預算5200萬一高校采購顯微鏡、透射儀、質譜等設備

序號

產品名稱（設備名稱）

數量/單位

備注

1

超景深顯微鏡

1套

1.集成電路自動化測試系統、雙束電子顯微鏡、場發射透射電子顯微鏡為核心產品；

2.該包經批準可以采購進口產品。

2

集成電路自動化測試系統

1套

3

半導體曲線圖示儀

1套

4

3D X射線透射儀

1套

5

集成電路靜電放電評估系統

1套

6

集成電路開封系統

1套

7

微光顯微鏡

1套

8

雙束電子顯微鏡

1套

9

鎖相紅外熱成像系統

1套

10

場發射透射電子顯微鏡

1套

11

PIND測試系統

1套

12

氦質譜檢漏儀

1套

序號

設備名稱

規格型號

1

集成電路自動化測試系統

本設備包含SOC測試系統成品測試主機臺和晶圓測試主機臺、三溫機械手、射頻探針臺等配件

※（1）SOC成品測試系統主機：　

·通道數不低于48路；,每通道電壓范圍不低于0~7V；

每通道電流范圍：-200mA~1A，可并聯使用，并聯電流能力不低于4A；整板電流不小于48A,電壓最小測量精度不低于±10mV；

·256個數字引腳 /每卡

·單端驅動，單端/差分接收

·每個引腳基礎速率100Mbps,  配置16MVec存儲空間

·通用存儲器

·每個引腳一個時鐘域

·每個引腳時序發生器基礎速率 400MHz

·邊沿分辨率 1pS，±100pS  EPA

·最大負載電流≤25 mA

（2）三溫機械手

·溫度范圍 -65°C ~ +150°C

·覆蓋軍工、車規級芯片測試需求

·定位精度 ±3~5μm 確保芯片與測試插座精準對接

·傳輸速度 1~2秒/芯片（含溫穩時間）

·最大負載 1~5kg

·支持多芯片并行測試（如MCM封裝）

·溫變速率 ≥10°C/分鐘

（3）SOC晶圓測試機臺

通道數不低于48路；,每通道電壓范圍不低于0~7V；

每通道電流范圍：-200mA~1A，可并聯使用，并聯電流能力不低于4A；整板電流不小于48A,電壓最小測量精度不低于±10mV；

·128個數字引腳 /每卡

·單端驅動，單端/差分接收

·每個引腳基礎速率100Mbps,  配置16MVec存儲空間

·通用存儲器

·每個引腳一個時鐘域

·每個引腳時序發生器基礎速率 400MHz

·邊沿分辨率 1pS，±100pS  EPA

·最大負載電流≤25 mA3

·每張板卡集成32個instrument

·64 雙向模擬pogo 端口，每端口配置PMU.

