蘇州納米所GaN／Si功率開關器件研究獲得重要突破
隨著能效標準不斷提高，基于硅（Si）材料的功率器件改進空間越來越小；人們將目光投向新材料領域，以期實現根本改進，從而引發新一代功率器件技術的革命性突破。眾多新材料中，基于氮化鎵（GaN）的復合材料最引人關注。GaN基功率器件具有擊穿電壓高、電流密度大、開關速度快、工作溫度高等優點，性能遠優于Si基器件；采用GaN基功率開關器件的電子系統效率可改善3.5%至7%，體積可減小35%，兼具高性能和高可靠性。GaN外延材料可以選擇多種襯底，其中Si襯底上外延生長GaN具有明顯的成本優勢，一方面Si襯底的價格很低，另一方面Si襯底的尺寸很大，能夠形成大規模生產的優勢。 Si襯底上GaN（GaN/Si）的功率開關器件被認為是最具市場競爭力的發展方向。IR、Infineon、Fairchild、Samsung等國際大型功率器件公司正積極研制GaN功率開關器件，有些已處于試生產階段。預計2015年市場規模3.5億美元，隨后......閱讀全文
半導體器件的開關特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一種電壓控制器件，它的3個電極分別稱為柵極(G)、漏極（D）和源極（S），由柵極電壓控制漏源電流。MOS管根據結構的不同可分為P型溝道MOS管和N型溝道MOS管兩種，每種又可按其工作特性進一步分為增強型和耗盡型兩類。 1、靜態特性 MOS管作為開
【會展深圳】2025年開關及元器件材料展會_設備_半導體_芯片
深圳電子元器件展，電子儀器儀表展，深圳電子儀器儀表展，電子元器件展，深圳電子設備展，電子設備展，電子元器件展覽會，電子儀器展，深圳電子儀器展，電儀器展覽會，深圳繼電器展，深圳電容器展，深圳連接器展，深圳集成電路展2025深圳國際電子元器件材料設備展覽會地點：深圳國際博覽中心2025年4月9-11日參
【深圳管家】2024年深圳開關及元器件材料展會_設備_半導體_芯片
2024電子元器件展｜2024深圳國際電子元器件展覽會「官網」展覽時間：2024年4月9-11日展會時間：2024年4月9日-11日論壇時間：2024年4月9日-11日展會地點：深圳國際博覽中心展會規模：50,000平方米、800家展商、90,000名專業觀眾前瞻布局 賦能行業發展在全球“雙碳”背景
單質新原理開關器件研究新進展
12月10日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所宋志棠、朱敏研究團隊在Science上，發表了題為Elemental Electrical Switch Enabling Phase-Segregation-Free Operation的研究論文。上海微系統所為第一完成單位和唯一通信單位。
全球首例單分子電子開關器件在我國問世
北京大學郭雪峰課題組與中外科學家協同攻關，利用二芳烯分子為功能中心、石墨烯為電極，實現了可逆單分子光電子開關器件的構建，并申請了發明ZL。成果近日發表于《科學》。 利用單個分子構建電子器件有望突破目前半導體器件微小化發展中的瓶頸，其中實現可控的單分子電子開關功能是驗證分子能否作為
「官網」磁性材料及器件設備展|2024深圳磁性材料及器件設備展
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蘇州納米所GaN/Si功率開關器件研究獲得重要突破
隨著能效標準不斷提高，基于硅（Si）材料的功率器件改進空間越來越小；人們將目光投向新材料領域，以期實現根本改進，從而引發新一代功率器件技術的革命性突破。眾多新材料中，基于氮化鎵（GaN）的復合材料最引人關注。GaN基功率器件具有擊穿電壓高、電流密度大、開關速度快、工作溫度高等優點
科學家提出一種單質新原理開關器件
中國科學院上海微系統與信息技術研究所宋志棠、朱敏研究團隊在集成電路存儲器研究領域獲重大進展，成功研制出一種單質新原理開關器件，為海量三維存儲芯片提供了新方案。這項研究成果12月10日發表于《科學》。 集成電路是我國的戰略性、基礎性和先導性產業，其中存儲芯片是集成電路的三大芯片之一，直接關系到國
