硅微條探測器的結構簡介
從探測器橫截面上看，主要分這樣幾個部分： 探測器表面：有薄鋁條, SiO2隔離條，鋁條下邊是重摻p+條。 中間部分：是厚度大約為300μm 的高阻n 型硅基，作為探測器的靈敏區。 底部：是n 型硅摻入砷(As) 形成重摻雜n+ 層和鋁薄膜組成的探測器的背襯電極。 微條(strips)是探測器的信號讀出條, 它的寬窄和間距將影響探測器的空間分辨率。 保護環(Guard rings)在探測器的四周, 起到屏蔽保護作用, 使探測器降低了噪聲, 提高了抗輻射能力。 多晶硅偏壓電阻(Poly-silicon bias resistors)是集成在硅片上的, 它對于每個微條起保護作用，可以降低漏電流, 從而降低噪聲。 偏壓連接帶(Bias trace)是連接偏壓電源到每一個微條的連接帶。 直流接觸片(DC contact pad)是作直流耦合輸出的接觸點。 交流接觸片(AC contact pads)是交流耦合輸出的接......閱讀全文
硅微條探測器的結構簡介
從探測器橫截面上看，主要分這樣幾個部分： 探測器表面：有薄鋁條, SiO2隔離條，鋁條下邊是重摻p+條。 中間部分：是厚度大約為300μm 的高阻n 型硅基，作為探測器的靈敏區。 底部：是n 型硅摻入砷(As) 形成重摻雜n+ 層和鋁薄膜組成的探測器的背襯電極。 微條(strips)是探
硅微條探測器的工作原理
硅微條探測器是在一個n型硅片的表面上，通過氧化和離子注入法，局部擴散法，表面位壘法及光刻等技術工藝制作成的。其表面是均勻平行的附有一層鋁膜的重攙雜p+微條。n型硅片的整個底面摻入雜質后，制成n型重攙雜n+層，其外層也附有一層鋁，作為電極接觸。這樣制成了表面均勻條形的pn結型單邊讀出的探測器。
硅微條探測器的特點有哪些？
非常好的位置分辨率 這是硅微條探測器最突出的特點。它的位置分辨率是應用的各種探測器中最高的，可做到1.4μm。主要因為固體的密度比氣體大100倍左右，帶電粒子穿過探測器，產生的電子2空穴對(e-h)的密度非常高，大約為110e-h/μm[2]。 另外由于現代半導體技術工藝，光刻技術及高集成度
硅微條探測器的形成和發展
硅微條探測器（silicon micro-strip detector）是指在PN結硅片型半導體探測器外側敷蓋多個金屬微條以確定粒子位置的粒子探測器。為了測量粒子或射線的空間分布，近年來發展了以PN結為基體的硅微條位置靈敏探測器。 形成和發展 隨著半導體技術的迅速發展，半導體粒子探測器也有了
硅微條探測器在核醫學中的應用
核醫學影像技術與高能物理及核物理探測技術是密切相關的，核醫學領域的X光透視，X2CT、MRI、PET、ECT等等，都是在高能物理和核物理實驗探測技術的基礎上發展起來的。探測技術的各項發展都在不斷帶動核醫學 影像技術的發展。早期的X光影像檢測，顯示記錄只是用X光膠片，隨著探測技術的發展，很多
硅微條探測器在高能物理實驗中的應用
因為硅微條探測器及一些相關的半導體探測器的位置分辨率比氣體探測器的位置分辨率高一到兩個數量級，所以在近十幾年來，世界各大高能物理實驗室幾乎都采用它作為頂點探測器。如美國的FERMILAB的CDF和D0，SLAC實驗室的B介子工廠的BaBar實驗，西歐高能物理中心CERN的LEP正負電子對撞機
硅化鉑探測器簡介
硅化鉑探測器是指利用鉑硅肖特基勢壘和內光電效應將入射的紅外輻射轉變成電信號的器件。又稱硅化鉑肖特基勢壘探測器。 簡介 硅化鉑探測器是指利用鉑硅肖特基勢壘和內光電效應將入射的紅外輻射轉變成電信號的器件。又稱硅化鉑肖特基勢壘探測器。 用途 主要用于中、短波紅外輻射的探測。 構造 它的構造
硅微條探測器在空間物理和宇宙線科學實驗中的應用
