中科院突破高效LED芯片及材料關鍵技術

　　在“十一五”國家863計劃新材料領域項目的支持下，由中國科學院半導體研究所承擔的“高效氮化物LED材料及芯片關鍵技術”創新團隊項目課題，通過技術輻射和轉移、人才培養以及國際交流合作等方式，實現了先進技術的引進、消化、吸收、再創新，從而提高了中國半導體照明產業的國際競爭能力，推動了中國半導體照明工程的實施。該課題近日順利通過驗收。

　　“高效氮化物LED材料及芯片關鍵技術”創新團隊，在人才培養和團隊建設等方面做出了積極的探索，通過加強科技創新團隊管理，引進了數名國家“千人計劃”、中國科學院“百人計劃”及“國家杰出青年”獲得者，培養了數十名年輕人才，形成了百余人的學科交叉、具有前沿探索能力和工程化、產業化背景的高水平半導體照明人才隊伍。

　　針對中國節能減排的重大需求，“高效氮化物LED材料及芯片關鍵技術”創新團隊建成了從半導體照明重大裝備、材料外延、芯片開發到高效大功率封裝及測試分析的完整柔性半導體照明工藝平臺，具有靈活的研發能力與工程化示范能力。

　　該創新團隊還形成了一系列具有自主知識產權的重要研究成果，并制定了相關技術標準。在中國率先突破以氮化物為主的半導體外延材料生長及摻雜、芯片結構設計及機理驗證、測試及封裝等關鍵技術，實現了150lm/w以上的LED高效發光;成功制備了中國首個300nm以下室溫熒光發光的深紫外UVLED 器件，并實現了器件功率的毫瓦級輸出;研制開發了中國首臺48片MOCVD樣機，經第三方檢測，設備外延的氮化鎵材料，各項性能指標達到了同類國際 MOCVD設備的水平。