FeSe單晶的高壓霍爾效應研究獲進展
費米面拓撲結構及其與磁性的相互關聯，被認為是理解鐵基高溫超導機理的關鍵。大多數FeAs基高溫超導體的能帶結構包含位于布里淵區中心的空穴型費米面和位于布里淵區頂角的電子型費米面，因此，空穴和電子費米面之間的散射被普遍認為是鐵基超導電子配對的重要機制。但是，在FeSe基高溫超體系中，包括AxFe2-ySe2 (A=K,Cs,Rb,Tl)、(Li1-xFex)OHFeSe、單層FeSe/SrTiO3薄膜等只有電子型費米面，沒有空穴型費米面，這使得費米面嵌套機制不再適用。FeAs基和FeSe基高溫超導體系不同的費米面拓撲結構，是對統一理論框架下理解鐵基高溫超導機制很大的挑戰。 不同于堿金屬插層或者生長單層膜等對FeSe進行電子摻雜的手段，施加物理高壓原則上沒有引入額外的電荷載流子，但是也可以實現接近40K的高溫超導電性。最近，中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室（籌）極端條件物理實驗室EX6組研究員程金光與研究生孫建平、......閱讀全文
FeSe單晶的高壓霍爾效應研究獲進展
費米面拓撲結構及其與磁性的相互關聯，被認為是理解鐵基高溫超導機理的關鍵。大多數FeAs基高溫超導體的能帶結構包含位于布里淵區中心的空穴型費米面和位于布里淵區頂角的電子型費米面，因此，空穴和電子費米面之間的散射被普遍認為是鐵基超導電子配對的重要機制。但是，在FeSe基高溫超體系中，包括AxFe2-
FeSe單晶的高壓霍爾效應研究獲進展
費米面拓撲結構及其與磁性的相互關聯，被認為是理解鐵基高溫超導機理的關鍵。大多數FeAs基高溫超導體的能帶結構包含位于布里淵區中心的空穴型費米面和位于布里淵區頂角的電子型費米面，因此，空穴和電子費米面之間的散射被普遍認為是鐵基超導電子配對的重要機制。但是，在FeSe基高溫超體系中，包括AxFe2-
物理所等在空穴摻雜FeSe基超導體研究中取得進展
鐵基超導體是一類重要的非常規高溫超導體，目前主要由鐵砷、鐵硒兩大類超導材料構成。二元鐵硒是結構最為簡單的鐵基超導體，其超導轉變溫度Tc= 8K，最早由吳茂昆小組發現。對于鐵基等非常規超導體，為了優化超導電性，通常需要向材料中引入適量的載流子。因此，可根據引入載流子的類型，將其分為電子或空穴型超導
物理所等在空穴摻雜FeSe基超導體研究中取得進展
鐵基超導體是一類重要的非常規高溫超導體，目前主要由鐵砷、鐵硒兩大類超導材料構成。二元鐵硒是結構最為簡單的鐵基超導體，其超導轉變溫度Tc= 8K，最早由吳茂昆小組發現。對于鐵基等非常規超導體，為了優化超導電性，通常需要向材料中引入適量的載流子。因此，可根據引入載流子的類型，將其分為電子或空穴型超導
物理所等揭示磁有序與超導的競爭關系
鐵基高溫超導體的母體化合物中，隨著溫度降低往往會發生四方-正交結構相變，造成旋轉對稱性的破缺(C4→C2)，形成電子向列序(nematic order)，而且在向列序發生的同時或者稍低溫度會進一步出現長程反鐵磁序。通過化學摻雜或者施加壓力等調控手段將磁有序和向列序抑制掉會誘導高溫超導電性。因此，
物理所合作在鐵基高溫超導體系研究中取得進展
鐵基超導家族中的兩個亞族，分別以結構類似的 FeSe4 和 FeAs4 四面體層作為各自的超導基元。然而典型的 FeSe 基超導體 AyFe2-xSe2（A=堿金屬離子）母體相和正常態的實驗表現，卻與 FeAs 基體系迥異，導致質疑這兩大鐵基體系的高溫超導電性是否有共同物理起源。澄清這一問題對探
碲化鋯塊體單晶體材料中首次觀測到三維量子霍爾效應
從20世紀80年代初在二維電子體系中被發現至今，量子霍爾效應作為超導之外的另一個著名宏觀量子現象在凝聚態物理中催生出了一個越趨活躍的研究領域。其內在本質，是將數學中的拓撲概念引入物理，超越了Landau根據對稱性破缺理論對物質分類的傳統標準，為近年的拓撲物態與拓撲材料的快速發展奠定了基礎。 量
《科學》首次發表中國科學家在鐵基超導體領域研究成果
最近，《科學》發表了中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室（籌）表面物理實驗室馬旭村研究組與清華大學物理系薛其坤研究組合作，在鐵基超導體FeSe電子配對對稱性研究中取得的新進展。這是我國科學家首次在Science雜志上刊登該領域的研究成果。 ? 鐵基超導體是繼銅氧化合物高
