納米結構電荷俘獲材料及高密度多值存儲驗收會召開

　　9月29日，重大科學研究計劃“納米結構電荷俘獲材料及高密度多值存儲基礎研究”課題驗收會在中國科學院微電子研究所召開。中國科學院吳德馨院士、解思深院士、李樹深院士、高鴻鈞院士，南京大學鄭有炓院士、施毅教授，國家外國專家局馬俊如研究員，北京大學薛增泉教授、朱星教授，國家自然科學基金委員會何杰研究員，復旦大學沈健教授，中山大學鄧少芝教授，東南大學顧寧教授，中科院前沿科學與教育局孔明輝處長、楊永峰處長，微電子所所長葉甜春研究員、項目首席科學家劉明研究員等驗收專家組成員及項目相關科研人員參加了會議。

　　重大科學研究計劃“納米結構電荷俘獲材料及高密度多值存儲基礎研究”于2010年開題，共分為4個子課題，由中科院微電子所牽頭，聯合南京大學、中科院物理研究所、北京大學等國內信息領域的優秀單位，組成了具有國際水平的科研團隊，以解決國家重大戰略需求、獲得自主知識產權為宗旨，緊密圍繞新一代CTM 存儲材料和高密度多值存儲中的關鍵科學問題與技術進行聯合攻關，取得了以下成果：第一，從能帶工程出發，綜合優化CTM隧穿層/俘獲層/阻擋層，為存儲器性能優化提供基礎；第二，發展了單電子表面勢技術，優化編程方法，提出一種8值單元編程方法，有效提高了CTM器件的存儲密度；第三，系統研究了存儲器特性和材料與結構的關系；第四，首次揭示電荷在存儲層中的垂直分布，觀察到電荷橫向移動現象，對CTM的編程和擦除過程中載流子輸運機制進行了直觀表征；第五，電荷俘獲存儲器模擬平臺為新材料、新結構、三維NAND結構的性能評估和優化設計提供了工具；第六，提出了junction-assisted低壓編程、擦除方法；改善了可靠性，編程速度提高300倍，保持特性和存儲窗口顯著改善 ；第七，在生產平臺首次完成CTM存儲器從材料、工藝、器件、集成的系統研究；第八，獲得自主知識產權CTM存儲技術系統解決方案。

　　驗收會上，劉明研究員和各課題負責人、項目骨干匯報了項目和各課題的驗收、總結情況。驗收專家組經過審議一致認為，4個子課題在新材料、器件機理、模型研究、兼容芯片制造工藝的高密度集成、新結構多值存儲設計與模擬研究等方面有機結合、緊密聯系，計劃任務圓滿完成，技術資料準備齊全，科研成果具有創新性，全部評定為“優秀”。會議的成功召開，為項目的順利驗收奠定了基礎。