俄學者發現空氣對納米電子半導體有致命影響
俄羅斯托木斯克理工大學發布消息稱，該校與德國、委內瑞拉的科學家最近證實了二維半導體硒化鎵在空氣中的易損性，該重要發現有助于制造硒化鎵基超導納米電子產品。研究結果發表在《Semiconductor Science and Technology》(IF 2.305, Q2)雜志上。 現代材料學中，二維材料（即只有一個或幾個原子層厚的薄膜材料）的研究是一個具有前景的領域，它具有優異的導電性，強度高，可以成為超小尺寸（納米電子產品）現代電子產品的主要器件。光電產品需要使用能夠在光照射時產生大電子流的新材料，有效解決該問題的二維半導體之一就是硒化鎵。 國際一些科研小組曾經嘗試制造硒化鎵基電子設備，雖然對該材料進行了大量的理論研究，但該材料在現實裝置中的應用還不明朗，托木斯克理工大學激光與光學技術的科研組成功揭示了其中的原因。他們通過光組合散射光譜法和XPS方法研究了硒化鎵，確定鎵和氧之間存在化學鍵，硒化鎵一接觸空氣就會迅速被氧......閱讀全文
最純砷化鎵半導體面世
美國普林斯頓大學研究人員在《自然·材料》雜志報告稱，他們研制出了世界上迄今最純凈的砷化鎵。該砷化鎵樣品的純度達到每100億個原子僅含有一個雜質，純度甚至超過了用于驗證一千克標準的世界上最純凈的硅樣品。 砷化鎵是一種半導體，主要用于為手機和衛星等提供電力。新研究得到的砷化鎵樣品呈正方形，邊長與一
俄學者發現空氣對納米電子半導體有致命影響
俄羅斯托木斯克理工大學發布消息稱，該校與德國、委內瑞拉的科學家最近證實了二維半導體硒化鎵在空氣中的易損性，該重要發現有助于制造硒化鎵基超導納米電子產品。研究結果發表在《Semiconductor Science and Technology》(IF 2.305, Q2)雜志上。 現代材料學中
俄學者新發現空氣對納米電子半導體有致命影響
?? 俄羅斯托木斯克理工大學發布消息稱，該校與德國、委內瑞拉的科學家最近證實了二維半導體硒化鎵在空氣中的易損性，該重要發現有助于制造硒化鎵基超導納米電子產品。研究結果發表在《Semiconductor Science and Technology》(IF 2.305, Q2)雜志上。 現代材料學
挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線
挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge W
磷化銦？“老了點”－石墨烯？“窄了點”
“磷化銦？這是不是寫錯了？”7日上午，政協委員分組討論“十三五”規劃綱要。中科院上海技術物理研究所研究員何力對半導體材料和器件研究多年，而“十三五”規劃綱要中關于高端材料的一段話卻讓他困惑——“ 大力發展形狀記憶合金、自修復材料等智能材料，石墨烯、超材料等納米功能材料，磷化銦、碳化硅等下一代半導
銻化鎵的應用
銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數為0.60959nm。GaSbChemicalbook具有優異的物理化學性能，常被用做襯底材料，應用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激
新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”獲得技術ZL
近日挪威科技大學的研究人員成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge
半導體所在砷化鎵/鍺中拓撲相研究方面獲重要發現
中國科學院半導體研究所常凱研究組提出利用表面極化電荷在傳統常見半導體材料GaAs/Ge中實現拓撲絕緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功地證明了GaAs/Ge極化電荷誘導的拓撲絕緣體相，這為拓撲絕緣體的器件應用又向前推進了一步。 拓撲絕緣體是目前凝聚態物理的前沿熱點問題之一。它具有
氮化鎵半導體材料的應用前景
對于GaN材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發LED的 7年規劃，其目標是
常用的半導體材料介紹
常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素制成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等）、 Ⅳ-Ⅵ族
二維材料硒化銦在卸壓過程中超導增強
