“高密度存儲與磁電子材料關鍵技術”取得突破

　　阻變存儲器、相變存儲器、磁存儲器、高靈敏度磁傳感器和隔離耦合器件等是具有良好應用前景的新型存儲和磁電子技術，在移動通信、個人電腦、數碼相機、電子標簽等領域具有廣闊的市場價值。“十二五”期間，863計劃新材料技術領域支持了 “高密度存儲與磁電子材料關鍵技術”主題項目。近日，科技部高新司在北京組織專家對該主題項目進行了驗收。

　　 該項目開展了與CMOS工藝兼容的阻變與電極材料組合體系研究，研發的TaOx阻變存儲器；芯片制造基于中芯國際集成電路制造有限公司8英寸0.13?m標準邏輯生產工藝線，芯片級讀取時間達到十納秒級，寫操作電壓滿足0.13?m或0.11?m技術代標準邏輯工藝IO承受電壓；研發了低熱導率的新型超晶格相變材料，研發了非對稱環狀微電極結構相變存儲器單元，制備出了相變存儲器陣列；開展了磁性隧道結等磁電子材料研究，制備了基于磁遂道結的磁傳感器原型器件，完成了基于磁電子材料的具有非易失性鎖存功能的雙芯和三芯兩種單通道數據隔離耦合接口芯片。該項目的實施突破了先進的高密度存儲與磁電子材料器件的關鍵技術，培養了高水平信息存儲與磁電子器件研發隊伍，對于我國新型電子材料技術與信息產業的發展具有支撐作用。

　　 “十三五”期間，為進一步推動我國材料領域科技創新和產業化發展，科技部制定了《“十三五”材料領域科技創新專項規劃》，并將“戰略性先進電子材料”列為發展重點之一，重點圍繞第三代半導體和微電子材料的研發，著力解決半導體及微電子產業面臨的重大共性問題，在核心半導體材料的設計、生產工藝流程的優化以及關鍵技術的開發等方面形成突破，力爭推動跨界技術整合，搶占先進電子材料技術的制高點。