4月12日下午,中科院半導體研究所半導體集成技術工程研究中心召開了2011年度電子束光刻用戶研討會。半導體集成技術工程研究中心領導以及來自半導體所各部門的30余名從事納米加工的研究生出席了本次會議。
半導體集成技術工程研究中心主任楊富華簡要回顧了10年來集成技術中心設備的購建、技術人員的配備和研究生的培養過程。他希望同學們能夠帶著自己的技術問題,通過本次技術研討會互相交流討論,獲得收獲。他同時希望即將畢業的研究生能夠對集成技術中心工作的這段時間有個美好的回憶。他指出勤勤懇懇的工作一定會有所成就,他們的工作經歷一定會為未來的個人職業生涯奠定堅實的基礎。
本次會議特別邀請了樊中朝副研究員做了ICP刻蝕技術的專題報告。樊中朝通過豐富的案例,詳細介紹分析了電子束曝光和ICP刻蝕之間的密切關系。
2011年畢業生代表分別做了精彩的報告,他們介紹了自己的工藝技巧,并引起了大家熱烈的討論和相互交流,他們極富創造性的出色工作給大家留下了深刻的印象。
韓偉華研究員針對新用戶做了電子束曝光技術的專題報告,進一步明確了相關概念和工作原理。
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