清華大學儀器共享平臺Ultratech原子層沉積系統
儀器名稱：原子層沉積系統儀器編號：17016605產地：美國生產廠家：Ultratech型號：Savannah S100出廠日期：購置日期：2017-06-25所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：固定email：haosun@tsinghua.edu.cn聯系人：張秀華（010-62796594,13001178656,zhangxiuhua@mail.tsinghua.edu.cn）孫皓（010-62796594,15910619833,haosun@tsinghua.edu.cn）分類標簽：工藝加工技術指標：溫度100℃~250℃知名用戶：清華大學電子系，物理系，材料系，微電子所，北京大學，北京理工大學，中科院物理所，浙江大學，南京大學，南京理工大學，廈門大學，深圳技術大學等技術團隊：儀器開放管理團隊由一名事業編制教工主管、兩名合同制人員協管及 3 ......閱讀全文
清華大學儀器共享平臺Ultratech－原子層沉積系統
儀器名稱：原子層沉積系統儀器編號：17016605產地：美國生產廠家：Ultratech型號：Savannah S100出廠日期：購置日期：2017-06-25所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：固定email：haosun@ts
PICOSUN－原子層沉積系統共享
儀器名稱：PICOSUN 原子層沉積系統儀器編號：16041497產地：中國生產廠家：PICOSUN型號：R200 Advanced出廠日期：201709購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓109固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹
PICOSUN－原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：PICOSUN 原子層沉積系統儀器編號：16041497產地：中國生產廠家：PICOSUN型號：R200 Advanced出廠日期：201709購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓109固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹
BENEQ－原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：BENEQ 原子層沉積系統儀器編號：09016504產地：芬蘭生產廠家：BENEQ型號：TFS200-106出廠日期：200810購置日期：200910所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹秉軍（010
Picosun－Oy真空互聯原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：真空互聯-原子層沉積系統儀器編號：21029113產地：芬蘭生產廠家：Picosun Oy型號：R-200 Advanced出廠日期：購置日期：2021-11-25所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>真空互聯放置地點：微電子學研究所南平房實驗室108號固定電話：01062784044固定
原子層沉積系統（ALD）的介紹
是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。
原子層沉積系統（ALD）的應用
原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型（厚度、成份和結構） 原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），最初稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也稱為原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
原子層沉積系統（ALD）的原理
原子層沉積是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種方法（技術）。當前驅體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發生表面反應。在前驅體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。由此可知沉積反應前驅體物質能否在被沉積材料表面化學吸附是實現原子層
原子層沉積
原子層沉積(ALD)是一種真正的"納米"技術，以精確控制的方式沉積幾個納米的超薄薄膜。 原子層沉積的兩個限定性特征--自約束的原子逐層生長和高度保形鍍膜--給半導體工程，微機電系統和其他納米技術應用提供了許多好處。 原子層沉積的優點 因為原子層沉積工藝在每個周期內精確地沉積一個原子層，所以能
清華大學儀器共享平臺Gatan－直讀式特殊成像系統
儀器名稱：直讀式特殊成像系統儀器編號：15005988產地：美國生產廠家：Gatan型號：K2出廠日期：2013.9購置日期：201504所屬單位：生命學院>蛋白質研究技術中心>冷凍電鏡平臺>設施蛋白質冷凍電鏡平臺放置地點：生物新館129固定電話：固定手機：固定email：聯系人：分類標簽：電子顯微
對于原子層沉積系統（ALD）的研究
原子層沉積（ALD）的自限制性和互補性致使該技術對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻，因而引起了人們廣泛的關注。原子尺度上的ALD過程仿真對深入了解沉積機理，改進和優化薄膜生長工藝，提高薄膜質量，改善薄膜性質具有重要意義。在深入了解ALD的工藝特點及工藝過程后
清華大學儀器共享平臺四川景恒－CVD系統
儀器名稱：CVD系統儀器編號：21000218產地：中國生產廠家：四川景恒科技有限公司型號：Lindberg/Blue M出廠日期：購置日期：2021-01-13所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：15910619833固定ema
清華大學儀器共享平臺管式爐
儀器名稱：管式爐儀器編號：21002920產地：中國生產廠家：易安科儀（北京）國際貿易有限公司型號：TF55035C0MC出廠日期：購置日期：2021-03-02所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：15910619833固定ema
清華大學儀器共享平臺普析－原子吸收光譜儀
