磁光克爾效應的概念介紹
在磁光克爾效應，根據反映的磁材料具有輕微旋轉偏振平面。它類似于法拉第效應下的兩極分化的透光旋轉。......閱讀全文
磁光克爾效應的概念介紹
在磁光克爾效應，根據反映的磁材料具有輕微旋轉偏振平面。它類似于法拉第效應下的兩極分化的透光旋轉。
磁光克爾效應簡介
在磁光克爾效應，根據反映的磁材料具有輕微旋轉偏振平面。它類似于法拉第效應下的兩極分化的透光旋轉。
磁光克爾效應磁強計簡介
具有非常高的靈敏度。當薄膜厚度只有納米量級的時候,激光光斑這磨小區域所產生的磁信號改變,都能檢測出來,應該說比上述各種磁強計靈敏度都高。 它們共同的特點是具有較高的靈敏度,主要用來測量靜態磁性,包括技術磁化曲線、磁滯回線,退磁曲線、磁熱曲線,及其中所包含定義的各種參數。如飽和磁化強度Ma,剩余
光學克爾效應的概念介紹
光學克爾效應，或AC克爾效應是指其電場由光本身所產生的情況。這導致變異的折射率與輻射光本身的輻照度成正比。這種折射率的變化導致了的非線性光學效應的自聚焦、自相位調制以及調制不穩定性，并且是克爾透鏡鎖模的基礎。此效應僅在非常強烈的光束下才能較明顯的表現出來，比如激光。
克爾效應的概念
指與電場二次方成正比的電感應雙折射現象。放在電場中的物質，由于其分子受到電力的作用而發生取向（偏轉），呈現各向異性，結果產生雙折射，即沿兩個不同方向物質對光的折射能力有所不同。 這一現象是1875年J.克爾發現的。后人稱它為克爾電光效應，簡稱克爾效應。
克爾效應的概念簡介
在外電場作用下，液體就成為光學上的單軸晶體，其光軸同電場方向平行。通常的作法是：把液體裝在玻璃容器中，外加電場通過平行板電極作用在液體上，光垂直于電場方向通過玻璃容器，以觀察克爾電光效應。這種裝置稱為克爾盒。這時兩個主要折射率n0與ne，分別稱為正常與反常折射率。容器中的液體稱為正或負雙折射物質，取
泡克爾斯效應的概念
泡克爾斯效應（英語：Pockels effect）是指光介質在恒定或交變電場下產生光的雙折射效應，這是一種線性電--光效應，其折射率的改變和所加電場的大小成正比 。
克爾效應介紹
也稱為二次電光（QEO）效應的克爾效應是材料響應于所施加的電場的折射率的變化。 克爾效應與普克爾效應不同，因為誘導的指數變化與電場的平方成正比，而不是線性變化。 所有材料顯示克爾效應，但某些液體比其他液體顯示更強烈。 克爾效應于1875年被蘇格蘭物理學家約翰·克爾（John Kerr）發現。通常考慮
克爾磁光效應的概念和應用
線偏振光入射到磁化媒質表面反射出去時，偏振面發生旋轉的現象。也叫克爾磁光效應或克爾磁光旋轉。這是繼法拉第效應發現后，英國科學家J.克爾于1876年發現的第二個重要的磁光效應。按磁化強度和入射面的相對取向，克爾磁光效應包括三種情況：極向克爾效應, 即磁化強度 M 與介質表面垂直時的克爾效應;橫向克爾效
克爾效應理論介紹
克爾電光效應對于非線性材料，電動極化場p只會取決于電場：其中ε0是真空介電常數，?是電極化率的n階的組成部分。“：”符號代表了矩陣之間的內積。我們可以更明確的描述這種關系，第i次組成的向量P可以表示為：式中，i=1,2,3。通常假設?，即部分平行為x的極化場；?等等。材料表現出不可忽視的克爾電光效應
克爾效應的理論介紹
克爾電光效應對于非線性材料，電動極化場p只會取決于電場：其中ε0是真空介電常數，?是電極化率的n階的組成部分。“：”符號代表了矩陣之間的內積。我們可以更明確的描述這種關系，第i次組成的向量P可以表示為：式中，i=1,2,3。通常假設?，即部分平行為x的極化場；?等等。材料表現出不可忽視的克爾電光效應
光磁電效應的概念
光磁電效應，Photo-Magneto-Electric Effects （PME Effects ）光磁電效應是指在垂直于光束照方向施加外磁場時半導體兩側面間產生電位差的現象。
光伏效應的概念
“光生伏特效應”，簡稱“光伏效應”，英文名稱：Photovoltaic effect。指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象。首先，是由光子（光波）轉化為電子、光能量轉化為電能量的過程；其次，是形成電壓過程。有了電壓，就像筑高了大壩，如果兩者之間連通，就會形成電流的回路
光彈效應的概念
光彈效應是指介質中應力波的存在可改變介質的介電常數或光折射率，因而影響光在介質中的傳播特性的現象。
光磁電效應的概念
光磁電效應，Photo-Magneto-Electric Effects （PME Effects ）光磁電效應是指在垂直于光束照方向施加外磁場時半導體兩側面間產生電位差的現象。
