日本開發新一代內存性能提升技術

　　日本東北大學的研究組開發了基于新一代內存——磁阻式隨機存取內存（MRAM）提升讀寫性能的技術。讀寫信息所需的磁性隧道結（MTJ）元件的輸出大約提高到了以前的2倍（200毫伏）。研究組在元件構成材料組合方面反復研究，實現了薄而均一的層疊技法，有望對MRAM產業化所需的容量和高集成化做出貢獻。

　　 東北大學與CANON ANELVA公司進行了共同開發。MRAM是通過在MTJ元件內兩個磁性方向加載電壓而產生變化來讀寫信息。本次開發將MTJ元件的氧化鎂絕緣層厚度均勻地制成了9埃（100億分之一米）薄度。另外，構成MTJ元件薄膜層中加入鎢層，提高了垂直方向的磁化安定性。在信息的讀入和寫入之外，為了不用電，可在幾十納秒（10億分之一）的極短時間內進行寫入。

　　 今后，研究組計劃研發與安定性磁化及其低阻態相關聯的技術，提升MRAM的寫入速度及消減電耗，并促其產業化。