·高精度(HR) & 高速（HS）單元

·所有instruments 可以由HW處理器控制，并行獨立地運行

·使用內部觸發 & 同步

·每個instrument 集成單獨的采樣時鐘

·無需專門的校準設備（僅IQ 校準需專門的校準板）

·可以使用內置 2:1多路器引出AWG 或 DGT , 如果它們單獨被使用

（4）探針臺

支持半自動控制：（可手動測試，可自動測試）

?Chuck 每一個軸均帶0.1微米線性光柵尺

?Chuck X-Y-Z 三軸行程分別為350mm*365mm*20mm

?Chuck最高移動速度:X,Y軸>70mm/S，Z軸> 20mm/S

?Chuck X,Y,Z向運動解析度：最小為0.1微米

?Chuck往返重復精度:+-1μm

?Chuck 絕對定位精度:+-2μm

?Chuck角度旋轉范圍+-10°

?Chuck角度旋轉精度：0.0001°

?Chuck Theta往返重復精度:0.0005°

?Chuck Theta 絕對精度:0.001°

?溫度范圍 -55°C ~ +220°C ,測試溫度精度1.5℃

序號

設備名稱

規格型號

1

超景深顯微鏡

（1）顯微鏡變焦頭部：標準型電動變焦頭部；

（2）光學系統：遠心光學系統，確保準確度和重復性；

（3）綜合放大倍數：約 20X-2900X 倍（需結合實際使用的顯示器尺寸）；

※（4）物鏡鏡頭：

a. 1X 倍：工作距離 51.7mm，數值孔徑 0.03；

b. 5X 倍: 工作距離 12mm，數值孔徑 0.15；

c. 20X 倍: 工作距離 12mm，數值孔徑 0.4；

（5）LED 壽命：60,000 小時（設計值）；

（6）聚焦行程：101mm 電動；

（7）機架：傾斜型，傾斜角度: ±90°；

（8）CCD 相機：DP75（內置），像素 1237 萬，最大幀率 60fps；

（9）觀察方式 5 種：明場，暗場，偏光（DSX10-SXLOB1 物鏡不支持偏光觀察），

混合，偏斜式；

（10）載物臺：電動，可旋轉，行程 100*100mm；

（12）最大承重：5KG；

（13）功耗：100–120V / 220–240 V, 1.1/0.54 A, 50 Hz/60 Hz

2

半導體曲線圖示儀

1、電壓測量范圍 ±200 V

2、電流測量范圍 0.1 fA 至 1 A（需根據模塊選擇）

3、電容測量范圍 1 fF 至 10 μF

4、脈沖發生器 輸出電壓：±40 V；脈沖寬度：10 ns 至 100 μs

5、測量速度 最高 1000 點/秒（掃描模式下）

6、接口 GPIB、USB 2.0、LAN、觸發 I/O

3

3D X射線透射儀

射線管

※射線管類型：密閉式透射管，免維護保養、無需更換燈絲

※特征分辨率：0.3μm

最大功率：20瓦

電壓：30-160千伏

探測器

探測器類型：CMOS平板探測器

分辨率：330萬像素

幀率：25Fps

像素點間距：70μm

數字圖像處理：16 bit

斜視角度：最大70°

減振系統：主動氣浮減振

※最大檢查區：510*445mm

※最大樣本尺寸：736*580mm

最大幾何放大倍率：2500倍

最大綜合放大倍率：45000倍

最大樣品重量標準鋁托盤：5kg

顯示器：38英寸曲面屏顯示器，分辨率3840*1600

控制方式：鼠標鍵盤

軟件功能：

可針對圖像進行分析，對半導體片式器件、IC、QFP、SOP、SOT、QFN、BGA、直插器件，探針形貌等進行質量檢測或拍照；

可針對規則BGA產品進行編程，并自動計算氣泡；

可針對錫球的短路，偏移，錫量過多/過少、錫球變形/缺失，明顯空焊等缺陷進行快速定位；

可針對2D空焊分析、通孔插件、灌錫測量、錫球/芯片氣泡測量功能；

可進行注解功能，可在圖片上圈定，文字注解，編輯并存儲；

可編程完成全自動檢測并可保存及打印結果，可與其他計算機進行數據交換。

外殼全封閉式鉛屏蔽安全系統：X射線輻射泄漏量遠小于1uSv/hr，符合所有國際標準。

4

集成電路靜電放電評估系統

1、測試設備多達 768 針;系統配置為 128、256、384、512 或 768 通道

2、8 位點 HBM 脈沖源，100pF/1500Ω

3、人體模式：100pF/1500Ω 網絡，符合 ESDA、ESDA/JEDEC JS-001、MIL-STD 883 和 AEC Q100-002 規范，30V 至 8kV

4、機器模式：200pF/0Ω 網絡，符合 ESDA STM5.2、JEDEC JESD22-A115 和 AEC Q100-003,30V 至 1000V集成脈沖源允許快速執行多站點測試

5、符合 JEDEC JESD78 和 AEC Q100-004

6、允許用戶單獨定義每個引腳的 V/I 電平、一致性范圍和曲線走線參數

7、預應力、預失效 （ESD） 和失效后數據，以及全曲線跡線和特定數據點測量。可以導出數據以進行統計評估和呈現

8、工作溫度：+19°C至+22°C，非工作溫度 ：10°C至+60°C ，濕度范圍 ：30-60%

9、電源：90-250 V, 10A, 50/60 Hz

5

集成電路開封系統

激光開蓋機

1、激光功率：10W

2、激光重復頻率：≥500KHZ

3、激光波長：1064nm

4、掃描范圍：≥110 x 110mm

5、最小線寬：0.1mm

6、掃描速度：≤12000mm/s

7、掃描深度：最大功率＞1mm，最小功率＜0.05nm

8、重復精度：0.01mm

9、電力需求：220v（±10%）/50Hz/15A

10、冷卻方式：風冷

研磨機

1、轉速自由調節50-1500

2、雙盤雙控,無級變速

3、雙冷卻潤滑系統"