波克爾斯效應和克爾效應的區別
波克爾斯效應和克爾效應的區別在于：波克爾斯效應是與電場大小成正比，而克爾效應則是與電場大小的平方成比例的。
波克爾斯效應和克爾效應的區別
波克爾斯效應和克爾效應的區別在于：波克爾斯效應是與電場大小成正比，而克爾效應則是與電場大小的平方成比例的。
波克爾斯效應和克爾效應的區別
波克爾斯效應和克爾效應的區別在于：波克爾斯效應是與電場大小成正比，而克爾效應則是與電場大小的平方成比例的。
磁光效應和光磁效應的概念
磁光效應克爾磁光效應的最重要應用就是觀察鐵磁材料中難以捉摸的磁疇。因不同磁疇區的磁化強度的不同取向使入射偏振光產生方向、大小不同的偏振面旋轉，再經過檢偏器后就出現了與磁疇相應的明暗不同的區域。利用現代技術,不但可進行靜態觀察,還可進行動態研究。這些都導致一些重要發現和關于磁疇、磁學參數的有效測量。光
光彈效應現象的概念
光彈效應是指介質中應力波的存在可改變介質的介電常數或光折射率，因而影響光在介質中的傳播特性的現象。
克爾效應簡介
在外電場作用下，液體就成為光學上的單軸晶體，其光軸同電場方向平行。通常的作法是：把液體裝在玻璃容器中，外加電場通過平行板電極作用在液體上，光垂直于電場方向通過玻璃容器，以觀察克爾電光效應。這種裝置稱為克爾盒。這時兩個主要折射率n0與ne，分別稱為正常與反常折射率。容器中的液體稱為正或負雙折射物質，取
克爾效應的定義
指與電場二次方成正比的電感應雙折射現象。放在電場中的物質，由于其分子受到電力的作用而發生取向（偏轉），呈現各向異性，結果產生雙折射，即沿兩個不同方向物質對光的折射能力有所不同。 這一現象是1875年J.克爾發現的。后人稱它為克爾電光效應，簡稱克爾效應。
光磁效應的概念和應用
光照射物質后,物質磁性（如磁化率、磁晶各向異性、磁滯回線等）發生變化的現象。早在1931年就有光照引起磁化率變化的報道，但直到1967年R.W.蒂爾等人在摻硅的釔鐵石榴石?(YIG)中發現紅外光照射引起磁晶各向異性變化之后才引起人們的重視。這些效應多與非三價離子的代換有關，這種代換使亞鐵磁材料中出現
磁光效應的應用磁光調制器
磁光調制器是利用偏振光，通過磁光介質，透射光的偏振面發生旋轉來對光束進行調制的一種工具。磁光調制器可用作紅外檢測器的斬波器，紅外輻射高溫計、高靈敏度偏振計等。磁光調制器的工作原理是將電信號先轉換成與之對應的交變磁場，再由磁光效應改變在介質中傳輸的光波的偏振態，從而達到改變光強等參的目的。
磁光效應的應用磁光隔離器
隨著光纖通信、光信息處理和磁光記錄等技術的高速發展，光源的穩定性和魯棒性就顯得至關重要。各種反射光都會嚴重干擾光源的正常輸出，從而影響了整個系統的正常工作。磁光隔離器通過防止反向傳輸的干擾光對光源的影響，提高系統的工作穩定性，實現正向通過，反向隔離的目的。
磁光效應的應用磁光傳感器
光纖電流傳感器具有很好的絕緣性和抗干擾能力以及較高的測量精度，容易小型化。磁光效應傳感器就是利用激光技術發展而成的高性能傳感器。光纖電流傳感器是根據法拉第效應原理，當一束線偏振光通過置于磁場中的磁光材料時，光的偏振方向發生改變來實現傳感器的功能。磁光效應傳感器作為一種特定用途的傳感器，能夠在特定的環
克爾效應實驗的實驗方法介紹
1.放入克爾盒，并轉動至消光位置；2.接通克爾盒的偏轉電源，即可觀察到屏幕上有光亮。改變兩極板之間的電壓，可以觀察到屏幕上的光強會隨之變化；3.保持兩極板之間的電壓不變，旋轉克爾盒，同樣可以觀察到屏幕上光強變化。
什么是克爾效應？
指與電場二次方成正比的電感應雙折射現象。放在電場中的物質，由于其分子受到電力的作用而發生取向（偏轉），呈現各向異性，結果產生雙折射，即沿兩個不同方向物質對光的折射能力有所不同。 這一現象是1875年J.克爾發現的。后人稱它為克爾電光效應，簡稱克爾效應。
光學克爾效應簡介
光學克爾效應，或AC克爾效應是指其電場由光本身所產生的情況。這導致變異的折射率與輻射光本身的輻照度成正比。這種折射率的變化導致了的非線性光學效應的自聚焦、自相位調制以及調制不穩定性，并且是克爾透鏡鎖模的基礎。此效應僅在非常強烈的光束下才能較明顯的表現出來，比如激光。
克爾磁光效應簡介
克爾磁光效應線偏振光入射到磁化媒質表面反射出去時，偏振面發生旋轉的現象。也叫克爾磁光效應或克爾磁光旋轉。這是繼法拉第效應發現后，英國科學家J.克爾于1876年發現的第二個重要的磁光效應。按磁化強度和入射面的相對取向，克爾磁光效應包括三種情況：極向克爾效應, 即磁化強度 M 與介質表面垂直時的克爾效應