寧波材料所高品質碳化硅陶瓷先驅體研制獲進展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高溫、耐磨損、耐腐蝕、耐輻照、抗氧化、熱膨脹率小和熱導率高等優異的綜合性能，在航空航天、核電、高速機車、武器裝備等關鍵領域具有重要的應用價值。SiC陶瓷因其極高的熱穩定性和強度，成型加工困難。 目前，國際上陶瓷材料的制備主要采用傳統的粉末成型方法，包括微粉制備、成型（壓延、擠塑、干壓、等靜壓、澆注、注射等方式）、燒結（熱壓燒結、反應燒結、常壓燒結、氣氛壓燒結、熱等靜壓燒結、放電等離子體燒結等方式）、加工等過程。最近30年，陶瓷材料新型制備工藝層出不窮，在各個環節上均有所突破，但仍存在局限性，制備溫度高（雖然添加燒結助劑可降低燒結溫度，但燒結助劑又會影響陶瓷的性能）、不易獲得均勻的化學成分與微觀結構、難以進行精加工以及陶瓷材料高脆性難以解決等問題。 先進的陶瓷制備技術必須在原料制備、成型、燒結等方面有所突破。自1975年Yajima等利用聚碳硅烷制備出SiC陶瓷纖維后，先驅體轉化陶瓷技術進入人們的......閱讀全文
碳化硅－(SiC)：歷史與應用
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用。利用當代技術，人們已使用SiC 開發出高質量的工業級陶瓷。這些陶瓷
寧波材料所制備出新型碳化硅陶瓷致密化燒結助劑
碳化硅陶瓷作為現代工程陶瓷之一，其硬度僅次于金剛石，具有熱膨脹系數小、熱導率高、化學穩定性好、耐磨性能高、在高溫下仍具有良好力學性能和抗氧化性能等突出的物理化學性質，成為最具發展前景的結構陶瓷，可以廣泛應用于石油化工、冶金機械、微電子器件和航空航天等領域。同時，SiC還具有低的中子活性、良好的耐
寧波材料所制備出新型碳化硅陶瓷致密化燒結助劑
碳化硅陶瓷作為現代工程陶瓷之一，其硬度僅次于金剛石，具有熱膨脹系數小、熱導率高、化學穩定性好、耐磨性能高、在高溫下仍具有良好力學性能和抗氧化性能等突出的物理化學性質，成為最具發展前景的結構陶瓷，可以廣泛應用于石油化工、冶金機械、微電子器件和航空航天等領域。同時，SiC還具有低的中子活性、良好的耐
徐慢教授研發出碳化硅陶瓷膜新材料
無獨有偶，武漢工程大學徐慢教授研發的碳化硅陶瓷膜新材料，讓過濾網在高腐蝕性、易沉積等環境下仍然能有效過濾掉'有害物質'。他與深圳一家公司達成合作，這項技術的評估價格為1500萬元。徐慢教授表示，按照我省最新的科研成果轉化鼓勵政策，他所在的科研團隊獲得可觀收益，大家的科研創新積極性倍增。 氫氣
上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進展
碳化硅（SiC）陶瓷結構件在各類新應用場景的需求逐漸增多。例如，核工業領域的大尺寸復雜形狀SiC陶瓷核反應堆芯；集成電路制造關鍵裝備光刻機的SiC陶瓷工件臺、導軌、反射鏡、陶瓷吸盤、手臂等；新能源鋰電池生產配套的中高端精密SiC陶瓷結構件；光伏行業生產用擴散爐配套高端精密SiC陶瓷結構件和電子半
此類新型材料在催化領域中的應用
近日，大連化學物理研究所電鏡技術研究組（DNL2002）劉岳峰副研究員與法國斯特拉斯堡大學Cuong Pham-Huu主任研究員、意大利科學院ICCOM研究所Giuliano Giambastiani主任研究員、常州大學郭向云教授等團隊合作發表綜述文章，系統總結了多孔碳化硅材料在多相催化領域中的
高壓碳化硅解決方案：改善4HSiC晶圓表面的缺陷問題1
碳化硅(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但盡管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進，這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實，晶圓襯底的表面處理時間越長，則表面缺陷率也會跟著增加。 碳化硅(SiC)兼有寬能帶隙、高電擊穿場強、高熱導率、高
高壓碳化硅解決方案：改善4HSiC晶圓表面的缺陷問題2
其他儀器方面，本實驗使用Nanometrics公司的Stratus傅立葉變換紅外光譜儀(FT-IR)測量樣品厚度。表面分析實驗則使用Dimension 3100原子力顯微鏡(AFM)。顯微鏡為接觸測量模式，裝備一個單晶矽針尖。為取得更大的掃描區域，掃描尺寸是90×90μm2，掃描
寧波材料所高品質碳化硅陶瓷先驅體研制獲進展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高溫、耐磨損、耐腐蝕、耐輻照、抗氧化、熱膨脹率小和熱導率高等優異的綜合性能，在航空航天、核電、高速機車、武器裝備等關鍵領域具有重要的應用價值。SiC陶瓷因其極高的熱穩定性和強度，成型加工困難。 目前，國際上陶瓷材料的制備主要采用傳統的粉末成型方法，包括微粉制備、成型（