在高壓條件下，一些物質會出現超導現象。然而，隨著壓力的卸除，這種超導現象往往會消失。著名國際材料學術期刊《先進材料》10日載文稱，北京高壓科學研究中心國家“千人計劃”特聘專家陳斌研究員和吉林大學高春曉教授領銜的國際合作小組首次發現，二維材料硒化銦在卸壓過程中有超導增強現象，從而使高壓超導材料的應
氮化鎵半導體材料的優點與缺陷
①禁帶寬度大（3.4eV），熱導率高（1.3W/cm-K），則工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強；②導帶底在Γ點，而且與導帶的其他能谷之間能量差大，則不易產生谷間散射，從而能得到很高的強場漂移速度（電子漂移速度不易飽和）；③GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷
銻化鎵的生產方法
把20g鎵、34.94g銻放進石墨盤中，裝入石英管內，并用氫氣流充分置換掉空氣之后，然后在氫氣流中加熱石英管至720～730℃使其化合。為了制得GaSb單晶，可Chemicalbook以從石英管中慢慢取出，使熔融狀態的GaSb從盤的一端開始固化形成結晶。如欲制成半導體用GaSb時，所用原料盤及石英管
砷化鎵的毒理資料
GaAs的毒性沒有被很完整的研究。因為它含有As，經研究指出，As是劇毒的。但是，因為GaAs的晶體很穩定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光制程（磨GaAs晶圓使表面微粒變小）時，表面的區域會和水起反應，釋放或分解出少許的As。
砷化鎵的結構特性
砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。
砷化鎵的安全術語
S20/21：When using do not eat, drink or smoke.使用時，不得進食，飲水或吸煙。S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m
蘇州納米所二維單層金屬硒化物的制備取得進展
自從二維(2D)單層碳材料石墨烯發現以來，因其優異的超薄導電導熱性，高電子遷移率和量子霍爾效應等，已經引發了廣泛的科研興趣和應用研究。與此同時，其他2D超薄晶體(如金屬硫化物﹑金屬氧化物和氮化硼 (BN) 等)近年來同樣也得到了密切關注。因量子限域效應，這些晶體表現出異于其塊體材料的特殊
二維原子晶體材料單層二硒化釩的1D圖案化及其研究
二維原子晶體材料的功能化對實現其在光電、催化、新能源以及生物醫學等領域中的應用具有重要意義。在實現二維材料功能化方面，結構圖案化調控是其中一個重要手段。之前，人們利用電子/離子束刻蝕、元素摻雜等手段實現了二維材料的圖案化。圖案化的二維材料則呈現出了許多新的物理性質，例如“納米網狀”石墨烯的半導體
超寬禁帶半導體新進展－推動氧化鎵功率器件規模化應用
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣課題組和西安電子科技大學郝躍課題組教授韓根全合作，在氧化鎵功率器件領域取得新進展。該研究成果于12月10日在第65屆國際微電子器件頂級會議——國際電子器件大會（International Electron Devices Meeting, IEDM）
銅銦鎵硒薄膜太陽電池的技術特點
銅銦鎵硒薄膜太陽電池的特點銅銦鎵硒薄膜太陽電池具有生產成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特點，光電轉換效率居各種薄膜太陽能電池之首，接近晶體硅太陽電池，而成本則是晶體硅電池的三分之一，被國際上稱為“下一時代非常有前途的新型薄膜太陽電池”。此外，銅銦鎵硒薄膜太陽電池具有柔和、均勻的黑色外觀，是對外觀
用于全水電解的超薄二維非層狀硒化鎳的拓撲工程
超薄2D層狀Ni(OH)2納米片和超薄2D非層狀NiSe納米片的結構演變示意圖 盡管電化學功能新的希望顯著，超薄二維非層狀納米材料的制造仍然具有挑戰性。然而，目前的策略主要限于內在的分層材料。近日，復旦大學鄭耿峰教授和新加坡國立大學Ghim Wei Ho教授（共同通訊作者）開發了組合式自調節酸
氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
12日，記者從中國科學技術大學獲悉，日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會（IEEE IEDM）上，中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）被大會接收。 IEEE IEDM是一個年度微電子和納電子學術會議，是