北京大學張錦教授到訪理化所并作報告

　　應“理化青年論壇”暨“中科院青年創新促進會理化所分會”和中國科學院光化學轉換與功能材料重點實驗室邀請，北京大學張錦教授于10月11日下午到中科院理化技術研究所交流，并作了題為“單壁碳納米管的控制生長方法研究”的學術報告。

　　單壁碳納米管（SWNTs）自1993年被發現以后受到研究人員的廣泛關注，其研究熱度一直延續至今。SWNTs的諸多特性使其有望代替傳統硅材料，成為制作半導體器件的原材料，給電子設備（如計算機、智能手機等領域）帶來新的科技革命。報告中，張錦針對SWNTs合成領域目前面臨的幾大難題，如生長機理、取向控制、結構控制（管徑、手性等）、陣列密度以及半導體/金屬SWNTs的分離等方面做了詳細闡述。在CVD法合成SWNTs的過程中，采用晶格誘導定向和氣流定向方法可以得到取向可控的SWNTs；晶格誘導定向方法中，SWNTs沿基底材料晶格中的富氧方向生長，根據基底材料不同（如石英、云母、 Al2O3等），可制備出各種取向的SWNTs；若采用石墨烯為基底材料，則可通過SWNTs的生長方向確定其結構和手性。報告中提到了通過溫度脈沖在 SWNTs引入缺陷的方法，成功制備了管徑可調的SWNTs，通過管徑的變化可在單根SWNTs上形成具有不同帶隙寬度的區段，使實現單根SWNTs器件成為可能。此外，報告中還提到了應用“智能膠帶”完成金屬/半導體SWNTs混合物的分離，其原理是利用不同有機官能團與金屬/半導體SWNTs作用力的差別，從而實現高效的物理分離，不僅方法簡單，分離效率更可達到90%。最后，張錦講述了利用催化劑在SWNTs生長過程中逐漸釋放的原理，避免了催化劑的團聚，從而大幅度提高了SWNTs陣列的密度，達到了SWNTs器件對納米管排列密度的要求。

　　張錦是北京大學教授、博士生導師、國家杰出青年基金獲得者、長江學者特聘教授、科技部中青年科技創新領軍人才入選者。主要從事碳納米材料的控制合成、應用及其拉曼光譜學研究，已發表SCI收錄論文160余篇。

張錦教授作報告