微電子所在氮化鎵界面態研究方面取得進展
近日，中國科學院微電子研究所高頻高壓中心研究員劉新宇團隊等在GaN界面態研究領域取得進展，在LPCVD-SiNx/GaN界面獲得原子級平整界面和國際先進水平的界面態特性，提出了適用于較寬能量范圍的界面態U型分布函數，實現了離散能級與界面態的分離。 增強型氮化鎵MIS-HEMT是目前尚未成功商用化的技術路線。GaN與介質的界面態問題是制約器件可靠性的主要因素之一。前期研究發現，LPCVD-SiNx具有高溫耐受性、成膜質量高、結構致密、無離子損傷、高TDDB特性等優勢，有望用于高可靠MIS-HEMT的柵介質和鈍化材料。然而，傳統LPCVD-SiNx的生長溫度較高，可能導致材料表面熱分解和熱反應，尤其是刻蝕表面。同時，高溫工藝（例如，800℃以上歐姆合金）會導致鈍化位的氫鍵被破壞，使介質界面發生一定程度的退化，引起鍵長鍵角隨機變化的無序粗糙晶化區域和梯度變化的無定形區域產生，導致器件出現不可控制的頻率色散和滯回現象。要避免上述不......閱讀全文
微電子所在氮化鎵界面態研究方面取得進展
近日，中國科學院微電子研究所高頻高壓中心研究員劉新宇團隊等在GaN界面態研究領域取得進展，在LPCVD-SiNx/GaN界面獲得原子級平整界面和國際先進水平的界面態特性，提出了適用于較寬能量范圍的界面態U型分布函數，實現了離散能級與界面態的分離。 增強型氮化鎵MIS-HEMT是目前尚未成功商用