碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管
據美國威斯康星大學麥迪遜分校官網近日報道，該校材料學家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發展的重大里程碑，將引領碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導體電子器件等技術領域大展宏圖。 碳納米管管壁只有一個原子厚，是最好的導電材料之一，因而被認為是最有前景的下一代晶體管材料。碳納米管的超小空間使得它能夠快速改變流經它的電流方向，因此能達到5倍于硅晶體管的速度或能耗只有硅晶體管的1/5。由于一些關鍵技術挑戰無法攻克，碳納米晶體管的性能表現遠遠落后于硅晶體管和砷化鎵晶體管，無法在計算機芯片和個人電子產品中得到運用。 而最新的碳納米晶體管獲得的電流是硅晶體管的1.9倍，性能首次超越目前技術水平最高的硅晶體管。材料工程學教授邁克·阿諾德和帕德瑪·高帕蘭領導的研究團隊在《科學進展》上發表的最新研究論文介紹。 碳納米管內往往會混雜一些金屬納米管，這些金屬納米管會造成電子裝置......閱讀全文
碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管
據美國威斯康星大學麥迪遜分校官網近日報道，該校材料學家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發展的重大里程碑，將引領碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導體電子器件等技術領域大展宏圖。 碳納米管管壁只有一個原子厚，是最好的導電材料之一，
全球最小晶體管拋棄硅材料
北京時間10月7日晚間消息，美國勞倫斯伯克力國家實驗室(以下簡稱“伯克力實驗室”)教授阿里-加維(Ali Javey)領導的一個研究小組日前利用碳納米管和一種稱為二硫化鉬的化合物開發出了全球最小的晶體管。 晶體管由三個終端組成：源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。電流從
全碳運算元件有望取代硅晶體管
據物理學家組織網近日報道，美國科學家提出一種完全用碳制成運算元件的設計方案。他們表示，這一元件未來能被制造得比硅晶體管更小，且性能更好，有望替代硅晶體管，大大提升計算機的運算速度。研究發表在最新一期的《自然·通訊》雜志上。 現有電子設備離不開晶體管，這種微小的硅結構器件類似開關，能打開和關閉電
硅納米晶體管展現出強量子限制效應
據美國物理學家組織網3月21日報道，美國得克薩斯大學的一個研究小組用非常細的納米線制造出一種晶體管，表現出明顯的量子限制效應，納米線的直徑越小，電流越強。該技術有望在生物感測、集成電路縮微制造方面發揮重要作用。相關研究發表在最近出版的《納米快報》上。 實驗中，他們用平版
納米紙有機晶體管問世
近日，同濟大學材料科學與工程學院教授黃佳、美國馬里蘭大學材料科學與工程系教授Hu Liangbing等共同完成的研究論文《全透明可彎曲納米紙晶體管》，在線發表于納米科學技術領域權威期刊ACS Nano。 “透明化、可彎曲是電子產品未來發展的兩個重要方向。這一成果最大的創新點，是將全透明
納米紙有機晶體管問世
近日，同濟大學材料科學與工程學院教授黃佳、美國馬里蘭大學材料科學與工程系教授Hu Liangbing等共同完成的研究論文《全透明可彎曲納米紙晶體管》，在線發表于納米科學技術領域權威期刊ACS Nano。 “透明化、可彎曲是電子產品未來發展的兩個重要方向。這一成果最大的創新點，
納米線晶體管能自我修復
據美國電氣與電子工程師協會《光譜》雜志網站11日報道，美國國家航空航天局（NASA）與韓國科學技術研究院（KAIST）合作，研制出了一款能自我修復的晶體管。研究人員表示，最新自我修復技術有助于研制單芯片飛船，其能以五分之一光速飛行，在20年內抵達距太陽系最近的恒星“比鄰星”。 今年4月12日
超越硅極限二維晶體管誕生
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/497868.shtm“在彈道輸運晶體管中，電子像子彈一樣穿過溝道沒有受到碰撞，能量沒有被散射損失掉，所以彈道率越高的器件，能量利用效率更高。”近日，北京大學電子學院研究員邱晨光向《中國科學報》解釋。隨著硅