化學槽

6

微光顯微鏡

主機性能

1、適用范圍：適用于芯片級別的分析；200mm或者300mm尺寸晶圓、切割后的芯片、封裝后的芯片、帶硅襯底的芯片

2、相機接口：可接單相機或者雙相機

3、鏡頭轉輪：5孔全自動透鏡轉輪，由軟件直接選擇將使用的照相機

4、最小步進精度：X軸：0.1um，Y軸：0.1um，Z軸：0.1um

5、重復精度：X軸：±1um，Y軸：±1um，Z軸：±1um

6、光學系統移動范圍：X軸：±20mm，Y軸：±20mm，Z軸：80mm

7、減震裝置：空氣氣墊浮臺

8、光學系統支持最多5種光源配置，可以擴展1300nm/1100nm/900nm/532nm/Laser marker

9、具備探針觀察相機，可實現觸摸或者軟件觀察探針放置狀態

10、實驗室環境條件改造要求

工作溫度：15℃-25℃

工作濕度：35%~60%

壓縮空氣要求壓力：0.5MPa-0.7MPa

儀器運行持久性：儀器可連續使用

潔凈度：十萬級及以上

7

雙束電子顯微鏡

電子光學：

? 電子束減速，樣品臺偏壓 0 V 到 -4 kV

? 電子源壽命至少 12 個月

※電子束分辨率

? 在最佳工作距離下：

– 30 kV 下STEM 0.6 nm

– 15 kV 下 0.6 nm

– 1 kV 下 1.0 nm

– 1 kV 下 0.9 nm (電子束減速模式)

? 在束重合點：

– 15 kV 下 0.6 nm

– 1 kV 下 1.5 nm

※電子束參數

? 電子束流范圍：0.8 pA - 176 nA

? 加速電壓范圍：200 V - 30 kV

? 著陸能量范圍： 20 eV  - 30 keV

? 最大水平視場寬度：4 mm 工作距離下為 2.3 mm

離子光學

Tomahawk HT 離子鏡筒，卓越的大束流性能

? 離子束流范圍：1 pA – 100 nA

? 加速電壓范圍：500 V - 30 kV

? 兩級差分抽吸

? 飛行時間（TOF）校準

? 15 孔光闌

? 最大水平視場寬度：在束重合點處為 0.9 mm

? 離子源壽命至少 1,000 小時

離子束分辨率（在重合點處）

– 30 kV下 4.0 nm（采用首選統計方法）

– 30 kV下 2.5 nm（采用選邊法）

8

鎖相紅外熱成像系統

主機部分 ：

（1）適用范圍：適用于芯片級別的分析；200mm或者300mm尺寸晶圓

               切割后的芯片

               封裝后的芯片

               帶硅襯底的芯片

（2）相機接口：可接單相機或者雙相機

（3）鏡頭轉輪：5孔全自動透鏡轉輪，由軟件直接選擇將使用的照相機

（4）最小步進精度：X軸：0.1um，Y軸：0.1um，Z軸：0.1um        

（5）重復精度：X軸：±1um，Y軸：±1um，Z軸：±1um

（6）光學系統移動范圍：X軸：±20mm，Y軸：±20mm，Z軸：80mm

（7）減震裝置：空氣氣墊浮臺

（8）光學系統支持5種光源配置，可以擴展1300nm/1100nm/900nm/532nm/Laser mark  

（9）具備探針觀察相機，可實現觸摸或者軟件觀察探針放置狀態

9

場發射透射電子顯微鏡

加速電壓: 200 kV；點分辨率:0.25 nm；信息分辨率: 0.12 nm
STEM HAADF分辨率: 0.16 nm；能譜能量分辨率：136 ev；元素檢測范圍：B～U元素

10

PIND測試系統

振幅：5.0至25.0’G’峰值，Windows視窗顯示
振幅程序分辨率：0.1’G’振幅：200至3000’G’軟件編程
重復性：50’G’內電源：220V
功耗：最大600瓦

11

氦質譜檢漏儀

氦氣最小泄漏檢測率（真空法） mbar?L/s < 5·10-12
氦氣最小檢測泄漏率（嗅探模式） mbar?L/s < 5·10-8
最大。入口壓力 GROSS 模式 mbar 15
最大入口壓力 FINE（精細）模式 mbar 2
最大入口壓力 ULTRA 模式 mbar 0.4