砷化鎵pn結注入式激光器的功能介紹
中文名稱砷化鎵p-n結注入式激光器英文名稱gallium arsenide p-n junction injection laser定 義以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行于結面的方向射出激光的激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），激光器件和激光設備-激光器名稱（三級學科）......閱讀全文
砷化鎵pn結注入式激光器的功能介紹
中文名稱砷化鎵p-n結注入式激光器英文名稱gallium arsenide p-n junction injection laser定 義以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行于結面的方向射出激光的激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科
砷化鎵pn結注入式激光器的結構功能
中文名稱砷化鎵p-n結注入式激光器英文名稱gallium arsenide p-n junction injection laser定 義以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行于結面的方向射出激光的激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科
注入式激光器的結構及原理
它的主體是一個正向偏置的p-n結，當電流密度超過閾值時，注入載流子（電子和空穴）在p-n結結區通過受激輻射復合，產生激光。其工作特性和輸出特性受溫度影響極大，故備有冷卻系統。最早的同質結型砷化鎵（GaAs）半導體激光器，在一塊經過加工的砷化鎵單晶體的上、下兩面上（p型與n型砷化鎵）分別焊上電極，組成
注入式激光器的結構及原理
它的主體是一個正向偏置的p-n結，當電流密度超過閾值時，注入載流子（電子和空穴）在p-n結結區通過受激輻射復合，產生激光。其工作特性和輸出特性受溫度影響極大，故備有冷卻系統。最早的同質結型砷化鎵（GaAs）半導體激光器，在一塊經過加工的砷化鎵單晶體的上、下兩面上（p型與n型砷化鎵）分別焊上電極，組成
?砷化鎵生產方式介紹
GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好為高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光太陽電池。砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需要采用磊晶技術制造，這種
砷化鎵的毒理資料
GaAs的毒性沒有被很完整的研究。因為它含有As，經研究指出，As是劇毒的。但是，因為GaAs的晶體很穩定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光制程（磨GaAs晶圓使表面微粒變小）時，表面的區域會和水起反應，釋放或分解出少許的As。
砷化鎵的結構特性
砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。
砷化鎵的安全術語
S20/21：When using do not eat, drink or smoke.使用時，不得進食，飲水或吸煙。S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m
工業化砷化鎵的生產工藝介紹
工業化砷化鎵生長工藝包括：直拉法（Cz法）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等。以上方法各有優劣，除了實際工藝制備的方法，另外一種就是通過計算機來實現砷化鎵的晶體生長數值模擬，如利用FEMAG/VB能模擬VB、VGF法生長工藝，利用FEMAG/Cz能模擬
砷化鎵材料的材料特性
GaAs擁有一些較Si還要好的電子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時，GaAs會產生較少的噪音。也因為GaAs有較高的崩潰壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，GaAs電路可以運用在移動電話、衛星通訊、
砷化鎵的理化性質
密度：5.31g/cm3熔點：1238℃折射率：3.57相對介電常數：13.18電子親和能：4.07 eV晶格能：5.65×10-10m禁帶寬度：1.424e（300K）電子遷移率：8500 cm2/(V·s) （300 K）外觀：黑灰色固體
注入式激光器的用途
半導體激光器件可用在雷達、計算機及通信系統中，或用作視頻唱片和聲頻唱片的光源，它在超高分辨率光譜學、集成光學以及軍事等方面有著廣泛的應用。
關于二極管激光器的基本介紹
二極管激光器中的P-N結由兩個摻雜的砷化鎵層形成。它有兩個平端結構，平行于一端鏡像（高度反射面）和一個部分反射。 激光二極管本質上是一個半導體二極管，按照P-N結材料是否相同，可以把激光二極管分為同質結、單異質結（SH）、雙異質結（DH）和量子阱（QW）激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流
砷化鎵材料的研究進展
砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優
異質結激光器的功能介紹
中文名稱異質結激光器英文名稱heterostructure laser定 義有源區為窄直接帶隙半導體材料，限制層為寬帶隙半導體材料所形成的三層結構二極管激光器。應用學科材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科）
