新款晶圓問世|硅基化合物光電集成技術大突破

據中國光谷消息，全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實驗室下線。此項成果使用8寸SOI硅光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓，單片集成光電收發功能，為目前全球硅基化合物光電集成最先進技術。

近年來，由于5G通信、大數據、人工智能等行業的強力驅動，光子集成技術得到極大關注。公開資料顯示，光子集成的概念類可以比于電子集成(集成電路技術)，其核心是將光學系統集成到一顆芯片上的技術體系。光子集成芯片可將光學系統的體積縮小上千倍、重量降低上千倍，被認為是未來信息產業發展的關鍵使能技術。

目前主流的光子集成芯片可以根據其材料體系分為介質材料光子集成體系、三五族光子集成體系、硅光子集成體系、鈮酸鋰光子集成體系等。不同的材料體系各有其優缺點。鈮酸鋰以其大透明窗口、低傳輸損耗、良好的光電/壓電/非線性等物理性能以及優良的機械穩定性等被認為是理想的光子集成材料，而單晶薄膜鈮酸鋰則為解決光子集成芯片領域長期存在的低傳輸損耗、高密度集成以及低調制功耗需求提供了至今為止綜合性能最優的解決方案。

目前，業界對薄膜鈮酸鋰的研發還主要集中在3寸、4寸、6寸晶圓的制備及片上微納加工工藝上。九峰山實驗室工藝中心基于8寸薄膜鈮酸鋰晶圓，開發與之匹配的深紫外(DUV) 光刻、微納干法刻蝕及薄膜金屬工藝，成功研發出首款8寸硅光薄膜鈮酸鋰晶圓，實現低損耗鈮酸鋰波導、高帶寬電光調制器芯片、高帶寬發射器芯片集成。據悉該項成果為目前全球綜合性能最優的光電集成芯片。