高能同步輻射光源加速器調束進入快行道

　　從中國科學院高能物理研究所獲悉，8月18日，高能同步輻射光源（HEPS）儲存環流強達到12毫安。這是HEPS建設的又一重要里程碑，標志著HEPS加速器調束進入了快行道。

　　HEPS是我國乃至亞洲首臺第四代同步輻射光源，也是全球首批10皮米弧度量級自然發射度的光源之一。其核心是一臺具有極低發射度的全新儲存環加速器，物理設計極具挑戰性。

　　“為了實現國際一流的加速器及光源整體性能，磁鐵、電源、真空、注入、機械、準直、高頻、束測、控制、定時、插入件等硬件指標要達到第四代光源的高標準和高要求。”HEPS工程總指揮、中國科學院高能物理研究所研究員潘衛民介紹說，“調束初期，儲存環就有1776塊磁鐵、2500余臺電源、578個電子束流位置探測器、1360米真空室、3個高頻腔、2臺脈沖沖擊器和切割磁鐵，控制信號超過10萬路。任何一個微小的硬件錯誤，例如一個硬阻攔或設備安裝錯位，都會影響電子束的軌跡。另外，HEPS與眾不同，它有注入和引出兩塊切割磁鐵，垂直物理孔徑僅兩三毫米，對調束來說，無疑是一個巨大挑戰。”

　　經過5年建設，7月1日，HEPS儲存環完成全部設備研制和安裝，并啟動多系統聯合調試，隨后加速器物理與各硬件系統交叉協作，完成磁鐵極性測試、硬件遠控測試、調束軟件-硬件測試等加速器聯合調試。此外，為了應對超低發射度儲存環首圈調束可能面臨的各種挑戰，加速器物理與束測系統基于增強器開展了大量束流實驗，為儲存環調束監測手段做了充分準備。

　　“HEPS調束團隊在很短的時間內就取得了很好的調束成果，可以說幾乎沒有走一點彎路，表現出色。”中國工程院院士、HEPS科學技術委員會主任、儲存環調束總顧問陳森玉說。下一步，HEPS調束團隊將提升和優化電子束流流強、壽命等參數，力爭盡早為光束線站供光。