石墨烯“表親”硅烯晶體管首秀
2月初，研究者揭示了第一塊硅烯晶體管的相關細節，如果這種硅薄層結構能應用于電子設備的制造，可能會推動半導體工業實現終極的微型化。 七年前，硅烯還只是理論家的一個夢。在對石墨烯（單原子層厚度、蜂巢狀的碳材料）的狂熱興趣的驅動下，研究者推測硅原子也許也能形成類似的層狀結構。而如果這種硅薄層結構能應
可生物降解的柔性硅晶體管
2015年6月30日華盛頓--當今，隨著新科技不斷為人們帶來的越來越多的便利，便攜式電子產品的用戶日益頻繁地更新他們的電子用品。2012年美國環境保護局（the U.S. Environmental Protection Agency）的一篇報告表明每年約有一億五千萬移動電子產品被丟棄，其中只有
5nm是物理極限－芯片發展將就此結束？（一）
摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而事情的發展總歸會有一個權限，5nm則是硅芯片工藝的極限所在，事實上，隨著10nm、7nm芯片研發消息不斷報出，人們也開始擔心硅芯片極限的逐漸逼近，會不會意味著摩爾定律最終失效，進而導致半導體行業停滯不前。
新方法“刻”出最快柔性硅晶體管
美國威斯康星大學麥迪遜分校的科研團隊，在20日出版的《科學報告》雜志上撰文稱，他們使用一種獨特方法，研制出了處理速度最快的柔性硅基晶體管，能無線傳輸數據和能量，有望用在包括可穿戴電子設備和傳感器等在內的諸多領域。 目前這一柔性硅晶體管的截止頻率為創紀錄的38吉赫茲（GHz），而模擬表明，其最
新方法“刻”出最快柔性硅晶體管
美國威斯康星大學麥迪遜分校的科研團隊，在4月20日出版的《科學報告》雜志上撰文稱，他們使用一種獨特方法，研制出了處理速度最快的柔性硅基晶體管，能無線傳輸數據和能量，有望用在包括可穿戴電子設備和傳感器等在內的諸多領域。 目前這一柔性硅晶體管的截止頻率為創紀錄的38吉赫茲（GHz），而模擬表明，其
柵極長度僅一納米的晶體管問世
在7日出版的《科學》雜志上，一美國研究小組發表論文稱，他們利用碳納米管和二硫化鉬（MoS2），成功制出目前世界最小晶體管，其柵極長度僅有1納米，這一僅是人類發絲直徑五萬分之一的尺度，遠低于硅基晶體管柵極長度最小5納米的理論極值。 制出更小的晶體管，是半導體行業一直努力的方向，柵極長度則被認為
首個10納米以下碳納米管晶體管問世
據美國物理學家組織網2月2日(北京時間)報道，來自IBM、蘇黎世理工學院和美國普渡大學的工程師近日表示，他們構建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管，而這種尺寸正是未來十年計算技術所需的。這種微型晶體管能有效控制電流，在極低的工作電壓下，仍能保持出眾的電流密度，甚至可超過同尺
我國率先制備出5納米柵長碳納米管
美國《科學》雜志21日刊登了北京大學信息科學技術學院彭練矛和張志勇課題組在碳納米管電子學領域取得的世界級突破：首次制備出5納米柵長的高性能碳納米晶體管，并證明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS（互補金屬—氧化物—半導體）場效應晶體管，將晶體管性能推至理論極限。 因主流硅基CMOS技術面臨尺寸縮減
新型生物納米電子晶體管構建成功
據美國物理學家組織網5月13日報道，美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室的科學家建造了可由三磷酸腺苷（ATP）驅動和控制的生物納米電子混合晶體管。他們稱，新型晶體管是首個整合的生物電子系統，其將為義肢等電子修復設備與人體的融合提供重要途徑。相關研究發布在近期出版的《納米快報》（
石墨烯納米晶體管研制取得進展
據瑞士聯邦材料研究所（EMPA）消息，該所與德國馬普學會高分子研究所、美國加州大學伯克利分校合作開展的納米晶體管研制取得重要進展，使用石墨烯納米帶制成的核心結構大幅度提升了納米晶體管的性能和成品率，為納米半導體器件進入實用階段創造了條件。 石墨烯材料制成的石墨烯納米帶可展示優良的半導體性能
