高速低功耗新型鈧銻碲相變存儲材料研究獲重要發現
集成電路產業是“十三五”國家戰略新興產業。存儲器是集成電路最重要的技術之一，是國家核心競爭力的重要體現。我國作為全球電子產品的制造基地，存儲器的自給能力還相對較弱。國外三星、英特爾等大型半導體公司對存儲器技術與產品壟斷，對我國信息產業發展與信息安全形成重大隱患。發展國內自主知識產權的新型半導體存儲技術迫在眉睫。 中國科學院上海微系統與信息技術研究所聯合中芯國際集成電路制造有限公司，選擇以嵌入式相變存儲器（PCRAM）為切入點，在國家重點研發計劃納米科技重點專項、國家科技重大專項“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”專項、國家自然科學基金、中科院A類戰略性先導科技專項、上海市領軍人才、上海市科委等項目的資助下，經過十余年的研究，在存儲材料篩選、嵌入式器件設計、PCRAM的基礎制造技術取得系列重要科技進展。 近期，上海微系統所宋志棠科研團隊在新型相變存儲材料方面取得重大突破，創新提出一種高速相變材料的設計思路，即以減小非晶相......閱讀全文
納米限制結構相變存儲器成功開發
近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究團隊基于12英寸集成工藝，開發出納米限制結構相變存儲器。該團隊通過優化器件集成工藝，在12英寸晶圓上制備出嵌入式納米加熱電極，實現了超過1.0×1011次的器件循環擦寫次數，較傳統器件結構提升了1000倍，刷新了蘑菇型結構相變存儲器的循環擦寫紀錄。科研人
高速低功耗新型鈧銻碲相變存儲材料研究獲重要發現
集成電路產業是“十三五”國家戰略新興產業。存儲器是集成電路最重要的技術之一，是國家核心競爭力的重要體現。我國作為全球電子產品的制造基地，存儲器的自給能力還相對較弱。國外三星、英特爾等大型半導體公司對存儲器技術與產品壟斷，對我國信息產業發展與信息安全形成重大隱患。發展國內自主知識產權的新型半導體存
“相變隨機存儲器存儲材料及關鍵技術”通過驗收
12月20日，國家“十一五”863計劃新材料領域“相變隨機存儲器存儲材料及關鍵技術”重點課題通過科技部組織的驗收。科技部高技術研究中心材料處處長史冬梅，以及清華大學潘峰教授、南京大學劉治國教授、華東師范大學孫卓教授、中科院上海技術物理所陸衛研究員、吉林師范大學楊景海教授等驗收專家出席了會議。課題
國產相變存儲器開啟產業化應用
潛心相變存儲器研究15年，中科院上海微系統所研究院宋志棠團隊在130納米技術節點相變存儲器技術研發取得重大突破。近4年來，通過和珠海艾派克微電子有限公司產學研用協同合作開發的打印機用相變存儲器芯片，實現了產業化銷售。截至今年6月，該芯片已銷售1600萬顆。這是記者從6月28日上海微系統所舉行的成
IBM研發出最新多位相變存儲器
據美國物理學家組織網近日報道，IBM的科學家演示了最新的多位相變存儲器，其每個存儲格都能長時間可靠地存儲多個字節的數據。最新技術讓人們朝成本更低、速度更快、更耐用的存儲技術前進了一大步，可廣泛應用于包括手機在內的消費電子設備、云存儲以及對性能要求更高的企業數據存儲中。 相變存
研究獲重要發現高速低功耗新型鈧銻碲相變存儲材料
?? 集成電路產業是“十三五”國家戰略新興產業。存儲器是集成電路最重要的技術之一，是國家核心競爭力的重要體現。我國作為全球電子產品的制造基地，存儲器的自給能力還相對較弱。國外三星、英特爾等大型半導體公司對存儲器技術與產品壟斷，對我國信息產業發展與信息安全形成重大隱患。發展國內自主知識產權的新型半導體
院企合作突破相變存儲器關鍵技術
今天，記者從中科院上海微系統與信息技術研究所獲悉，該所聯合中芯國際集成電路制造（上海）有限公司開展的相變存儲器（PCRAM）研究，在130納米技術節點相變存儲器技術方面取得重大突破。近四年來，合作雙方與珠海艾派克微電子有限公司合作開發的打印機用PCRAM芯片取得工程應用突破，實現了產業化銷售。
863項目“相變隨機存儲器存儲材料及關鍵技術”通過檢查
9月6日，由中國科學院上海微系統與信息技術研究所宋志棠研究員主持承擔的863計劃重點課題項目“相變隨機存儲器存儲材料及關鍵技術”通過中期檢查。 國家集成電路研發中心主任趙宇航、國家科技部高技術研究中心處長史冬梅、材料處辦公室張芳以及中科院半導體所副所長陳弘達、中科院光
“半導體相變存儲器”等三個項目結題驗收
