多鐵性鐵酸鉍外延薄膜受極化調制的導電特性研究的進展
BiFeO3(BFO)作為室溫單相多鐵性材料，不但具有優越的鐵電特性，同時由于電、磁、應變之間的耦合作用，可以實現用電場控制磁化，是研究新型多態磁電存儲器的首選材料。最近有文獻報道了在BFO單晶中又觀察到了與鐵電極化相關的可反轉的二極管整流特性。這種受鐵電極化調控的導電行為，不但增加了多鐵性BFO材料的多功能特性，也更加豐富了BFO的物理內涵，除了鐵電、鐵磁和鐵彈三個序參量之間的耦合，電輸運特性與三個參量之間也存在相互作用。 中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室(籌)光物理實驗室金奎娟研究組，在氧化物薄膜的激光法制備和物理研究方面取得了豐碩的成果。最近，王燦副研究員、金奎娟研究員、呂惠賓研究員及楊國楨院士等人利用激光分子束外延設備，成功地制備了具有優越鐵電性的BFO外延薄膜，并首次在BFO外延薄膜中觀察到了可反轉二極管特性和相應的電致電阻效應。研究表明，BFO外延薄膜的可反轉二極管特性與鐵電極化相關，二極管的正向......閱讀全文
“超級光盤”存儲器問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517834.shtm上海理工大學光子芯片研究院顧敏院士、中國科學院上海光學精密機械研究所阮昊研究員、上海理工大學光電信息與計算機工程學院文靜教授等合作，在國際上首次利用雙光束調控聚集誘導發光超分辨光存儲技
阻變存儲器是什么？
伴隨著科學的發展和技術的進步，新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會，在今天，電阻存儲器的研究已經非常普遍，因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點，具體地說，首先它具有非常大的存儲密度，因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝，也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造，所以它具
阻變存儲器是什么？
伴隨著科學的發展和技術的進步，新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會，在今天，電阻存儲器的研究已經非常普遍，因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點，具體地說，首先它具有非常大的存儲密度，因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝，也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造，所以它具有非
半導體器件有哪些分類
現在被稱作半導體器件的種類如下所示。按照其制造技術可分為分立器件半導體、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、存儲器等大類，一般來說這些還會被再分成小類。此外，IC除了在制造技術上的分類以外，還有以應用領域、設計方法等進行分類，最近雖然不常用，但還有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類
激光讓玻璃變身新式存儲器
據英國《每日電訊報》8月15日（北京時間）報道，英國科學家首次研發出了玻璃存儲器。這種存儲器塊頭小，存儲能力強，而且，壽命長達幾千年，大型機構和公司的海量信息今后可以長時間安全存儲其中。相關研究發表在最新一期《應用物理學快報》雜志上。 英國南安普敦大學的科學家使用激光讓玻璃塊
自旋分子存儲器研究獲進展
經典的馮·諾依曼計算機架構中，數據存儲與處理分離。由于指令、數據在存儲器和處理器之間的高頻轉移，導致計算機發展的“存儲墻瓶頸”與“功耗墻瓶頸”。能否模仿人類的大腦，構建新型器件實現計算和存儲一體化，完成低功耗的復雜并行計算？ 理論提出的自旋場效應晶體管（自旋FET）同時具有實現數據存儲和處理的
耐600℃高溫存儲器問世
科技日報北京5月5日電?（記者劉霞）美國賓夕法尼亞大學科學家研制出一款可在600℃高溫下持續工作60小時的存儲器。這一耐受溫度是目前商用存儲設備的兩倍多，表明該存儲器具有極強的可靠性和穩定性，有望在可導致電子或存儲設備故障的極端環境下大顯身手，也為在惡劣條件下進行密集計算的人工智能系統奠定了基礎。相
