郝躍代表：手握全球95％鎵資源，中國芯片要打“優勢牌”

　　今年全國兩會，全國人大代表、中國科學院院士郝躍就集成電路產業發展帶來相關建議。郝躍在接受《中國科學報》采訪時表示，既要聚焦核心關鍵的“卡脖子”難題，破解半導體芯片發展中的底層技術瓶頸；更要重視那些我國已處于國際并跑甚至局部領跑位置的領域，通過強化優勢，搶占全球產業的前排位置。

　　“‘十五五’將是我國集成電路產業從跟隨轉向引領的關鍵轉折期，也是在一些新興賽道上確立國際領先地位的重要窗口。”郝躍說。

　　在他看來，第三代半導體（氮化鎵、碳化硅等）、第四代半導體（如氧化鎵、金剛石、氮化鋁等超寬禁帶半導體）、光子芯片、低維半導體信息材料與器件等領域，目前我國已具備較好的國際競爭力，只要持續發力，極有可能在細分賽道上實現全球領跑。

　　郝躍（左四）及團隊在實驗室。受訪者供圖

　　如何把優勢真正落地？郝躍認為，必須結合本土資源與產業基礎，圍繞后摩爾時代的產業趨勢，發揮好我國的獨特稟賦。

　　“我國掌握著全球95%以上的鎵資源，且對鎵、鍺等半導體關鍵材料已實施出口管制，這是其他國家不具備的產業籌碼。”他建議，依托這一稀有資源稟賦，推動化合物半導體、光電顯示、新型傳感器等產業形成規模化、高競爭力的全球布局。

　　在新興存儲器領域，郝躍也持相對樂觀的判斷。他表示，我國在Flash閃存、鐵電存儲器、磁電存儲器（MRAM）、相變存儲器（PCM）等方面已有不錯的技術積累，在全球已有重要影響，只要持續推進技術迭代和產業化落地，就能牢牢把握主動權。

　　不過，郝躍也直言當前產業支持機制中還存在一定的短板。他指出，例如集成電路產業投資基金（大基金）的投資風格偏謹慎，資金更多流向較成熟期或臨近上市的企業，屬于“錦上添花”，而新興領域支持不足。比如對第四代半導體、低維材料和新型存儲器等領域可加大支持力度。他建議，針對那些我國已有技術優勢的方向，加大投入、加速轉化，“既要‘錦上添花’，更需要‘雪中送炭’”。

　　產業發展離不開人才支撐，尤其面向“十五五”及未來，培養符合產業需求的創新型人才是當務之急。郝躍表示，在國家相關部門對電子信息領域緊缺人才培養相關政策措施支持下，例如設立專門的人才培養指標，開辟更多培養渠道，優化集成電路、微電子等專業的培養機制等，集成電路的人才需求已經有了明顯的改善。“進一步，大學應從科教融合、產教融合、國際合作等方面入手，注重培養學生的責任感、創新思維、批判性思維和團隊協作能力，鼓勵他們聚焦產業真問題開展研究，把實操能力和創新能力結合起來，最終培養出真正符合產業需求的復合型人才。”