近日,由中國南車株洲所主持研制的國內最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓 IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相,并通過成果鑒定,刷新了1年前該公司自主研制的3300伏IGBT芯片電壓等級和功率密度紀錄。鑒定專家一致認為,該項目成果總體技術處于國際領先水平,代表了我國功率半導體器件行業IGBT技術的最高水平,具有重大戰略意義。
IGBT中文名為“絕緣柵雙極型晶體管”,主要用于交直流轉換和控制,是電力電子行業的核心零部件。從傳統電力、機械、礦冶到軌道交通、柔性直流輸電、新能源裝備和航空航天等領域,高壓高功率密度IGBT均有著廣泛應用,被譽為現代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產業的“核芯”,但此前相關技術被國外企業壟斷。
該項目負責人、中國南車株洲所IGBT事業部總經理劉國友介紹說,該公司先后投入20多億元,組織了近百位專家開展攻關,從IBGT芯片設計、封裝測試、可靠性試驗到系統應用,攻克了30多項難題,現在不僅掌握該器件的成套技術,形成了規模化、專業化生產的完整工藝體系,還在軌道交通、柔性直流輸電及礦冶等領域得到批量應用。項目目前已申報ZL20項,獲授權4項。
據悉,中國南車株洲所在此次鑒定會上同時展示了其“IGBT家族”的“超強陣容”,均代表行業最高水平,表明該公司已初步形成IGBT器件技術的完整產品型譜,成為國內唯一全面掌握IGBT芯片技術研發、模塊封裝測試和系統應用的企業。
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