LAB18薄膜沉積系統共享
儀器名稱：LAB18薄膜沉積系統儀器編號：12028282產地：中國生產廠家：Kurt型號：KJLC出廠日期：201204購置日期：201212所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn）分類標簽：半導體工藝 集成電路 微納加工 磁控濺射技術指標：金屬及氧化物材料磁控濺射：包括Pt、Ti、Al、Cr、Hf、Ta、Nb、V、Ni、Co、Pd、Al2O3、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、NbO2、V2O5、TiN、W等；本底真空：10E-8Torr知名用戶：錢鶴研究員，吳華強研究員，伍曉明研究員，王敬研究員，陳煒研究員等。技術團隊：吳華強副教授，伍曉明副教授，竇維治支持工程師，韓冰設備工程師，李志東工藝工程師功能特色：該設備的特點如下：本底......閱讀全文
LAB18薄膜沉積系統共享
儀器名稱：LAB18薄膜沉積系統儀器編號：12028282產地：中國生產廠家：Kurt型號：KJLC出廠日期：201204購置日期：201212所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090
LAB18薄膜沉積系統共享應用
儀器名稱：LAB18薄膜沉積系統儀器編號：12028282產地：中國生產廠家：Kurt型號：KJLC出廠日期：201204購置日期：201212所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090
清華大學儀器共享平臺Kurt－LAB18薄膜沉積系統
儀器名稱：LAB18薄膜沉積系統儀器編號：12028282產地：中國生產廠家：Kurt型號：KJLC出廠日期：201204購置日期：201212所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090
薄膜濺射沉積系統共享應用
儀器名稱：薄膜濺射沉積系統儀器編號：16041495產地：中國生產廠家：AJA型號：ATC 2200-V出廠日期：201605購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓108固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278109
化學氣相沉積系統共享
儀器名稱：化學氣相沉積系統儀器編號：13003987產地：美國生產廠家：TRION型號：PHANTOMIII出廠日期：201205購置日期：201303所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278
PICOSUN－原子層沉積系統共享
儀器名稱：PICOSUN 原子層沉積系統儀器編號：16041497產地：中國生產廠家：PICOSUN型號：R200 Advanced出廠日期：201709購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓109固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹
其他薄膜沉積設備的薄膜沉積技術分類
薄膜沉積技術可以分為化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）。對于CVD工藝，這包括原子層沉積（ALD）和等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）。PVD沉積技術包括濺射，電子束和熱蒸發。CVD工藝包括使用等離子體將源材料與一種或多種揮發性前驅物混合以化學相互作用并使源材料分解。該工藝使用較
PICOSUN－原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：PICOSUN 原子層沉積系統儀器編號：16041497產地：中國生產廠家：PICOSUN型號：R200 Advanced出廠日期：201709購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓109固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹
BENEQ－原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：BENEQ 原子層沉積系統儀器編號：09016504產地：芬蘭生產廠家：BENEQ型號：TFS200-106出廠日期：200810購置日期：200910所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹秉軍（010
TRION化學氣相沉積系統共享應用
儀器名稱：化學氣相沉積系統儀器編號：13003987產地：美國生產廠家：TRION型號：PHANTOMIII出廠日期：201205購置日期：201303所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278
清華大學儀器共享平臺Ultratech－原子層沉積系統
儀器名稱：原子層沉積系統儀器編號：17016605產地：美國生產廠家：Ultratech型號：Savannah S100出廠日期：購置日期：2017-06-25所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：固定email：haosun@ts
Picosun－Oy真空互聯原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：真空互聯-原子層沉積系統儀器編號：21029113產地：芬蘭生產廠家：Picosun Oy型號：R-200 Advanced出廠日期：購置日期：2021-11-25所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>真空互聯放置地點：微電子學研究所南平房實驗室108號固定電話：01062784044固定
清華大學儀器共享平臺TRION－化學氣相沉積系統
儀器名稱：化學氣相沉積系統儀器編號：13003987產地：美國生產廠家：TRION型號：PHANTOMIII出廠日期：201205購置日期：201303所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278
TOHO－薄膜應力計共享應用
儀器名稱：薄膜應力計儀器編號：12030409產地：日本生產廠家：TOHO型號：FLX-2320S出廠日期：201212購置日期：201212樣品要求：樣品大小可為4、5、6、8英寸。預約說明：實驗室的設備采用網上預約的方式、以先約先用為基本原則取消預約需提前2個小時通過網上取消預約所屬單位：集成電