丁肇中先生領導的AMS組（國際空間站阿爾法磁譜儀實驗），計劃把A磁譜儀AMS送到國際空間站ISSA，企望在宇宙線中尋找反物質和暗物質。AMS的中間核心部分的多層徑跡室都是采用雙邊讀出的硅微條探測器。它是充分利用了雙邊讀出硅微條探測器的高空間分辨率，兩維信息讀出，CMOS電子學的低功耗的特點。
可控硅的基本結構簡介
大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a）〕：第一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器
微纖絲的結構簡介
細胞壁的主要組成成分是纖維素，它形成細胞壁的框架，內含其他物質。在電子顯微鏡下看到，這種框架由一層層纖維素微絲，簡稱微纖絲組成的，每一層微纖絲基本上是平行排列，每添加一層，微纖絲排列的方位就不同，因此層與層之間微纖絲的排列交錯成網。微纖絲之間的空間通常被其他物質填充，其常常是由果膠、半纖維素、細
硅單光子探測器取得重要進展
由無錫中微晶園電子有限公司牽頭承擔的國家重點研發計劃“重大科學儀器設備開發”重點專項“高靈敏硅基雪崩探測器研發及其產業化技術研究”項目經過近兩年的努力，突破了低抖動、大光敏面硅單光子探測芯片設計、界面電場調控的離子注入和氧化層制備、低噪聲芯片封裝等關鍵技術，開發出硅單光子探測器樣機。近日，項目順
硅的晶體結構
兩個面心立方結構相互套構而成，其中一個面心立方結構沿另一個的體對角線平移1/4。
可控硅簡介
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。 可控硅分
可控硅的結構原件
可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構
新興半導體：一種透明柔性的單晶硅微框架結構
柔性、透明是光電子器件的發展趨勢，柔性透明的器件能夠不易察覺的與其他器件或物體進行集成，在電子皮膚、物聯網、透明柔性顯示器和人工視覺等領域有著巨大的應用潛力。然而，發展新型柔性、透明電子器件首先需要克服的就是材料問題。傳統光電子器件主要是依靠半導體這一成熟的材料體系，但是目前常用的半導體材料都是
原條的概念和結構
原條（primitive streak）是發育生物學的概念，最先在鳥類胚胎發育中發現，從后端緣區向前伸展的條帶，是由上胚層細胞向囊胚腔下陷造成的，功能上相當于兩棲類的胚孔。
氣體探測器簡介
氣體探測器是一種檢測氣體濃度的儀器。該儀器適用于存在可燃或有毒氣體的危險場所，能長期連續檢測空氣中被測氣體爆炸下限以內的含量。可廣泛應用于燃氣，石油化工，冶金，鋼鐵，煉焦，電力等存在可燃或有毒氣體的各個行業，是保證財產和人身安全的理想監測儀器。
光探測器簡介
又名“光檢測器”，是光接收機的首要部分，光探測器是光纖傳感器構成的一個重要部分，它的性能指標將直接影響傳感器的性能。能檢測出入射到其面上的光功率，并把這個光功率的變化轉化為相應的電流。由于光信號在光纖中有損耗和失真所以對光探測器的性能要求很高。其中最重要的要求是在所用的光源的波長范圍內有較高的靈
光電探測器簡介
光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導率發生改變。光電探測器在軍事和國民經濟的各個領域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像
ATLAS硅徑跡探測器升級模塊樣機試制完成
近日，中國科學院高能物理研究所與清華大學團隊合作參加的ATLAS硅徑跡探測器升級項目，完成了ATLAS短硅微條模塊（Short Strip Module）樣機試制。短硅模塊樣機在通過各項電子學測試后，已運往英國盧瑟福實驗室進行聯調測試，驗證桶部關鍵系統設計。 為應對高亮度大型強子對撞機（HL-