細菌DNA序列可作信息“存儲器”
阿根廷科學家近日成功將該國國歌旋律以人工基因編碼形式植入某種細菌染色體中。這一方法不僅可以用來存儲音樂旋律，還可能發展為一種擁有巨大應用潛力的信息存儲方式。 據阿根廷媒體報道，主持研究的阿根廷信息生物學家費德里克·普拉達介紹說，生物的DNA(脫氧核糖核酸)由四種脫氧核苷酸組成，即腺嘌呤、胸
SOT型磁性存儲器研究領域
近日，中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術重點實驗室在SOT型磁性存儲器（MRAM）研究領域取得進展。 實現低功耗、高穩定的數據寫入操作是MRAM亟需解決的關鍵問題之一，其中，消除寫入電流的非對稱性對于實現寫入過程的穩定可控以及簡化供電電路設計十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
存儲器大突破，迄今密度最高！
機構預計今年上半年存儲周期觸底復蘇，行業存儲龍頭有望迎業績反轉。 迄今最高存儲密度器件面世 據科技日報，美國南加州大學電氣和計算機工程教授楊建華及合作者在最新一期《自然》雜志上刊發論文稱，他們已經為邊緣人工智能（便攜式設備內的人工智能）開發出了迄今存儲密度最高的新型器件和芯片，有望在便攜式設
什么二極管可以代替肖基特二極管
?????? 一、在滿足耐壓，整流電流，沒有特殊要求情況下可以使肖特基二極管與快速恢復二極管互換。 二、肖特基二極管的簡單介紹： 肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電
肖特基二極管和穩壓二極管有什么區別
肖特基二極管不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低（約
快恢復二極管與肖特基二極管有什么區別？
?? 肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導體器件，其特長是開關速度非常快，反向恢復時間可以小到幾個納秒，正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流的條件下工作，電腦主機電源的輸出整流二極管就采用了肖特基二極管。?? 肖特基二極管是以N型半導體為基片，在上
納米限制結構相變存儲器成功開發
近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究團隊基于12英寸集成工藝，開發出納米限制結構相變存儲器。該團隊通過優化器件集成工藝，在12英寸晶圓上制備出嵌入式納米加熱電極，實現了超過1.0×1011次的器件循環擦寫次數，較傳統器件結構提升了1000倍，刷新了蘑菇型結構相變存儲器的循環擦寫紀錄。科研人
儲存和存儲器的不同特性比較
目前最廣泛使用的數字儲存裝置是硬盤（HDD），但它受歡迎的程度正迅速下滑…數字數據儲存正歷經強大的成長態勢，2016年即已增加到超過10，000艾位元組（Exabyte；EB）或10皆位元組（Zettabyte；ZB）的電子數據。值得一提的是，在位元的次方單位表中，目前只剩下“佑位元組”（Y
關于傅里葉變換的存儲器控制介紹
因FFT是為時序電路而設計的，因此，控制信號要包括時序的控制信號及存儲器的讀寫地址，并產生各種輔助的指示信號。同時在計算模塊的內部，為保證高速，所有的乘法器都須始終保持較高的利用率。這意味著在每一個時鐘來臨時都要向這些單元輸入新的操作數，而這一切都需要控制信號的緊密配合。 為了實現FFT的流形
如何檢測二極管
1、檢測小功率晶體二極管A.判別正、負電極(a)觀察外殼上的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負極。(b)觀察外殼上的色點。在點接觸二極管的外殼上，通常標有極性色點(白色或紅色)。一般標有色點的一端即為正極。還有的二極管上標有色環，帶色環的一端則為負
激光二極管簡介
激光二極管：激光二極管是當前最為常用的激光器之一，在二極管的PN結兩側電子與空穴的自發復合而發光的現象稱為自發輻射。當自發輻射所產生的光子通過半導體時，一旦經過已發射的電子—空穴對附近，就能激勵二者復合，產生新光子，這種光子誘使已激發的載流子復合而發出新光子現象稱為受激輻射。如果注入電流足夠大，
肖特基二極管和快恢復二極管又什么區別？
