研究人員制備成功RFMEMS振蕩器

　　中國科學院半導體研究所半導體集成技術工程研究中心，在自然科學基金、中科院項目的支持下，經過努力探索，制備成功RF MEMS振蕩器。

　　基于微納諧振器的MEMS振蕩器，具有高頻、高品質因子(>103)，可與IC電路在同一芯片集成，實現系統小型化，在軍民兩用高技術領域具有非常廣泛的應用。

　　中國科學院半導體研究所成功制作了高性能全硅MEMS振蕩器，基頻達149MHz，高階頻率達868MHz，大氣中品質因子>8000，相位噪聲在1kHz達到-68dBc/Hz，10kHz達到-95 dBc/Hz，短期頻率穩定度小于±1 ppm，中期頻率穩定度-5 ppm --2 ppm。全硅MEMS振蕩器比石英晶振在性能、體積和生產成本方面明顯占優，更符合現代電子產品的標準。全球時脈市場規模達50億美元，目前MEMS振蕩器市場占有率在4%以下，但預估2013～2015年，將有高達100%的年增長率。