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  • 發布時間:2016-10-24 16:33 原文鏈接: 第三代半導體產研院成立

       本報南京10月19日電 (記者王偉健)如何讓半導體器件更小、耐受更高電壓、具備更低導通電阻和更快的開關速度?以氮化鎵(GaN)為主的第三代半導體將成為發展方向。日前,江蘇華功第三代半導體產業技術研究院成立,致力于第三代半導體技術的產業化。

       硅半導體材料和器件在材料質量、器件設計、工藝優化等環節已經十分成熟,硅材料已經越來越逼近它的物理極限。中科院院士、江蘇華功第三代半導體產業技術研究院院長甘子釗教授介紹,與硅功率電子器件相比,第三代寬禁帶半導體氮化鎵具備更高耐壓、更低導通電阻和更快的開關速度等優勢,可使電源系統工作頻率更高、損耗更低、尺寸更小,具備廣闊的產業發展和應用前景。

      《 人民日報 》( 2016年10月20日 11 版)

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