福建物構所光致變色材料研究取得新進展
光致變色物質具有顏色和多種物理性質可逆變化的特征，其中磁性隨光刺激發生變化（即所謂光磁效應）的化合物除具有一般光致變色物質的強光防護、光開關等功能外，還可能在磁共振成像、光信息存儲等方面發揮重要作用。多氰基配位化合物被認為是最有發展前景的此類材料，多年來備受關注，但是，其光磁效應通常在液氮溫度以下發生，而罕見于室溫附近。因此，發展具有室溫光磁效應的光致變色多氰基配位化合物具有重要的科學意義。 中國科學院福建物質結構研究所結構化學國家重點實驗室研究員郭國聰率領的研究團隊長期從事無機–有機雜化功能物質的結構化學研究。2003年，他們報道了[NdIII(DMF)4(H2O)3(μ-CN)FeIII(CN)5]·H2O (NdFeDMF)的合成和晶體結構。之后，日本和意大利兩個研究小組發現，該化合物及類似的其它3d–4f多氰基配位化合物具有新穎的光磁效應，但光磁轉變溫度低于50 K，且其內在機制尚存在爭議。近期，郭國聰和王明盛研......閱讀全文
光磁效應簡介
光照射物質后,物質磁性（如磁化率、磁晶各向異性、磁滯回線等）發生變化的現象。早在1931年就有光照引起磁化率變化的報道，但直到1967年R.W.蒂爾等人在摻硅的釔鐵石榴石?(YIG)中發現紅外光照射引起磁晶各向異性變化之后才引起人們的重視。這些效應多與非三價離子的代換有關，這種代換使亞鐵磁材料中出現
光磁效應的概念和應用
光照射物質后,物質磁性（如磁化率、磁晶各向異性、磁滯回線等）發生變化的現象。早在1931年就有光照引起磁化率變化的報道，但直到1967年R.W.蒂爾等人在摻硅的釔鐵石榴石?(YIG)中發現紅外光照射引起磁晶各向異性變化之后才引起人們的重視。這些效應多與非三價離子的代換有關，這種代換使亞鐵磁材料中出現
磁光效應和光磁效應的概念
磁光效應克爾磁光效應的最重要應用就是觀察鐵磁材料中難以捉摸的磁疇。因不同磁疇區的磁化強度的不同取向使入射偏振光產生方向、大小不同的偏振面旋轉，再經過檢偏器后就出現了與磁疇相應的明暗不同的區域。利用現代技術,不但可進行靜態觀察,還可進行動態研究。這些都導致一些重要發現和關于磁疇、磁學參數的有效測量。光
基于化合物半導體材料高速光開關的研究2
?高速光開關及光開關陣列是全光交換的核心器件. 首先給出全內反射型光波導光開關器件的理論分析模型, 并基于GaAs 材料中的載流子注入效應, 采用GaAs-AlGaAs 雙異質結結構,研制了工作波長在1.55 μm 的X 結全內反射型和馬赫曾德干涉型兩種結構的光開關. 測試結果表明, 開關的消光比均
福建物構所光致變色材料研究取得新進展
光致變色物質具有顏色和多種物理性質可逆變化的特征，其中磁性隨光刺激發生變化（即所謂光磁效應）的化合物除具有一般光致變色物質的強光防護、光開關等功能外，還可能在磁共振成像、光信息存儲等方面發揮重要作用。多氰基配位化合物被認為是最有發展前景的此類材料，多年來備受關注，但是，其光磁效應通常在液氮溫度以
磁性金屬測定儀應用纖維材料磁體磁化的退磁效應
????? 現在的磁性金屬纖維材料的應用在磁性金屬測定儀是一個比較理想和好的發展方向，但是對于該材料的制備和一些特征功能的表征還是比價少的。提出使用磁場來指導水溶性降低磁性金屬纖維由的新思想,分析了用這種方法制備的磁性金屬纖維的機理和動力學過程。磁性金屬檢測儀給出了實驗結果表明,磁場引導水溶性還原法
化合物半導體材料的材料優勢
化合物半導體集成電路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗輻射。以GaAs為例，通過比較可得：1.化合物半導體材料具有很高的電子遷移率和電子漂移速度，因此，可以做到更高的工作頻率和更快的工作速度。2.肖特基勢壘特性優越，容易實現良好的柵控特性的MES結構。3.本征電阻率高，為半絕緣襯底。電路工藝中便
新材料“吃進”低能光“吐出”高能光