超靈敏硅單光子探測器取得重要進展
由無錫中微晶園電子有限公司牽頭承擔的國家重點研發計劃“重大科學儀器設備開發”重點專項“高靈敏硅基雪崩探測器研發及其產業化技術研究”項目經過近兩年的努力，突破了低抖動、大光敏面硅單光子探測芯片設計、界面電場調控的離子注入和氧化層制備、低噪聲芯片封裝等關鍵技術，開發出硅單光子探測器樣機。近日，項目順
為何選擇硅基微流控芯片？
第一種應用于微流控芯片的材料是硅，雖然它很快被玻璃和聚合物取代。硅首先被選中是因為：* 它對有機溶劑的耐受性* 容易金屬沉積* 優越的導熱性* 表面穩定性然而，硅基微流控芯片由于其硬度而不易處理，因此難以生成如微閥或微泵等有源微流控部件。另一個缺點是當進行光學檢測時，硅展現出明顯的不透光性。此外，由
半導體探測器簡介
半導體探測器（semiconductor detector）是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似。半導體探測器發現較晚，1949年麥凱（K.G.McKay）首次用α 射線照射PN結二極管觀察到輸出信號。5O年代初由于晶體管問世后，
可控硅的定義和結構
可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。
可控硅元件的結構介紹
不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構.見圖1.它有三個PN結(J1、J2、J3),從J1結構的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導體器件。
氣體探測器的原理簡介
入射粒子使高壓電極和收集電極間的氣體電離，生成的電子離子對電場的作用下向兩極漂移，在收集電極上產生輸出脈沖，反饋到測量系統稱為具體的電信號并顯示在屏幕上。（錯。這是氣體核輻射探測器的原理，不是可燃氣體探測器的原理。可燃氣體探測器的大致原理是用電化學方式檢測被測氣體。而氣體核輻射探測器是用工作氣體
輻射探測器的歷史簡介
能給出電信號的輻射探測器已不下百余種。最常用的主要有氣體電離探測器、半導體探測器和閃爍探測器三大類。早在1908年，氣體電離探測器就已問世。但直到1931年脈沖計數器出現后才解決了快速計數問題。1947年,閃爍計數器的出現，由于其密度遠大于氣體而大大提高了對粒子的探測效率。最顯著的是碘化鈉(鉈)
光探測器的類型簡介
光電倍增管 由光電陰極和裝在真空管內的倍增器組成，有很高的增益和很低的噪聲，但尺寸較大且需要較高的偏置電壓，不適合光纖通信系統。 熱電探測器 包含了從熱能到光能的轉換，這種探測器的響應在相當寬的光譜范圍內都是平坦的，但響應速度很慢也不適合光纖通信系統。 半導體光探測器 在半導體光探測器
硅芯片上可集成最小量子光探測器
英國布里斯托大學的研究人員在擴展量子技術方面取得了重要突破。他們將世界上最小的量子光探測器集成到硅芯片上。相關研究發表在17日出版的《科學進步》雜志上。規模化制造高性能電子和光子學硬件是實現下一代先進信息技術的基礎。然而，如果沒有真正可擴展的量子技術硬件制造工藝，量子技術帶來的益處將無法得到完全呈現
半導體探測器的實際操作運用
丁肈中領導的AMS實驗，目標是在宇宙線中尋找反物質和暗物質。它的探測器核心部分的徑跡室采用了多層硅微條探測器。由美國、法國、意大利、日本、瑞典等參加的GLAST實驗組的大面積γ射線太空望遠鏡的核心部分也使用了多層硅微條探測器，總面積大于80平方米，主要用來作為γ→ e-+e+ 的對轉換過程的徑跡