上海市科學技術委員會、中國科學院前沿科學與教育局： 重大科學研究計劃“半導體相變存儲器”等3個項目（項目清單見附件）實施期滿，根據《國家重點基礎研究發展計劃管理辦法》的要求，應進行結題驗收。結題驗收工作分為課題驗收和項目驗收兩個階段。課題驗收由項目首席科學家會同項目依托部門組織，于10月20日
具有極限操作速度的相變存儲器研制方面取得新進展
當今，電腦系統采用層次化存儲架構：緩存、內存和閃存。離CPU越近，對存儲器存儲速度需求越高，如內存的速度為納秒級別，而緩存則需要皮秒級別。作為下一代存儲器的有力競爭者，相變存儲器的速度決定了其應用領域，而相變存儲器速度主要由相變材料的結晶速度（寫速度）所決定。研究表明，相變存儲器的熱穩定性越差，
新型相變材料實現高速低功耗相變存儲
最新一期《科學》雜志發表了中國科學家在相變存儲領域的重大突破：中科院上海微系統與信息技術研究所宋志棠團隊研發出一種全新高速低功耗相變材料——鈧銻碲合金（ScSbTe），用其制成的相變存儲單元實現了700皮秒內（0.7納秒）的高速可逆擦寫操作，操作能耗比現有國際量產鍺銻碲合金（GeSbTe）降低了
“超級光盤”存儲器問世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517834.shtm上海理工大學光子芯片研究院顧敏院士、中國科學院上海光學精密機械研究所阮昊研究員、上海理工大學光電信息與計算機工程學院文靜教授等合作，在國際上首次利用雙光束調控聚集誘導發光超分辨光存儲技
新型存儲器有望推動存儲技術的變革
集成電路，俗稱“芯片”，是信息技術產業的核心，被譽為國家的工業糧食。而存儲器是存儲信息的主要載體，占集成電路市場的四分之一，我國存儲器市場占全球市場的一半，但缺乏自主知識產權和人才，導致高密度、大容量存儲器完全依賴進口。這給我國的信息安全帶來了極大的隱患。 為解決此難題，有一個團隊默默耕耘了十
阻變存儲器是什么？
伴隨著科學的發展和技術的進步，新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會，在今天，電阻存儲器的研究已經非常普遍，因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點，具體地說，首先它具有非常大的存儲密度，因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝，也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造，所以它具
阻變存儲器是什么？
伴隨著科學的發展和技術的進步，新的存儲器不斷被提出并被應用于現今社會，在今天，電阻存儲器的研究已經非常普遍，因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優點，具體地說，首先它具有非常大的存儲密度，因為電阻存儲器采用的是納米技術工藝，也就是說在幾十納米的數量級范圍內對器件進行設計和構造，所以它具有非
國產55納米相變存儲芯片
11月28日，寧波時代全芯科技有限公司在寧波現場發布了自主研發的55納米相變存儲芯片。這一成果的發布，使該公司成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術自主知識產權的企業，業內人士認為這將有利于打破存儲器芯片生產技術被國外公司壟斷的局面。 目前靜態隨機存儲技術、
自旋分子存儲器研究獲進展
經典的馮·諾依曼計算機架構中，數據存儲與處理分離。由于指令、數據在存儲器和處理器之間的高頻轉移，導致計算機發展的“存儲墻瓶頸”與“功耗墻瓶頸”。能否模仿人類的大腦，構建新型器件實現計算和存儲一體化，完成低功耗的復雜并行計算？ 理論提出的自旋場效應晶體管（自旋FET）同時具有實現數據存儲和處理的
耐600℃高溫存儲器問世
科技日報北京5月5日電?（記者劉霞）美國賓夕法尼亞大學科學家研制出一款可在600℃高溫下持續工作60小時的存儲器。這一耐受溫度是目前商用存儲設備的兩倍多，表明該存儲器具有極強的可靠性和穩定性，有望在可導致電子或存儲設備故障的極端環境下大顯身手，也為在惡劣條件下進行密集計算的人工智能系統奠定了基礎。相
激光讓玻璃變身新式存儲器