美國得克薩斯大學奧斯汀分校研究人員領銜的團隊創造了一種新型材料，可吸收低能量光并將其轉化為高能量光。這種新材料由超小硅納米粒子和有機分子組成，能有效地在其有機和無機成分之間移動電子，可用于更高效的太陽能電池板、更精確的醫學成像和更好的夜視鏡。研究成果發表在最新一期《自然·化學》雜志上。新型材料將有機
新材料“吃進”低能光“吐出”高能光
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/502814.shtm美國得克薩斯大學奧斯汀分校研究人員領銜的團隊創造了一種新型材料，可吸收低能量光并將其轉化為高能量光。這種新材料由超小硅納米粒子和有機分子組成，能有效地在其有機和無機成分之間移動電子，可
山東大學團隊：電控磁效應調控二維磁性材料物性新進展
近日，山東大學微電子學院教授王以林團隊及合作者在電控磁效應調控二維磁性材料物性研究中取得新進展，相關成果發表在材料領域權威期刊《先進功能材料》。 二維磁性材料由于其超薄厚度和弱層間范德華相互作用，其磁性能如居里溫度（奈爾溫度）、磁各向異性、矯頑力等可以通過載流子濃度、層間距、應力應變、界面等多
化合物液體旋光的測定方法
1.比旋度的測定先將測定管用供試品溶液沖洗數次,緩緩注入供試品溶液適量(注意勿使產生氣泡),置于旋光計內檢測讀數,即得供試品溶液的旋光度。使偏振光向右旋轉者(順時針方向)為右旋,以“+“符號表示;使偏振光向左旋轉者(反時針方向)為左旋“—”符號表示。同法讀取旋光度3次,取3次的平均數,按照式(1)和
光介質材料的功能介紹
光介質材料是傳輸光線的材料。入射的光線經過折射、反射會改變光線的方向、位相和偏振態；還可經過吸收或散射改變光線的強度和光譜成分。傳統上常把光學材料限定為晶態（光學晶體）、非晶態（光學玻璃）、有機化合物（光學塑料）。
光伏材料拉力檢測設備
一、光伏材料拉力檢測設備使用范圍及技術說明：1、適用范圍：可進行金屬線材與非金屬、高分子材料等的拉伸、剝離、壓縮、彎曲、剪切、頂破、戳穿、疲勞等項目的檢測。可根據客戶產品要求按GB、ISO、ASTM、JIS、EN等標準編制，能自動求取zui大試驗力，斷裂力，屈服力，抗拉強度，抗壓強度，彎曲強度，彈性
光伏材料試驗機
光伏材料試驗機技 術 參 數光伏材料試驗機配? 置1.規格：QX-W400D2．精度等級：1級3．大負荷：5000N4．有效測力范圍：1/500-100/%;5．測力精度 ：示值的±1%以內；6．試驗力分辨率，大負荷50萬碼；內外不分檔，且全程分辨率不變。7．有效試驗寬度：150mm8．有效拉伸空間
化合物半導體材料的性質
多數化合物半導體都含有一個或一個以上揮發性組元，在熔點時揮發性組元會從熔體中全部分解出來。因此化合物半導體材料的合成、提純和單晶制備技術比較復雜和困難。維持熔體的化學計量比，是化合物半導體材料制備的一個重要條件。
化合物半導體材料的定義
化合物半導體材料是由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質的稱為化合物半導體材料。
化合物半導體材料的應用
化合物半導體材料已廣泛應用：在軍事方面可用于智能化武器、航天航空雷達等方面，另外還可用于手機、光纖通信、照明、大型工作站、直播通信衛星等商用民用領域 。
化合物半導體材料的分類
化合物半導體材料種類繁多，性質各異，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體及其固溶體材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體(SiC)和氧化物半導體(Cu2O)等。它們中有寬禁帶材料，也有高電子遷移率材料；有直接帶隙材料，也有間接帶隙材料。因此化合物半導體材料比起元素半導體來，有更廣泛的用途。
化合物半導體材料的概念
化合物半導體材料是由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質的稱為化合物半導體材料。
化合物半導體材料的種類