中子散射技術確定鐵硒超導體磁基態
復旦大學物理系趙俊課題組利用中子散射技術在鐵硒（FeSe）超導體中首次觀測到了一種新奇的自旋為1的向列性量子無序順磁態，這一磁基態的發現對理解FeSe類高溫超導機理提供了新的角度，相關研究成果7月19日發表于《自然—通訊》。 超導電性是指在某一溫度之下材料的電阻完全消失的現象。高溫超導電性往往
物理所FeSe超導薄膜研究獲新成果
孿晶界作為一種晶體缺陷，對超導材料的性質以及技術應用如超導轉變寬度和臨界電流等有著重要的影響。在很多傳統超導體中，孿晶界附近的超導轉變溫度會略有提高。由于較短的相干長度和較強的各向異性使得缺陷對高溫超導體的超導性質的影響很大，如YBCO的孿晶界能夠釘扎磁通，由此使臨界電流提高。對鐵基超導材料而言
OHFe0.98Se準粒子超快動力學和電聲子耦合研究的新進展
鐵基超導機理至今沒有統一的物理圖像，例如FeSe基和FeAs基體材料以及FeSe單層膜的超導電性如何統一理解仍在研究中。非常規高溫超導電子配對機制這一物理問題尚無共識。 中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家研究中心研究員趙繼民指導博士生吳穹等，采用超快光譜方法研究FeSe基高溫超導單晶(L
Nature：研發獲得具有高壓電性能的透明鐵電單晶
鐵電材料是一種能夠實現電-聲信號轉換的智能材料，廣泛應用于超聲、水聲、電子、自控、機械等諸多領域。然而，由于鐵電體存在大量的疇壁和晶界，傳統的高性能壓電材料，如：Pb(Zr,Ti)O3（PZT）陶瓷和工程疇結構的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 （PMN-PT）單晶材料，通常在可見
霍爾流量計
霍爾流量計，一種基于位移傳感的霍爾流量計。葉輪在流體推動下旋轉，帶動螺桿旋轉，使磁系統產生上下移動。流速高則位移量大。用霍爾器件檢出位移而獲得流速和流量。介紹了一種基于霍爾傳感器的金屬管轉子流量計,著重介紹了設計方法、利用霍爾傳感器對浮子位移進行檢測的基本原理以及霍爾傳感器輸出信號處理系統的基本構成
大化所鈣鈦礦單晶中光生載流子擴散動力學研究進展
近日，大連化物所超快時間分辨光譜與動力學創新特區研究組（11T5組）金盛燁研究員領導的科研團隊在金屬有機鈣鈦礦（organolead halide perovskite）單晶光生載流子擴散動力學研究工作中取得新進展，成功實現了對單個鈣鈦礦單晶納米線/納米片中載流子擴散過程的可視化和定量研究。相關
新研究揭示鐵基超導與奇異金屬態間量化規律
高溫超導微觀機理是凝聚態物理最具挑戰的科學難題之一。當高溫超導電性被外場破壞后，其正常態電阻率會展現出隨溫度線性變化（從高溫延伸至接近絕對零度）的“奇異金屬”行為。十年前，研究人員發現奇異金屬正常態與高溫超導之間存在著密切聯系，探究兩者間量化物理規律是揭示高溫超導微觀機理的重要路徑。然而高溫超導
單晶X射線衍射的單晶衍射儀法
此法用射線計數儀直接記錄射線的強度。單晶衍射儀有線性衍射儀、四圓衍射儀和韋森堡衍射儀等，其中以四圓衍射儀(圖4)，(見彩圖)最為通用。所謂四圓是指晶體和計數器藉以調節方位的四個圓，分別稱為φ圓、圓、w圓和2θ圓。φ圓是安裝晶體的測角頭轉動的圓；圓是支撐測角頭的垂直圓，測角頭可在此圓上運動；w圓是使圓
單晶X射線衍射的單晶衍射儀法
此法用射線計數儀直接記錄射線的強度。單晶衍射儀有線性衍射儀、四圓衍射儀和韋森堡衍射儀等，其中以四圓衍射儀(圖4)，(見彩圖)最為通用。所謂四圓是指晶體和計數器藉以調節方位的四個圓，分別稱為φ圓、圓、w圓和2θ圓。φ圓是安裝晶體的測角頭轉動的圓；圓是支撐測角頭的垂直圓，測角頭可在此圓上運動；w圓是使圓
霍爾元件的工作原理
所謂霍爾效應，是指磁場作用于載流金屬導體、半導體中的載流子時，產生橫向電位差的物理現象。金屬的霍爾效應是1879年被美國物理學家霍爾發現的。當電流通過金屬箔片時，若在垂直于電流的方向施加磁場，則金屬箔片兩側面會出現橫向電位差。半導體中的霍爾效應比金屬箔片中更為明顯，而鐵磁金屬在居里溫度以下將呈現
霍爾流量計簡介
霍爾流量計，一種基于位移傳感的霍爾流量計。葉輪在流體推動下旋轉，帶動螺桿旋轉，使磁系統產生上下移動。流速高則位移量大。用霍爾器件檢出位移而獲得流速和流量。 介紹了一種基于霍爾傳感器的金屬管轉子流量計,著重介紹了設計方法、利用霍爾傳感器對浮子位移進行檢測的基本原理以及霍爾傳感器輸出信號處理系統的
