銅上濺射沉積鈾薄膜AES研究
在俄歇電子能譜儀超高真空室內,采用離子束濺射沉積方法在多晶Cu上沉積了鈾薄膜,采用俄歇電子能譜技術(AES)研究鈾薄膜的生長方式,鈾、銅的相互作用及退火引起U膜成分結構變化。沉積初期觀察到鈾與銅發生相互作用,隨著鈾薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇躍遷峰強度值變化說明鈾薄膜為層狀+島狀生長。退火促進了界面擴散,隨著溫度的升高,鈾與銅發生了相互作用和擴散,溫度繼續升高,鈾與碳形成了鈾碳化物。......閱讀全文
銅上濺射沉積鈾薄膜AES研究
在俄歇電子能譜儀超高真空室內,采用離子束濺射沉積方法在多晶Cu上沉積了鈾薄膜,采用俄歇電子能譜技術(AES)研究鈾薄膜的生長方式,鈾、銅的相互作用及退火引起U膜成分結構變化。沉積初期觀察到鈾與銅發生相互作用,隨著鈾薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇躍遷峰強度值變化說明鈾薄膜為層狀+島狀生長。退
薄膜濺射沉積系統共享應用
儀器名稱：薄膜濺射沉積系統儀器編號：16041495產地：中國生產廠家：AJA型號：ATC 2200-V出廠日期：201605購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓108固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278109
用AES研究鋁薄膜與基體金屬鈾之間的界面反應
在俄歇電子能譜(AES)儀超高真空分析室中利用氬離子濺射沉積方法將Al沉積在U基體上。對不同Al沉積量的鈾表面實時采集AES和低能電子損失譜(EELS),以研究沉積Al原子與U表面原子間的相互作用以及Al膜的生長過程。將實驗樣品進行退火處理后進行深度剖析。研究結果表明:Al沉積在U基體上是以島狀方式
鈾與UO2表面鋁薄膜生長行為的俄歇電子能譜分析
主要利用俄歇電子能譜(AES)原位分析了室溫下鈾與UO2表面鋁薄膜的生長行為。在俄歇電子能譜儀超高真空室中,利用Ar+槍濺射鋁靶,使其沉積到鈾基體上,然后利用電子槍適時采集表面俄歇電子能譜, 原位分析鋁薄膜的生長過程。在UO2表面沉積鋁膜時,先往真空室中充入氧氣,將清潔鈾表面氧化成UO2, 然后再濺
UO2表面鋁薄膜生長過程的AES原位研究
室溫下在俄歇電子能譜(AES)分析儀超高真空室中,通入適量O2,促使基底U表面氧化,生成UO2,然后利用Ar+槍濺射鋁箔,使鋁沉積在UO2表面形成Al薄膜。沉積過程中實時采集UO2表面的AES譜和低能電子損失譜(EELS),原位分析鋁薄膜在UO2表面的生長過程和膜間界面反應。研究表明,室溫下,UO2
鈾表面氮化對鈾上鍍鈦界面結合的影響
金屬鈾在核燃料領域有著非常重要的應用,然而由于鈾擁有特殊的外層電子,因此性質非常活潑,極易遭受腐蝕,鈾的使用過程中必須考慮腐蝕防護。通過物理氣相沉積的方法在鈾表面制備防腐蝕薄膜是一種有效地防腐蝕手段,但是實際工藝中,鈾易氧化的特性使得膜基界面形成氧化層,影響長期應用中的膜基結合力。本文采用離子氮化技
鈾基體上鋁薄膜生長行為和膜基界面反應研究
本論文主要利用表面分析技術俄歇電子能譜（AES）較系統的研究了鋁薄膜在鈾基體上的生長行為特征以及膜基界面反應,并采用密度泛函方法,模擬計算了鋁原子在金屬鈾和UO2（001）面上的吸附能,對實驗結果從理論上進行了合理的解釋和推論。主要研究結果有: 1) 室溫下,在金屬鈾表面逐步沉積鋁原子的過程中,沉積
小型離子濺射儀可以用來濺射銅嗎
小型的離子濺射儀分為低真空離子濺射和高真空離子濺射，根據原理又分為高電壓直流、低電壓磁控和離子束三種原理，目前市面上的離子濺射大部分是可以滿足您的需求，你可以查看上海禾早生產的離子濺射儀。
其他薄膜沉積設備的薄膜沉積技術分類