儀器名稱：原子吸收光譜儀儀器編號：05011168產地：中國生產廠家：北京普析通用儀器公司型號：TAS990出廠日期：200412購置日期：200508所屬單位：化學系>分析中心>無機元素分析實驗室-1放置地點：理科樓4206固定電話：固定手機：固定email：聯系人：邢志（010-62781687
清華大學儀器共享平臺頭戴式小鼠活體鈣成像系統
儀器名稱：頭戴式小鼠活體鈣成像系統儀器編號：A23000163產地：美國生產廠家：Inscopix型號：nVue出廠日期：20230212購置日期：20221230所屬單位：藥學院>藥學技術中心>神經藥理平臺放置地點：固定電話：固定手機：固定email：聯系人：分類標簽：微型顯微鏡 小動物鈣成像 活
清華大學儀器共享平臺Gatan－離子束鍍膜刻蝕系統
儀器名稱：離子束鍍膜刻蝕系統儀器編號：14012804產地：美國生產廠家：Gatan型號：682出廠日期：201308購置日期：201407樣品要求：尺寸要求：最大尺寸直徑32mm、高度10mm樣品其他要求：真空下不能有揮發物。所屬單位：材料學院>材料中心 >電鏡中心放置地點：主樓11-127固定電
清華大學儀器共享平臺海光－原子熒光光譜儀
儀器名稱：原子熒光光譜儀儀器編號：05011167產地：中國生產廠家：北京科創海光科技公司型號：AFS3100出廠日期：200507購置日期：200508所屬單位：化學系>分析中心>無機元素分析實驗室-1放置地點：理科樓4206固定電話：固定手機：固定email：聯系人：邢志（010-6278168
清華大學儀器共享平臺低溫納米傾角臺
儀器名稱：低溫納米傾角臺儀器編號：21000293產地：德國生產廠家：attocube systems AG型號：ANC350出廠日期：購置日期：2021-01-13樣品要求：樣品要求:與平臺測試人員聯系具體細節預約說明：測試所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定
清華大學儀器共享平臺WESTBOND－鍵合機
儀器名稱：鍵合機儀器編號：19019277產地：生產廠家：WESTBOND, INC型號：7476D出廠日期：購置日期：2019-10-29所屬單位：物理系>離子束刻蝕實驗室放置地點：理科樓 C-207固定電話：010-62772764固定手機：13552113513固定email：jianglin
清華大學儀器共享平臺FineTech－貼片機
儀器名稱：貼片機儀器編號：11029777產地：德國生產廠家：FineTech型號：Fineplacer_145_Pico出廠日期：201109購置日期：201112樣品要求：與設備工程師確認。預約說明：封裝工藝所有的設備均需要提前預約，預約前請聯系設備管理員，討論樣品信息和預約時間，再在網上進行預
清華大學儀器共享平臺THERMO－管式馬弗爐
儀器名稱：管式馬弗爐儀器編號：16042569產地：中國生產廠家：THERMO型號：TF55035C-1出廠日期：購置日期：2016-12-25所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：15910619833固定email：haosun
清華大學儀器共享平臺SUSS－光刻機
儀器名稱：光刻機儀器編號：20004477產地：中國生產廠家：SUSS Micro Tec Lithography Gmb型號：MJB4出廠日期：購置日期：2020-06-09所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：固定email：h
清華大學儀器共享平臺JEOL－掃描電鏡
儀器名稱：掃描電鏡儀器編號：02012309產地：日本生產廠家：日本電子公司型號：JSM-6460LV出廠日期：200208購置日期：200210所屬單位：材料學院>先進材料薄膜材料實驗室放置地點：逸夫技科樓1134室固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曾飛（010-62795373,186
清華大學儀器共享平臺JEOL－掃描電鏡
儀器名稱：掃描電鏡儀器編號：02012309產地：日本生產廠家：日本電子公司型號：JSM-6460LV出廠日期：200208購置日期：200210所屬單位：材料學院>先進材料薄膜材料實驗室放置地點：逸夫技科樓1134室固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曾飛（010-62795373,186
清華大學儀器共享平臺PVA－超聲檢測設備
儀器名稱：超聲檢測設備儀器編號：12006229產地：德國生產廠家：PVA型號：KSI SAM300出廠日期：201110購置日期：201204所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>封裝工藝放置地點：微電子所新所一樓微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：馬海艷（010-66668888
清華大學儀器共享平臺JEOL－掃描電鏡
儀器名稱：掃描電鏡儀器編號：05015289產地：日本生產廠家：日本電子公司型號：JSM7401出廠日期：200505購置日期：200511樣品要求：不能有磁性，如鐵、鈷、鎳；樣品需干燥，不能含水及有機溶劑等；樣品與樣品臺粘結牢固；樣品尺寸合適，最大不能超過一寸；導電性不好的需要噴金處理預約說明：組
原子層沉積的研究
原子層沉積（ALD）的自限制性和互補性致使該技術對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻，因而引起了人們廣泛的關注。原子尺度上的ALD過程仿真對深入了解沉積機理，改進和優化薄膜生長工藝，提高薄膜質量，改善薄膜性質具有重要意義。在深入了解ALD的工藝特點及工藝過程后，針
清華大學儀器共享平臺低溫恒溫器
儀器名稱：低溫恒溫器儀器編號：22045286產地：美國生產廠家：多為萊博（香港）有限公司型號：DE204SF出廠日期：購置日期：2023-03-03所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：15910619833固定email：hao
清華大學儀器共享平臺THERMO－通用管式爐
儀器名稱：通用管式爐儀器編號：17005496產地：美國生產廠家：THERMO型號：STF55433PC-1出廠日期：購置日期：2017-03-25所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：15910619833固定email：haos
清華大學儀器共享平臺紫外臭氧清洗機
儀器名稱：紫外臭氧清洗機儀器編號：19011740產地：中國生產廠家：北京中科微控科技有限公司型號：SC-UV-I出廠日期：購置日期：2019-08-13所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：15910619833固定email：h