霍爾傳感器概述
概述 AIC是“特制集成電路”的英文縮寫，它是八十年代末迅速發展起來的一項高技術產品。從設計思想、研制手段，直到測試方法，使與傳統的通用集成電路有質的區別，是將超大規模集成電路(VLSI)的工藝技術、計算機輔助設計(CAD)、自動測試技術(ATE)三者結合的豐碩成果。應用在變送器上，即為變送器
室溫非線性霍爾效應
最新Nature Nanotechnology：室溫非線性霍爾效應 幾何相位和拓撲之間的緊密聯系使得基于霍爾效應的現象已成為現代材料和物理學的主要研究重點之一，這促使了人們對物質拓撲態的探索和許多相應實際應用的開發。在線性響應方式下，霍爾電導率需要通過磁化或外部磁場來打破時間反演對稱性。但最近
單晶硅的單晶硅制備與仿真
主要有兩種方法：直拉法（Cz法）、區熔法（FZ法）；1）直拉法其優點是晶體被拉出液面不與器壁接觸，不受容器限制，因此晶體中應力小，同時又能防止器壁沾污或接觸所可能引起的雜亂晶核而形成多晶。此法制成的單晶完整性好，直徑和長度都可以很大，生長速率也高。所用坩堝必須由不污染熔體的材料制成。因此，一些化學性
FESE－膜法脫鹽中無機垢的形成和控制
FESE 膜法脫鹽中無機垢的形成和控制論文標題：A tale of two minerals: contrasting behaviors and mitigation strategies of gypsum scaling and silica scaling in membrane desal
高壓誘導拓撲絕緣體碲化鉍超導性研究取得新進展
最近，中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室（籌）超導國家重點實驗室趙忠賢院士、孫力玲研究員及博士研究生張超等與周興江研究員及博士生陳朝宇合作，利用自主研制的先進的低溫－高壓－磁場綜合測量系統，對拓撲絕緣體Bi2Te3單晶進行了系統的研究。通過高壓原位磁阻和交流磁化率的雙重測
反常霍爾效應研究取得進展
反常霍爾效應是最基本的電子輸運性質之一。雖然反常霍爾效應早在1881年就被Edwin Hall發現，但其微觀機制的建立卻經歷了一百余年的漫長歷程。本世紀初，牛謙等人的理論工作揭示了反常霍爾效應的內稟機制與材料能帶結構的貝里曲率有關，并得到了廣泛的實驗支持，反常霍爾效應也因此成為當今凝聚態物理研究
霍爾效應測試儀簡介
霍爾效應測試儀，是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。 霍爾效應測試儀介紹 該儀器為性能穩定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體
霍爾傳感器工作原理
霍爾傳感器工作原理：一個霍爾元件一般有四個引出端子，其中兩根是霍爾元件的偏置電流?I?的輸入端，另兩根是霍爾電壓的輸出端。如果兩輸出端構成外回路，就會產生霍爾電流。一般地說，偏置電流的設定通常由外部的基準電壓源給出；若精度要求高，則基準電壓源均用恒流源取代。為了達到高的靈敏度，有的霍爾元件的傳感面上
單晶射線衍射儀
單晶射線衍射儀是一種用于化學領域的分析儀器，于2004年1月1日啟用。 技術指標 額定功率:50kv 40mA。CCD探測器：62mm 4K CCD芯片，Mo 光源增益>170電子/X光子； X-射線發生器：功率3kW，Mo靶陶瓷X射線光管； 三軸（ω,2θ,φ）測角儀:φ360o旋轉≤0.
CCD單晶衍射儀
CCD單晶衍射儀是一種用于物理學領域的分析儀器，于2017年1月5日啟用。 技術指標 1.EOSCCD探測器； 2.增強型Mo光源和增強型Cu光源； 3.4圓kappa測角儀。 主要功能 晶體結構或分子結構的常規測定（包括晶體的點陣常數，對稱性，分子的三維立體結構，鍵長、鍵角、構型、
光學單晶的種類
鹵化物單晶鹵化物單晶分為氟化物單晶，溴、氯、碘的化合物單晶，鉈的鹵化物單晶。氟化物單晶在紫外、可見和紅外波段光譜區均有較高的透過率、低折射率及低光反射系數；缺點是膨脹系數大、熱導率小、抗沖擊性能差。溴、氯、碘的化合物單晶能透過很寬的紅外波段，其熔點低，易于制成大尺寸單晶；缺點是易潮解、硬度低、力學性