團隊，找到新材質，有望制造出不會散發熱能的設備，讓半導體更
3D打印電子皮膚具有彎曲和感知能力
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/516900.shtm 圖片來源：物理學家組織網美國和印度科學家攜手，利用具有可調諧電子和熱生物傳感能力的納米工程水凝膠，借助3D打印技術，開發出一種新型電子皮膚。新皮膚可像人類皮膚一樣彎曲、拉伸，
物理所等轉角二硫化鉬石墨烯異質結的垂直電導研究進展
近年來，二維材料以其優異的電學、光學以及力學性質被廣泛關注和研究。得益于二維材料層狀結構及弱層間范德華相互作用，不同的二維材料可以像樂高積木一樣相互組合形成各種二維材料異質結。正如樂高積木有無窮種搭建方式，二維材料也可以組合出具有不同性能的二維材料異質結，這為器件應用和諸多基礎物理現象研究提供了一個
蘭州化物所二硫化鉬/類金剛石碳復合薄膜研究取得進展
隨著航空航天、先進核能等領域的迅速發展，其機械運動部件服役工況也愈加多變、復雜、苛刻，對表面潤滑與防護薄膜材料抗輻照、多特性等方面提出愈來愈高的要求，致使傳統過渡金屬二硫化物薄膜（TMD）及類金剛石碳膜（DLC）等單一組分的潤滑薄膜材料面臨嚴峻挑戰。 中國科學院蘭州化學物理研究所固體潤滑國家重