上海微系統所單質新原理開關器件研究獲進展
12月10日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所宋志棠、朱敏研究團隊在Science上，發表了題為Elemental Electrical Switch Enabling Phase-Segregation-Free Operation的研究論文。上海微系統所為第一完成單位和唯一通信單位。
磁性材料及器件設備展|2024年上海磁性材料及器件設備展覽會
2024上海國際電子制造設備展覽會? ? ? ? ? ? ? ? ??時間： 2024年11月18-20日?地點： 上海新國際博覽中心主辦：中國電子器材有限公司協辦：香港貿易發展局? ? 臺灣區電機電子工業同業公會 韓國電子產業振興會? ? 日本電子展協會? ?中國電子元件行業協會展會背景：電子
展商報名!電子元器件材料設備展會2025年深圳國際電子元器件材料設備展會官網
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寧波材料所在柔性磁傳感薄膜材料與器件研究獲進展
柔性智能可穿戴設備的快速發展，提出了磁電功能器件柔性化的要求。由于磁性材料的逆磁致伸縮特性，彎曲或拉伸狀態所產生的應力/應變會改變磁性薄膜的磁各向異性，從而影響磁性器件的性能。如何避免應力磁各向異性對柔性磁性器件性能產生不利的影響，是柔性磁性薄膜與器件發展中所面臨的重要挑戰之一。 近年來，中
高效有機光伏材料與器件成功制備
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/503613.shtm有機太陽能電池利用有機半導體光伏活性材料實現太陽光能向電能轉化利用，是具有重要應用潛力的新型光伏技術，包含大量的基礎科學與技術問題，也是國際競爭最為激烈的研究前沿之一。其中，給體、受體
LS電子材料試驗機機械限位開關
LS電子材料試驗配有兩個機械激活的限位擋塊。 這些可用作額外保護，以阻止負載單元，夾具或夾具接觸。 上面一個可用于備份軟件限制。 激活限位擋將導致機器停止要調整下限擋塊，首先松開LS電子材料試驗機上的下限止動螺釘，然后將擋塊移動到槽中行程的底部。 將移動的十字頭驅動到安全的低位置，而不會損壞任何合適
對可控開關器件傻傻分不清－－這篇文章讓你不再困惑
你是否看見這些可控開關器件傻傻的分不清呢？你是不是真的愛這些器件呢？可我們不懂它，又怎么稱的上愛它呢？那就讓我們走進它們，了解它們。下面我們從器件對觸發信號波形的要求、開關頻率、單雙極、主要優、缺點方面考慮，七種可控開關器件BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SI
2024上海（國際）紅外材料與器件展覽會
2024上海國際紅外技術及應用展覽會時間：2024.11.18-20日地點：上海新國際博覽中心聯系人：張主任 手 機：18538304525紅外技術作為一種高技術，它與激光技術并駕齊驅，在事 和民用域上占有舉足輕重的地位。2024紅外微光技術及其應用 展覽會與國際光電子博覽會同期舉辦，展會期間將舉
我國ZnO基材料與器件研究獲重要進展
日前，由中科院長春光機所任首席單位，中科院物理所、半導體所、福建物構所、上海光機所和中國科技大學共同承擔的中國科學院知識創新工程重要方向項目“ZnO基材料、器件的相關物理問題研究” 在北京通過驗收。 該項目初步解決了制約我國ZnO光電子器件發展的瓶頸問題，對提升我國在這一研究領域的國際地
“新型高密度存儲材料與器件”項目啟動
10月17日，國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項“新型高密度存儲材料與器件”項目啟動會在中國科學院微電子研究所召開。 會上，微電子所所長葉甜春和中科院院士、微電子重點實驗室主任劉明先后致辭。葉甜春對當前存儲器領域的形勢和現狀進行了總結和展望，表示要集中力量圍繞關鍵技術開展攻關，實現
先進薄膜材料與器件聯合研究中心揭牌
