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  • 發布時間:2022-07-19 17:35 原文鏈接: 上海理工大學公布78月采購意向,這些儀器在列

    近日,上海理工大學公布了2022年7月至8月采購意向,項目預算1790萬元,詳情如下:







    序號采購項目名稱采購需求概況預算金額(元)預計采購時間(填寫到月)備注
    1熱等靜壓爐熱等靜壓爐1臺,用于金屬材料類、碳纖維材料成型技術研究,要求最高工作壓力:200MPa;最高工作溫度:1400℃;有效熱區直徑:Φ500mm;有效熱區高度:1000mm。179000002022年09月
    2500M核磁共振波譜儀固體探頭及附件500M核磁共振波譜儀固體探頭及附件1套,用于固體材料化合物化學結構、空間結構及構型分析研究,要求靈敏度:13C ≥ 240,15N ≥ 40;最大轉速24kHz。11000002022年09月
    3飛秒瞬態吸收儀飛秒瞬態吸收儀1臺,用于光催化材料電子等微觀粒子的超快運動時間尺度,更加深入的闡明機理,要求指標:光機電一體程控自動化,靈敏度>1 mOD/nJ泵浦。ns 探測的時間抖動<1 ns。320 – 1600 nm 的光譜覆蓋范圍。52000002022年09月
    4等離子刻蝕機離子刻蝕機1臺,用于光電子器件和納米功能器件研究,要求指標:可加工wafer尺寸>4英寸;刻蝕速率>0.2um/min;刻蝕輪廓角度>85°;刻蝕均勻性片內5點<±5%,片間<±5%。26500002022年09月
    5X射線能譜儀X射線能譜儀1臺,用于固體材料表面元素和價態的定性定量分析研究,要求單色化X射線源,極限能量分辨率:0.43 eV;快速平行成像,對Ag3d5/2,線掃描的最佳空間分辨率優于1μm;離子槍刻蝕套件等。35000002022年09月
    6多靶磁控濺射系統多靶磁控濺射機1臺,用于半導體器件和光電子器件研究,要求指標:工件盤尺寸≥8英寸;極限真空低于1E-7 Torr;鍍膜均勻性:片內<±3%,批次間<2%。23000002022年09月
    7一體化熒光顯微成像儀一體化熒光顯微成像儀1臺,用于細胞活性研究,旨在探明光催化對癌細胞的控制作用,要求指標:采用先進的高分辨率全景掃描分析系統,全景無縫掃描像素≥40000*40000,具備z軸高解析度0.1um層掃和3D功能及自動防萃滅功能。12000002022年09月
    8高效離子色譜三重四極桿質譜聯用儀高效離子色譜三重四極桿質譜聯用儀1臺,用于化合物定性定量分析研究,要求采用二元高壓液相色譜儀,最大耐壓1000bar;質量數范圍:5-2000,高端質量數不高于2000amu;SRM掃描速度:最大可達600 SRMs/秒。40000002022年09月
    9激光納米加工光源激光納米加工光源1臺,用于微納芯片加工和光學功能器件研制,要求指標:可調諧納秒脈沖激光器輸出波長覆蓋400-2500nm;峰值能量達70 mJ@450 nm,在近(中)紅外 2000 nm左右有輸出不低于10 mJ。10500002022年09月
    10ESR光催化過程檢測儀ESR光催化過程檢測儀1臺,用于實時定量分析光催化過程的產物和動力學,要求指標:檢測靈敏度需優于5×109 spins/G,信噪比優于700:1,濃度靈敏度30 pM,磁場穩定性(長時間穩定性)需優于20 mG/h,磁場穩定性(短時間穩定性)需優于5 mG/min。11000002022年09月
    11原位分析高分辨場發射掃描電鏡原位分析高分辨場發射掃描電鏡1臺,用于材料的微觀形貌、結構表征研究,要求采用高分辨肖特基場發射電子槍,加速電壓:200V-30kV,束流大小:1 pA-50 nA連續可調。43000002022年09月


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