銅上濺射沉積鈾薄膜AES研究
在俄歇電子能譜儀超高真空室內,采用離子束濺射沉積方法在多晶Cu上沉積了鈾薄膜,采用俄歇電子能譜技術(AES)研究鈾薄膜的生長方式,鈾、銅的相互作用及退火引起U膜成分結構變化。沉積初期觀察到鈾與銅發生相互作用,隨著鈾薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇躍遷峰強度值變化說明鈾薄膜為層狀+島狀生長。退
薄膜沉積控制儀的相關知識普及
薄膜沉積控制儀包括反應腔室，還包括至少兩套成膜機構，所述至少兩套成膜機構分別對應待成膜基板的至少兩個成膜區域；每套所述成膜機構配置為在所述反應腔室內形成一種成膜環境，且各套所述成膜機構所形成的成膜環境中至少一項工藝參數不同，以分別在對應的成膜區域形成薄膜性能或薄膜參數不同的薄膜。 薄膜設備
其他薄膜沉積設備的重要性
沉積是半導體制造工藝中的一個非常重要的技術，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴散及在適當的位置下聚結，以漸漸形成薄膜并成長的過程。在一個新晶圓投資建設中，晶圓廠80%的投資用于購買設備。其中，薄膜沉積設備是晶圓制造的核心步驟之一，占據著約25%的比重。
化學氣相沉積法生產幾種貴金屬薄膜
貴金屬薄膜因其有著較好的抗氧化能力、高導電率、強催化活性以及極其穩定引起了研究者的興趣。和生成貴金屬薄膜的其他方式相比，化學氣相沉積法有更多技術優勢，所以大多數制備貴金屬薄膜都會采用這種方式。沉積貴金屬薄膜用的沉積員物質種類比較廣泛，不過大多是貴金屬元素的鹵化物和有機化合物，比如COCl2、氯化
nikon－系統測試共享
儀器名稱：系統測試nikon儀器編號：A15000007產地：生產廠家：型號：出廠日期：購置日期：樣品要求：樣品要求：活細胞需種植在共聚焦顯微鏡小皿內；需要用0.17mm的蓋玻片進行封片預約說明：所有大型儀器均可通過點擊“儀器設備”，查看儀器設備聯系人信息，可通過電話及郵件聯系。預約后如有特殊原因無
中國科學院微電子研究所復合脈沖激光沉積薄膜系統招標
項目概況 中國科學院微電子研究所復合脈沖激光沉積薄膜生長和檢測系統采購項目 招標項目的潛在投標人應在www.o-science.com獲取招標文件，并于2021年12月14日 14點30分（北京時間）前遞交投標文件。 一、項目基本情況 項目編號：OITC-G210291136 項目名稱：
薄膜蒸餾系統的選型
高低溫一體機配套使用的設備中，薄膜蒸餾系統也是現在比較多的設備之一； 那么，在選擇薄膜蒸餾系統的時候需要注意什么比較好呢？ 薄膜蒸餾系統是一種蒸發器的類型，特點是物料液體沿加熱管壁呈膜狀流動而進行傳熱和蒸發； 優點是傳熱效率高，蒸發速度快，物料停留時間短，因此特別適合熱敏
清洗系統共享應用
儀器名稱：清洗系統儀器編號：04009244產地：臺灣生產廠家：弘塑科技有限公司型號：SolventStrip出廠日期：200312購置日期：200410所屬單位：物理系>納米中心>納米中心加工平臺放置地點：納米樓超凈間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：馬偉濤（010-62796022,1
系統測試nikon共享應用
儀器名稱：系統測試nikon儀器編號：A15000007產地：生產廠家：型號：出廠日期：購置日期：所屬單位：醫研院>生物醫學測試中心>尼康影像中心放置地點：醫學科學樓C153固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹慧珍（010-62798727,15210512148,caohuizhen@m
原子層沉積系統（ALD）的介紹
是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。
原子層沉積系統（ALD）的應用
原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型（厚度、成份和結構） 原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），最初稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也稱為原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
原子層沉積系統（ALD）的原理
原子層沉積是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種方法（技術）。當前驅體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發生表面反應。在前驅體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。由此可知沉積反應前驅體物質能否在被沉積材料表面化學吸附是實現原子層
薄膜蒸餾系統選型說明
薄膜蒸餾系統是一種蒸發器的類型，特點是物料液體沿加熱管壁呈膜狀流動而進行傳熱和蒸發，優點是傳熱效率高，蒸發速度快，物料停留時間短，因此特別適合熱敏性物質的蒸發。在薄膜蒸發器的選型中，必須綜合考慮各種因素。 薄膜蒸餾系統選型需要考慮生產能力和操作參數：包括處理量、進出濃度、溫度、年操作小時數等。
原子層沉積系統（ALD）－跟熱蒸鍍沉積有什么區別？
原子層沉積是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種方法（技術）。當前驅體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發生表面反應。在前驅體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。由此可知沉積反應前驅體物質能否在被沉積材料表面化學吸附是實現原子層
微流控芯片加工的薄膜沉積的四種工藝
在加工微流控芯片的同時，需要在基片上沉積各種材料的薄膜。制造加工薄膜的四種方法：氧化氧化是將硅片在氧化環境中加熱到900~1100℃的高溫，在硅的表面上生長出的一層二氧化硅。根據所用氧化劑的不同，氧化又可分為水汽氧化：水汽氧化的氧化劑是水蒸氣干氧氧化：干氧氧化的氧化劑是氧氣濕氧氧化：濕氧氧化的氧化劑
對于原子層沉積系統（ALD）的研究
原子層沉積（ALD）的自限制性和互補性致使該技術對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻，因而引起了人們廣泛的關注。原子尺度上的ALD過程仿真對深入了解沉積機理，改進和優化薄膜生長工藝，提高薄膜質量，改善薄膜性質具有重要意義。在深入了解ALD的工藝特點及工藝過程后