“本次搭載第一階段任務順利完成,成功實現首款國產高壓400伏抗輻射SiC功率器件空間環境適應性驗證及其在電源系統中的在軌應用驗證。”記者從中國科學院微電子所了解到,2024年11月15日,由該所劉新宇、湯益丹團隊和中國科學院空間應用工程與技術中心劉彥民團隊共同研制的碳化硅(SiC)載荷,搭乘天舟八號貨運飛船飛向太空,并在10天后正式加高壓400伏。
功率器件是實現電能變換和控制的核心,被譽為電力電子系統的“心臟”,器件的性能不僅直接關乎下游設備的效能與市場競爭力,更是國家核心產業領域競爭力的關鍵所在。
在以“克”為計量的空間載荷需求下,占航天器重量的達25%的航天電源系統,無疑需要向著高效能、輕量化方向發展。太空的特殊環境,同時要求功率器件具有高效率、高功率和抗輻射等特性。
隨著硅(Si)基功率器件的性能逼近極限,人們正在積極尋找下一代材料,其中,以SiC為代表的第三代半導體材料備受關注。SiC具有禁帶寬度大、擊穿場強高、飽和電子速度快等優勢,可大幅提高空間電源的傳輸功率和能源轉換效率,簡化散熱設備,降低發射成本或增加裝載容量,功率-體積比提高近5倍。
與此同時,由于SiC是二元化合物,技術難度遠高于傳統一元Si器件,包括存在瞬態響應能量高度局域化、界面態高、新結構實現難度大等難點,都是急需解決的問題。此外,抗輻射SiC功率器件僅能夠工作在額定電壓的10%~30%,遠低于Si器件的60%~80%,導致其優勢無法充分發揮。
劉新宇介紹,團隊在深入研究SiC功率器件輻射損傷機制、抗輻射加固機理的基礎上,基于三代關鍵技術積累,突破了SiC功率器件抗輻射加固設計、柵氧工藝、表面貼裝器件(SMD)封裝等關鍵技術,研制了高壓抗輻射SiC功率器件。同時,針對空間輻射環境的復雜性,團隊構建了SiC載荷天/地鏡像系統,并提出多型柵/體器件結構、多狀態工作模式分析輻射效應及協同效應的試驗新方法,明晰空間綜合輻射效應機理。
經過一個多月的在軌加電試驗表明,SiC載荷測試數據正常,高壓400伏SiC功率器件在軌試驗與應用驗證順利完成,在電源系統中靜態、動態參數符合預期。
劉新宇表示:“接下來,我們將進一步優化抗輻射SiC功率器件結構及工藝,推動400伏SiC功率器件的批量應用,并研發更高電壓等級抗輻射SiC功率器件,滿足更多應用需求。”
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