7月20日，中科院合肥物質科學研究院與怡通科技有限公司共同成立“先進薄膜材料與器件聯合研究中心”的揭牌儀式在濰坊市舉行。在中科院合肥物質科學研究院和濰坊市領導的共同見證下，合肥研究院智能所智能微納器件研究室主任王振洋和怡通科技有限公司董事長孟凡杰代表雙方簽署了共建聯合研究中心的合作協議，并共同
氮化鎵半導體材料光電器件應用介紹
GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
無機深紫外非線性倍頻開關晶體材料進展
非線性光學（NLO）倍頻開關材料是指NLO倍頻響應在不同的外部刺激下發生可逆轉換的一類材料，在光學開關、傳感器、數據存儲、智能器件等領域有應用前景。目前，NLO倍頻開關材料主要集中在有機物和有機-無機雜化化合物中，其帶隙值往往較窄，深紫外NLO倍頻開關材料未見相關報道。 中國科學院福建物質結構
突破傳統！這種材料如何實現納秒級開關？
碳化硅單晶基光導開關因具有傳統開關器件不可比擬的特性，已顯現出在高技術領域中的廣闊應用前景，近些年來得到國際科技界和工業界越來越多的關注。近期，中國科學院上海硅酸鹽研究所碳化硅晶體項目部在開展碳化硅晶錠制備和晶圓片加工的同時，與相關應用單位緊密合作，持續開展碳化硅基光導開關原理研究和器件制備實驗
寧波材料所近紅外熱活化延遲熒光材料與器件研究獲進展
近紅外有機發光二極管（NIR-OLEDs）在生物成像、防偽、傳感器、遠程醫療、顯微攝影、夜視顯示等方面頗具實際應用價值，已成為有機電致發光器件的重要發展方向之一，而熱活化延遲熒光（TADF）材料可以實現100%激子利用率，其量子效率可媲美基于貴重金屬的磷光材料，具有應用潛力。受能隙定律的影響，近
元器件展會|2024上海國際陶瓷磁性材料－展覽會「上海元器件展」
展會概況展會名稱：2024中國（上海）國際電子展覽會展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際博覽中心展會規模：50,000平方米、800家展商、90,000名專業觀眾??展會介紹：? ? ? ?電子產業是電子信息產業的基礎支撐，中國電子元器
西安光機所太赫茲超材料功能器件研究獲進展
? ? ? ? ? ? 導讀： 陳徐研究了一種利用石墨烯構建的三維太赫茲超材料結構，通過與太赫茲波的相互作用，可以實現多個等離子體共振模式激發。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 3月19日，中國科學院西安光學精密機械研究所瞬態光學與光子技術國家重點實驗室研究員范文慧課題組，在太赫
納米所與索尼聯合研發半導體材料與器件
6月23日下午，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所與索尼公司半導體材料與器件合作項目啟動簽約儀式在蘇州納米所舉行。研究所所長楊輝代表蘇州納米所與索尼公司高級副總裁熊谷簽訂合作協議，同時，索尼公司將向蘇州納米所提供分子束外延（MBE）裝置的免費使用權。中科院副院長施爾畏，蘇州工業園
美研發原子厚度新材料－或助研發超薄器件
萊斯大學材料學科學家普利克爾·阿加延(Pulickel Ajayan)實驗室的研究生雷思東(Sidong Lei)合成了CIS，一種單層銅、銦和硒原子矩陣。雷還建立了一個模型——一個三像素電荷耦合器件(CCD)——以證明材料捕捉圖像的能力。這項研究被發表在美國化學協會的期刊《納米快報》上。 雷
金屬所新型柔性熱電材料與器件研究獲進展
發展可再生能源是我國一項既定國策，也是保證經濟穩定和可持續發展的關鍵。全球約有80%的電站利用熱能發電，然而這些電站的平均效率只有~30%，每年約有~15TW的熱量損失到環境中，如能將這部分能量回收利用，可有效緩解當前突出的能源與環境問題。以熱電材料為核心的熱電轉換技術可不依靠任何外力將“熱”與
化學所在分子材料和器件研究方面取得系列進展
在科技部、國家自然科學基金委和中國科學院的支持下，化學研究所有機固體院重點實驗室的相關研究人員致力于分子材料和器件的研究，取得了一些新進展，引起了國際學術界的關注，并分別在Chem. Rev. 和Chem. Soc. Rev.上發表了綜述。 在有機場效應晶體管(OFET)中，介