薄膜沉積技術可以分為化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）。對于CVD工藝，這包括原子層沉積（ALD）和等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）。PVD沉積技術包括濺射，電子束和熱蒸發。CVD工藝包括使用等離子體將源材料與一種或多種揮發性前驅物混合以化學相互作用并使源材料分解。該工藝使用較
2013全國表面分析科學與技術應用學術會議在京召開
四川材料與工藝研究所 陸雷 來自四川材料與工藝研究所陸雷老師做了《鈹薄膜的射頻制備技術及性能研究》的報告。 陸老師介紹了一下自己的研究背景，以及薄膜制備與AES聯用裝置、射頻磁控濺射技術特點與原理、薄膜制備工藝流程，Be薄膜的AFM、SEM、AES、XPS分析。 研究表明采用射頻磁控濺射法成功
關于俄歇電子能譜儀研究晶界擴散的方法介紹
研究晶界擴散的方法有三種：濺射剖面法、沿晶斷裂法和表面累積法。 濺射剖面法是讓溶質擴散到多晶試樣中，然后用離子濺射剖蝕表面層，同時用AES測量，獲得濃度 深度剖面圖； 沿晶斷裂法是把溶質蒸發到多晶試樣的清潔表面，并進行熱處理使其晶界擴散。然后在AES儀的超高真空中使試樣沿晶斷裂，利用細電子束斑
類金剛石薄膜的電子結構及光學性質
以直流磁控濺射制備了類金剛石薄膜,采用原子力顯微鏡(AFM)觀察薄膜的表面形貌,采用俄歇電子能譜(AES)分析薄膜的化學鍵和電子結構。將參數D定義為俄歇電子能譜(AES)中最大正峰和最低負峰之間的距離,用俄歇電子能譜中的D值求得不同沉積氣壓條件下制備的薄膜的sp2鍵的百分含量和sp2鍵與sp3鍵比率
貧鈾表面的Ar氣脈沖輝光放電清洗
由于貧鈾特有的化學性質,其表面在大氣中始終存在一層影響界面結合的氧化層。為了增強薄膜與鈾基體之間的有效結合,需要采用先進的輝光放電技術對鈾基體進行薄膜沉積前的原位清洗。鈾樣品經金相砂紙逐級打磨并拋光,將樣品放入俄歇電子能譜儀(AES)預制室,充入Ar氣進行輝光放電清洗,清洗后用俄歇電子能譜儀對表面進
磁致濺射儀層生長型薄膜的形成
這種生長類型的特點是，蒸發原子首先在基片表面以單原子層的形式均勻地翟蓋一層，然后再在三維方向上生長更多的層。這種生長方式多數發生在基片原子與蒸發原子間的結合能接近于蒸發原子間的結合能的情況下。層生長型的過程大致如下:入射到基片表面的原子，經過表面擴散并與其它原子碰撞后形成二維的核，二維核捕捉周圍
磁致濺射儀核生長型薄膜的形成
這種類型形成過程的特點是，到達基片上的原子首先凝聚成核，后續飛來的原子不斷集聚在核的附近使核在三維方向不斷成長，最終形成薄膜。大部分薄膜的形成過程都屬于這種類型。核生長型的薄膜其生長過程可以分為如下四個階段。 (l)成核階段碰撞到基片上的原子，其中一部分與基片原子交換的能量很少，仍具有相當大的
常見的薄膜太陽能電池組件的制備流程介紹
薄膜太陽能電池是緩解能源危機的新型光伏器件，第一代太陽能電池是單晶和多晶硅電池，第二代太陽能電池采用了吸光系數大的材料，電池厚度不用太厚也足夠吸收太陽光，因此稱為薄膜太陽能電池。根據吸光材料的不同，常見的薄膜太陽能電池分類有：碲化鎘（CdTe）、銅銦鎵硒（CIGS）、染料敏化（DSSC）和有機聚合物
常見的薄膜太陽能電池組件的制備流程介紹
薄膜太陽能電池是緩解能源危機的新型光伏器件，第一代太陽能電池是單晶和多晶硅電池，第二代太陽能電池采用了吸光系數大的材料，電池厚度不用太厚也足夠吸收太陽光，因此稱為薄膜太陽能電池。根據吸光材料的不同，常見的薄膜太陽能電池分類有：碲化鎘（CdTe）、銅銦鎵硒（CIGS）、染料敏化（DSSC）和有機聚合物
磁致濺射儀層核生長型薄膜的形成
在基體和薄膜原子相互作用特別強的情況下，才容易出現層核生長型。首先在基片表面生長1-2層單原子層，這種二維結構強烈地受基片晶格的影響，晶格常數有較大的畸變。然后再在這原子層上吸附入射原子，并以核生長方式生成小島，最終形成薄膜。
鈾鈮合金真空熱氧化膜的俄歇電子能譜研究
用俄歇電子能譜(AES)研究了高真空下,環境溫度對鈾鈮合金真空氧化膜的影響。當溫度高于603K時,氧化膜表面結構發生明顯改變,表面主要由鈾碳化合物、金屬態的U和Nb組成。利用Ar+濺射鈾鈮合金真空熱氧化膜進行深度分布分析,發現在熱氧化膜的表面氧含量很小,而在熱氧化膜的內部有氧增多的現象。?
