銅上濺射沉積鈾薄膜AES研究

在俄歇電子能譜儀超高真空室內,采用離子束濺射沉積方法在多晶Cu上沉積了鈾薄膜,采用俄歇電子能譜技術(AES)研究鈾薄膜的生長方式,鈾、銅的相互作用及退火引起U膜成分結構變化。沉積初期觀察到鈾與銅發生相互作用,隨著鈾薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇躍遷峰強度值變化說明鈾薄膜為層狀+島狀生長。退火促進了界面擴散,隨著溫度的升高,鈾與銅發生了相互作用和擴散,溫度繼續升高,鈾與碳形成了鈾碳化物。