日前，中國科學院微電子研究所在面向應用的阻變存儲器研究上取得新進展。
阻變存儲器(RRAM)是非揮發性存儲器的一種重要的替代方案，具有工藝及器件結構簡單、微縮性好、高速、低功耗、可嵌入功能強等優點。微電子所納米加工與新器件集成技術研究室科研人員在前期建立新材料、新結構及與大生產CMOS集成的驗證平臺的研究基礎上，在實用化所需的高性能高可靠性器件方面取得了重要進展。
科研人員在1kb RRAM陣列的基礎上，對器件的可靠性展開了系統研究，建立了失效模型和參數離散性統計模型;建立了一系列完善的阻變機理分析、表征和模擬方法;在超低功耗器件結構、自整流器件結構、雙極性1D1R結構設計方面取得突破，為RRAM的3D集成提供了解決方案。
該科研項目相關工作也得到了國家科技重大專項的支持，并發表在Advanced Materials、Nature子刊Scientific Reports、Nanoscale、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters等期刊上，進一步提升了微電子所在RRAM領域的國際影響力。
集成于晶體管上的HfO2基RRAM器件
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