據英國《每日電訊報》8月15日（北京時間）報道，英國科學家首次研發出了玻璃存儲器。這種存儲器塊頭小，存儲能力強，而且，壽命長達幾千年，大型機構和公司的海量信息今后可以長時間安全存儲其中。相關研究發表在最新一期《應用物理學快報》雜志上。 英國南安普敦大學的科學家使用激光讓玻璃塊
細菌DNA序列可作信息“存儲器”
阿根廷科學家近日成功將該國國歌旋律以人工基因編碼形式植入某種細菌染色體中。這一方法不僅可以用來存儲音樂旋律，還可能發展為一種擁有巨大應用潛力的信息存儲方式。 據阿根廷媒體報道，主持研究的阿根廷信息生物學家費德里克·普拉達介紹說，生物的DNA(脫氧核糖核酸)由四種脫氧核苷酸組成，即腺嘌呤、胸
SOT型磁性存儲器研究領域
近日，中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術重點實驗室在SOT型磁性存儲器（MRAM）研究領域取得進展。 實現低功耗、高穩定的數據寫入操作是MRAM亟需解決的關鍵問題之一，其中，消除寫入電流的非對稱性對于實現寫入過程的穩定可控以及簡化供電電路設計十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
存儲器大突破，迄今密度最高！
機構預計今年上半年存儲周期觸底復蘇，行業存儲龍頭有望迎業績反轉。 迄今最高存儲密度器件面世 據科技日報，美國南加州大學電氣和計算機工程教授楊建華及合作者在最新一期《自然》雜志上刊發論文稱，他們已經為邊緣人工智能（便攜式設備內的人工智能）開發出了迄今存儲密度最高的新型器件和芯片，有望在便攜式設
新型相變材料突破存儲速度極限數據
模擬顯示了在600皮秒內的晶核擴展，新相變材料迅速實現多晶態與玻璃態兩種相態之間的轉換。 圖片來自《科學》雜志官網 據《科學》雜志官網14日報道，中國科學院上海微系統與信息技術研究所副研究員饒峰和同事研發出一種全新的相變材料——鈧銻碲合金，可在不到1納秒內實現多晶態與玻璃態兩種相態之間的轉換
儲存和存儲器的不同特性比較
目前最廣泛使用的數字儲存裝置是硬盤（HDD），但它受歡迎的程度正迅速下滑…數字數據儲存正歷經強大的成長態勢，2016年即已增加到超過10，000艾位元組（Exabyte；EB）或10皆位元組（Zettabyte；ZB）的電子數據。值得一提的是，在位元的次方單位表中，目前只剩下“佑位元組”（Y
關于傅里葉變換的存儲器控制介紹
因FFT是為時序電路而設計的，因此，控制信號要包括時序的控制信號及存儲器的讀寫地址，并產生各種輔助的指示信號。同時在計算模塊的內部，為保證高速，所有的乘法器都須始終保持較高的利用率。這意味著在每一個時鐘來臨時都要向這些單元輸入新的操作數，而這一切都需要控制信號的緊密配合。 為了實現FFT的流形
主辦EXPO－2024上海存儲器展官網」
展會概況展會名稱：2024中國（上海）集成電路產業與應用博覽會展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18日-19日展會地點：上海新國際博覽中心展會規模：50,000平方米、800家展商、90,000名專業觀眾??中國集成電路將順勢而為，逆勢崛起?“十四五”期間，我國半導體
韓企加速搶占高帶寬存儲器市場
當地時間3月18日至21日，在美國圣何塞舉行的英偉達年度開發者會議“GTC?2024”上，韓國半導體企業全面展示了第五代HBM（高帶寬存儲器）產品，瞄準人工智能（AI）半導體用內存市場展開激烈競爭。英偉達在“GTC?2024”中推出新一代AI半導體產品“Blackwell”，性能較現有產品大幅提升，
一文讀懂存儲器的工作原理
1、存儲器構造存儲器就是用來存放數據的地方。它是利用電平的高低來存放數據的，也就是說，它存放的實際上是電平的高、低，而不是我們所習慣認為的1234這樣的數字，這樣，我們的一個謎團就解開了，計算機也沒什么神秘的嗎。圖1讓我們看圖1。單片機里面都有這樣的存儲器，這是一個存儲器的示意圖：一個存儲器就象一個
電子天平數據存儲器功能解析
? ? ??電子天平內部具有微處理器、計數器、一定容量的數據存儲器RAM、程序存儲器ROM、總線、輸入/輸出接口以及其它多種功能器件。主要功能的介紹如下：??????1、中央處理單元CPU。中央處理單元CPU是將運算器、控制器和寄存器組等功能部件，通過內部總線集成在一塊硅片上，CPU具有如下功能：可
韓企加速搶占高帶寬存儲器市場
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519756.shtm