?? 對于高頻開關電源來說,由于頻率很高(相位變換)當正半周時二極管正篇導通此時無影響,如果肖特基二極管反向恢復比較慢時,當負半周到來由于肖特基二極管還沒有從正偏時的導通狀態變成截止相當于短路就等于是負半周的電壓與正半周的電壓疊加在肖特基二極管兩端,由于頻率很快,反向的時間就很短(等同與短路時間很短
肖基特二極管和開關二極管的區別
1:開關二極管是利用二極管的單向導電性，在半導體PN結加上正向偏壓后，在導通狀態下，電阻很小（幾十到幾百歐）；加上反向偏壓后截止，其電阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用開關二極管的這一特性，在電路中起到控制電流通過或關斷的作用，成為一個理想的電子開關。開關二極管的正向電阻很小，反向電阻很大，開關速
肖特基二極管和整流二極管區別在哪里
肖特基（Schottky）二極管是一種快恢復二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。肖特基（Schottky）二極管多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號
肖特基二極管和快恢復二極管有什么區別詳解
?? 肖特基二極管的基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間特別地短。因此，能制作開關二極管和低壓大電流整流二極管。 肖特基二極管它是具有
多鐵性鐵酸鉍外延薄膜受極化調制的導電特性研究的進展
BiFeO3(BFO)作為室溫單相多鐵性材料，不但具有優越的鐵電特性，同時由于電、磁、應變之間的耦合作用，可以實現用電場控制磁化，是研究新型多態磁電存儲器的首選材料。最近有文獻報道了在BFO單晶中又觀察到了與鐵電極化相關的可反轉的二極管整流特性。這種受鐵電極化調控的導電行為，不但增加了多鐵性BF
主辦EXPO－2024上海存儲器展官網」
展會概況展會名稱：2024中國（上海）集成電路產業與應用博覽會展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18日-19日展會地點：上海新國際博覽中心展會規模：50,000平方米、800家展商、90,000名專業觀眾??中國集成電路將順勢而為，逆勢崛起?“十四五”期間，我國半導體
電子天平數據存儲器功能解析
? ? ??電子天平內部具有微處理器、計數器、一定容量的數據存儲器RAM、程序存儲器ROM、總線、輸入/輸出接口以及其它多種功能器件。主要功能的介紹如下：??????1、中央處理單元CPU。中央處理單元CPU是將運算器、控制器和寄存器組等功能部件，通過內部總線集成在一塊硅片上，CPU具有如下功能：可
國產相變存儲器開啟產業化應用
潛心相變存儲器研究15年，中科院上海微系統所研究院宋志棠團隊在130納米技術節點相變存儲器技術研發取得重大突破。近4年來，通過和珠海艾派克微電子有限公司產學研用協同合作開發的打印機用相變存儲器芯片，實現了產業化銷售。截至今年6月，該芯片已銷售1600萬顆。這是記者從6月28日上海微系統所舉行的成
新型存儲器有望推動存儲技術的變革
集成電路，俗稱“芯片”，是信息技術產業的核心，被譽為國家的工業糧食。而存儲器是存儲信息的主要載體，占集成電路市場的四分之一，我國存儲器市場占全球市場的一半，但缺乏自主知識產權和人才，導致高密度、大容量存儲器完全依賴進口。這給我國的信息安全帶來了極大的隱患。 為解決此難題，有一個團隊默默耕耘了十
韓企加速搶占高帶寬存儲器市場
當地時間3月18日至21日，在美國圣何塞舉行的英偉達年度開發者會議“GTC?2024”上，韓國半導體企業全面展示了第五代HBM（高帶寬存儲器）產品，瞄準人工智能（AI）半導體用內存市場展開激烈競爭。英偉達在“GTC?2024”中推出新一代AI半導體產品“Blackwell”，性能較現有產品大幅提升，
IBM研發出最新多位相變存儲器
據美國物理學家組織網近日報道，IBM的科學家演示了最新的多位相變存儲器，其每個存儲格都能長時間可靠地存儲多個字節的數據。最新技術讓人們朝成本更低、速度更快、更耐用的存儲技術前進了一大步，可廣泛應用于包括手機在內的消費電子設備、云存儲以及對性能要求更高的企業數據存儲中。 相變存
一文讀懂存儲器的工作原理
1、存儲器構造存儲器就是用來存放數據的地方。它是利用電平的高低來存放數據的，也就是說，它存放的實際上是電平的高、低，而不是我們所習慣認為的1234這樣的數字，這樣，我們的一個謎團就解開了，計算機也沒什么神秘的嗎。圖1讓我們看圖1。單片機里面都有這樣的存儲器，這是一個存儲器的示意圖：一個存儲器就象一個