超越硅基極限的二維晶體管問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/515818.shtm 稀土元素釔誘導相變歐姆接觸理論和原子級可控精準摻雜技術（北京大學供圖）芯片是信息世界的基礎核心，傳統晶體管因接近物理極限而制約了芯片的進一步發展。原子級厚度的二維半導體理論上
認識晶體管
晶體管原理及應用晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關．基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關。和一般
以色列研究：芯片中的硅或可被新材料取代
以色列理工學院近日發布公報說，該院人員領銜的一項新研究開發出了一種新材料，將來有可能取代芯片中的硅。 一個芯片可能包含數十億個晶體管，芯片性能的提升基于晶體管的不斷小型化。近年來硅晶體管的小型化速度已放緩，因為到達一定微小尺度后，晶體管功能會受到量子力學某些效應的干擾，從而影響正常運行。 這
碳納米管將取代硅成為處理器芯片材料
至少過去的五十年時間我們全部的計算機、游戲機、智能手機、汽車、媒體播放器甚至是鬧鐘的處理器核心都是由硅組成的。但是科學家和研究人員現在認為硅晶體處理器即將達到它們的極限。IBM公司的科學家們似乎已經找到了一種真實的方式拋開硅晶體而轉向碳納米管。 碳納米管未來將取代硅成為處理
廣東開發出高性能銅銦硒納米材料及薄膜晶體管
相關研究以封面文章的形式發表于Chemistry of Materials 近日，廣東省科學院半導體所新型顯示團隊開發出高性能環境友好型銅銦硒納米材料并成功應用于薄膜電子器件。相關研究以封面文章的形式發表于Chemistry of Materials。廣東省科學院半導體所龐超博士為該論
廣東開發出高性能銅銦硒納米材料及薄膜晶體管
相關研究以封面文章的形式發表于Chemistry of Materials 近日，廣東省科學院半導體所新型顯示團隊開發出高性能環境友好型銅銦硒納米材料并成功應用于薄膜電子器件。相關研究以封面文章的形式發表于Chemistry of Materials。廣東省科學院半導體所龐超博士為該論文第一作者，
工業硅片上長出“完美”二維超薄材料
據發表在最新一期《自然》雜志上的論文，美國麻省理工學院工程師開發出一種“非外延單晶生長”方法，在工業硅晶圓上生長出純凈的、無缺陷的二維材料，以制造越來越小的晶體管。 根據摩爾定律，自20世紀60年代以來，微芯片上的晶體管數量每年都會翻一番。但這一趨勢預計很快就會趨于平緩，因為用硅制成的器件一旦
美國要靠石墨烯3D芯片“再次偉大”，能成嗎？
自從特朗普把“美國優先”樹立為美國政府制定政策的標準以來，美國的各個產業部門都應景地涌現出“使美國再次偉大”的方案和計劃來，其中自然少不了電子行業。美國國防高級研究計劃局(DARPA)作為美國軍用技術研究主要管理部門適時地啟動了電子復興計劃。 該計劃旨在團結美國的產業界和學術界，以重振美國略顯
美研制出新型“4維”晶體管
據物理學家組織網12月6日(北京時間)報道，美國普渡大學和哈佛大學的研究人員推出了一項極為應景的新發明：一種外形如同一顆圣誕樹一樣的新型晶體管，其重要組件“門”(柵極)的長度縮減到了突破性的20納米。這個被稱為“4維”晶體管的新事物預告了引領半導體工業和未來計算機領域發展的潮流。該研究成果將于1
IBM新型碳納米管芯片：單芯片上制造上萬晶體管
??????? 美國IBM公司使用標準的主流半導體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確放置在了一顆芯片內，并且通過了測試。多年來，我們的芯片都根據摩爾定律發展：從以前的微米單位到現在的納米單位，從以往的90納
新型納米晶體管可直接探測細胞內部
據美國物理學家組織網、英國《自然》雜志網站8月12日報道，美國哈佛大學化學家和工程師共同制造了一種最新的V形納米晶體管，外膜覆有一層磷脂雙分子層，能非常容易地進入細胞內部進行檢測，而不會對細胞造成任何可見傷害。 這種新設備稱為納米級場效應傳感器或納米FETs，在本周出版的《
首塊納米晶體“墨水”制成的晶體管問世
晶體管是電子設備的基本元件，但其構造過程非常復雜，需要高溫且高度真空的條件。美韓科學家在《科學》雜志上報告了一種新型制造方法，將液體納米晶體“墨水”按順序放置。他們稱，這種效應晶體管或可用3D打印技術制造出來，有望用于物聯網、柔性電子和可穿戴設備的研制。 據賓夕法尼亞大學官網消息，研究人員在