化合物半導體材料種類繁多，性質各異，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體及其固溶體材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體(SiC)和氧化物半導體(Cu2O)等。它們中有寬禁帶材料，也有高電子遷移率材料；有直接帶隙材料，也有間接帶隙材料。因此化合物半導體材料比起元素半導體來，有更廣泛的用途。
化合物液體旋光的注意事項
1.物質比旋度與測定光源,測定波長、溶劑、濃度和溫度等因素有關。因此表示物質出發度應測定條件。2.測定前應以溶劑做空白校正,測定后再校正次以確定在測定時零點有無變動如2次正發現零點有變動,則應重新測定旋光度。3.供式品溶液應充分溶解、澄清。配制供試品溶液以及測定時,應調節溫度至或品種項下規定的溫度。
基礎材料關系光伏電站未來
由青海省發改委聯合中國可再生能源學會國際合作中心、中國可再生能源學會光伏專業委會共同主辦"國內電站高效可靠運營與光伏材料技術研討會"于2013年 8月13日在青海西寧隆重召開。此次會議邀請了來自政府、行業協會、研究機構、金融機構、電力公司和杜邦公司在內的20余位行業專家和代表出席，共同探討大
光介質材料的定義和特性
光介質材料是傳輸光線的材料。入射的光線經過折射、反射會改變光線的方向、位相和偏振態；還可經過吸收或散射改變光線的強度和光譜成分。傳統上常把光學材料限定為晶態（光學晶體）、非晶態（光學玻璃）、有機化合物（光學塑料）。
化合物半導體材料的組成介紹
化合物半導體材料是由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質的稱為化合物半導體材料。
化合物半導體材料的制備方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制備化合物半導體單晶，用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等制備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。
化合物半導體材料的制備方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制備化合物半導體單晶，用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等制備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。
化合物半導體材料的基本性質
多數化合物半導體都含有一個或一個以上揮發性組元，在熔點時揮發性組元會從熔體中全部分解出來。因此化合物半導體材料的合成、提純和單晶制備技術比較復雜和困難。維持熔體的化學計量比，是化合物半導體材料制備的一個重要條件。
鋰電材料石墨層間化合物的介紹
石墨晶體是碳原子以共價鍵結合成的六角環形（碳原子間距為0.142nm）片狀體的層疊結構，層面與層面之間距離較大（0.335nm），利用化學或物理的方法在石墨晶體的層面間插入各種分子、原子或離子，而不破壞其二維結構，只是使其層面間距增大，形成一種石墨特有的化合物稱之為石墨層間化合物（也稱石墨插層化
我國科學家首次觀測到Weyl半金屬手征磁效應
Weyl（外爾）半金屬的物性研究一直是凝聚態物理學的前沿熱點之一，其中Weyl半金屬材料的手征磁效應只存在于理論預言中，由于材料制備的困難和表征手段的缺乏，至今尚未在實驗室直接觀測到手征磁效應。 近日，南京大學于揚課題組與香港課題組合作，利用超導量子電路首次模擬出外爾半金屬能帶，并在此基礎上演
光伏原材料將劃準入“硬杠杠”
8月28日，工信部電子信息司對《光伏制造行業規范條件(征求意見稿)》公開征求意見。硅產業綠色發展戰略聯盟秘書長白洪強接受采訪時表示，《條件》對項目規模和光電轉換效率給出了“硬杠杠”，其中晶硅類項目指標處于行業中高水平，新增了薄膜電池組件相關內容;企業研發投入設立最低限。 白洪強表示，《條件