同質結激光器的功能介紹
中文名稱同質結激光器英文名稱homojunction laser定 義只用一種半導體材料制備的p-n結型半導體激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），激光器件和激光設備-激光器名稱（三級學科）
注入式激光器的基本用途
半導體激光器件可用在雷達、計算機及通信系統中，或用作視頻唱片和聲頻唱片的光源，它在超高分辨率光譜學、集成光學以及軍事等方面有著廣泛的應用。
“重利用”開啟砷化鎵新時代
斯坦福大學的研究人員發明了一種可以大大降低生產砷化鎵電子設備成本的制造工藝，開辟了砷化鎵的新用途。 在電腦芯片、太陽能電池以及其它的電子設備中，半導體一直都是傳統的硅材料；硅制成的特殊材料擁有獨特的電性能-----可以控制（打開或關閉）電流，就像水龍頭控制水流一樣。當然，還
關于二極管激光器的基本原理介紹
二極管激光器中的P-N結由兩個摻雜的砷化鎵層形成。它有兩個平端結構，平行于一端鏡像（高度反射面）和一個部分反射。要發射的光的波長與連接處的長度正好相關。當P-N結由外部電壓源正向偏置時，電子通過結而移動，并像普通二極管那樣重新組合。當電子與空穴復合時，光子被釋放。這些光子撞擊原子，導致更多的光子
體效應二極管振蕩器
砷化鎵和磷化銦等材料的薄層具有負阻特性，因而無需P-N結就可以產生微波振蕩。它的工作原理與通常由P-N結組成的半導體器件不同，它不是利用載流子在P-N結中運動的特性，而是利用載流子在半導體的體內運動的特性，是靠砷化鎵等材料“體”內的一種物理效應工作的，所以這類器件被稱為體效應二極管或耿氏二極管（
半導體激光器的工作原理
工作原理是，通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶(導帶與價帶)之間，或者半導體物質的能帶與雜質(受主或施主)能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時，便產生受激發射作用。半導體激光器的激勵方式主要有三種，即電注入式，光泵式和高能電子束激勵式。電注入式半導體
雙異質結激光器的功能介紹
中文名稱雙異質結激光器英文名稱double hetero junction laser定 義用多次外延法在砷化鎵基片的兩側各生長一層砷化鎵鋁單晶(一層為p型，一層為n型），分別形成一個砷化鎵鋁-砷化鎵異質結而制成的半導體激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），激光器件和激光設備
最純砷化鎵半導體面世
美國普林斯頓大學研究人員在《自然·材料》雜志報告稱，他們研制出了世界上迄今最純凈的砷化鎵。該砷化鎵樣品的純度達到每100億個原子僅含有一個雜質，純度甚至超過了用于驗證一千克標準的世界上最純凈的硅樣品。 砷化鎵是一種半導體，主要用于為手機和衛星等提供電力。新研究得到的砷化鎵樣品呈正方形，邊長與一
半導體激光器的功能及介質介紹
半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異，不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導體激光器件，可分為同質結、單異質結、
半導體激光器的功能和種類
半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異，不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導體激光器件，可分為同質結、單異質結、
雙異質結激光器的結構特點
中文名稱雙異質結激光器英文名稱double hetero junction laser定 義用多次外延法在砷化鎵基片的兩側各生長一層砷化鎵鋁單晶(一層為p型，一層為n型），分別形成一個砷化鎵鋁-砷化鎵異質結而制成的半導體激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），激光器件和激光設備
什么是砷化鎵太陽能電池？
單晶硅是制造太陽能電池的理想材料，但是由于其制取工藝相對復雜，耗能大，仍然需要其他更加廉價的材料來取代。為了尋找單晶硅電池的替代品，人們除開發了多晶硅，非晶硅薄膜太陽能電池外，又不斷研制其它材料的太陽能電池。其中主要包括砷化鎵III-V族化合物，硫化鎘，碲化鎘及銅錮硒薄膜電池等。
砷化鎵太陽能電池性能詳解
砷化鎵太陽能電池 GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好為高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光太陽電池。 砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需
同質結激光器的結構功能
中文名稱同質結激光器英文名稱homojunction laser定 義只用一種半導體材料制備的p-n結型半導體激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），激光器件和激光設備-激光器名稱（三級學科）
異質結激光器的結構功能
中文名稱異質結激光器英文名稱heterostructure laser定 義有源區為窄直接帶隙半導體材料，限制層為寬帶隙半導體材料所形成的三層結構二極管激光器。應用學科材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科）