動態離子束混合技術制備氧化鉻薄膜的俄歇電子能譜研究
本文介紹的動態離子束混合技術制備氧化鉻薄膜系在不銹鋼基體上進行1keV氬離子束濺射沉積鉻(同時通入一定量的O),并用100keV的氬離子束或氧離子束轟擊該樣品。對兩種離子束轟擊形成的氧化鉻薄膜進行了X射線光電子能譜(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)和俄歇電子
研究發現深海沉積物為現代銅循環的主要儲庫
近日，廣州海洋地質調查局教授級高級工程師鄧義楠團隊攜手中國科學院地質與地球物理研究所等機構，在深海銅循環研究領域取得重大突破，發現深海沉積物是現代銅循環的主要儲庫。相關成果發表于《全球生物地球化學循環》（Global Biogeochemical Cycles）。銅，作為支撐全球經濟的關鍵金屬礦產，
鎂合金表面PVD膜層的制備與腐蝕破壞
鎂合金在汽車、電子以及航空航天工業上的應用日益廣泛,但較差的耐蝕性限制了其在這些領域的推廣應用。氣相沉積技術作為一種綠色防腐技術正開始受到鎂合金表面處理工作者的關注。本文采用磁控濺射、離子注入等現代化技術手段在AZ31鎂合金表面制備了多種防護性膜層,利用場發射掃描電鏡（FESEM）、原子力顯微鏡（A
薄膜沉積控制儀的相關知識普及
薄膜沉積控制儀包括反應腔室，還包括至少兩套成膜機構，所述至少兩套成膜機構分別對應待成膜基板的至少兩個成膜區域；每套所述成膜機構配置為在所述反應腔室內形成一種成膜環境，且各套所述成膜機構所形成的成膜環境中至少一項工藝參數不同，以分別在對應的成膜區域形成薄膜性能或薄膜參數不同的薄膜。 薄膜設備
其他薄膜沉積設備的重要性
沉積是半導體制造工藝中的一個非常重要的技術，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴散及在適當的位置下聚結，以漸漸形成薄膜并成長的過程。在一個新晶圓投資建設中，晶圓廠80%的投資用于購買設備。其中，薄膜沉積設備是晶圓制造的核心步驟之一，占據著約25%的比重。
LAB18薄膜沉積系統共享
儀器名稱：LAB18薄膜沉積系統儀器編號：12028282產地：中國生產廠家：Kurt型號：KJLC出廠日期：201204購置日期：201212所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090
無擴散阻擋層Cu(C)和Cu(Ti)薄膜的制備及表征
隨著超大規模集成電路中器件和互連線尺寸的不斷減小,厚度薄且具有良好的阻擋性能及電學性能的擴散阻擋層的制備變得越來越具有挑戰性,必須要引進新材料和新工藝來解決這一問題,因此向Cu膜中直接加入少量元素來制備Cu種籽層的無擴散阻擋層結構成為了該領域的重要研究內容。本論文采用磁控濺射在單晶Si(100)基體
俄歇電子能譜成分深度分析
AES的深度分析功能是AES最有用的分析功能，主要分析元素及含量隨樣品表面深度的變化。鍍銅鋼深度分析曲線采用能量為500eV～5keV的惰性氣體氬離子濺射逐層剝離樣品，并用俄歇電子能譜儀對樣品原位進行分析，測量俄歇電子信號強度I （元素含量）隨濺射時間t（濺射深度）的關系曲線,這樣就可以獲得元素在樣
俄歇電子能譜儀的應用領域
通過正確測定和解釋AES的特征能量、強度、峰位移、譜線形狀和寬度等信息，能直接或間接地獲得固體表面的組成、濃度、化學狀態等多種情報。定性分析定性分析主要是利用俄歇電子的特征能量值來確定固體表面的元素組成。能量的確定在積分譜中是指扣除背底后譜峰的最大值，在微分譜中通常規定負峰對應的能量值。習慣上用微分
研究揭示銅上雙層石墨烯的雙面各異摻雜機制
松山湖材料實驗室-北京大學教授劉開輝與合作者研究揭示了銅上雙層石墨烯的雙面各異摻雜機制，解決了原子級石墨烯防腐技術易受界面擴散和電化學腐蝕侵害的難題，成功實現了對銅箔的超高效防腐。近日，相關成果在線發表于《自然-通訊》。 記者獲悉，該技術可在室溫下保護銅箔達5年以上、80 ℃水中浸泡保護銅達1
研究揭示銅上雙層石墨烯的雙面各異摻雜機制
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512786.shtm松山湖材料實驗室-北京大學教授劉開輝與合作者研究揭示了銅上雙層石墨烯的雙面各異摻雜機制，解決了原子級石墨烯防腐技術易受界面擴散和電化學腐蝕侵害的難題，成功實現了對銅箔的超高效防腐。近