寧波材料所在電場輔助連接技術研究中取得進展
碳纖維增強碳復合材料（Carbon fiber reinforced carbon composites, Cf/C）具有密度低、高熱導、低熱膨脹系數以及在高溫下良好的抗熱震性和優異的耐磨性質，被認為是火箭防護罩、噴管及航天飛行器剎車片的候選材料之一。同時，由于其較低的中子活性，在核聚變/裂變堆
2024－SIC半導體展|上海SIC半導體展|
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
麻省理工學院開發碳化硅核燃料包殼材料
近期，美國麻省理工學院(MIT)的研究人員正在測試碳化硅(SiC)陶瓷基體燃料包殼材料，這種材料能把產生氫氣的風險降低幾千倍，并為核燃料提供與鋯合金類似的保護。 世界上其他研究機構也提出將SiC用于核燃料包殼，而MIT目前正在開展最為詳細的測試和模擬。MIT的Kazimi教授及其團隊不僅在
攻關克難－寧波材料所碳化硅先驅體研究獲進展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、耐輻照、強度大、硬度高、熱膨脹率小等優異的綜合性能，在能源安全領域扮演著重要的角色。目前陶瓷材料包括SiC陶瓷的成型主要采用傳統的粉末方法，即從微粉制備、成型（包括壓延、擠塑、干壓、等靜壓、澆注、注射等方式）、燒結到加工這一過程。近30年來，陶瓷材
2024邀您參展|中國(上海)國際第三代半導體碳化硅SiC博覽會
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
2024半導體展會|2024中國（上海）氮化(GaN)和碳化硅(SiC)博覽會「官網」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
碳化硅提取液中陰陽離子的測定
碳化硅（SiC）又名金剛砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。目前中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體。碳化硅由化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好等特點，主要有四大應用領域，即：功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料，高純
2024第21屆北京國際第三代半導體碳化硅SiC與加工設備展覽會
2024年第二十一屆中國國際半導體博覽會（IC CHINA）時 間：2024 年 9 月 5 一 7 日地 點：中國·北京 · 北人亦創國際會展中心參展咨詢：021-5416 3212大會負責人：李經理 136 5198 3978（同微）作為中國半導體行業協會主辦的唯一展覽會，自 2003 年起已連
半導體展會|2024上海第三代半導體碳化硅SiC展覽會「上海半導體展」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
關于碳化硅，你不知道的事……
碳和硅的原子序數分別為6和14，在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期，即上下相鄰的位置。這種位置關系，表明它們在某些方面具有類似的性質。 碳元素在我們的生活中無處不在，含碳化合物是生命的物質基礎。硅也在地殼中的含量巨大，尤其是它在半導體和現代通訊業中的應用，推動了人類文明的發展。
SiC同質外延厚度分析
鈍化層分析 鈍化層作為保護層、絕緣層或抗反射層，在半 導體材料中扮演著重要的角色。 VERTEX 系列 光譜儀是分析鈍化層的理想工具，它可以實 現快速靈敏的無損分析。 磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等離子層和Si-O基鈍化層 分析超低K層
寧波材料所在碳化硅復合材料綠色低成本技術取得進展
先驅體轉化碳化硅陶瓷基復合材料（CMCs）主要應用于制備具有耐高溫、抗氧化、耐磨性好、熱膨脹率小、導電導熱性好、硬度高和耐腐蝕等優異性能的，并可近凈尺寸成型的高性能陶瓷材料和纖維增強陶瓷基復合材料；目前已被廣泛應用于高端科技與國防軍事領域，如空間遙感成像光學系統輕量化支撐結構件、航空航天發動機熱
SiCLED研究中取得進展－為我國SiC產業注入新活力
中國科學院上海硅酸鹽研究所與半導體研究所通過聯合攻關，在SiC-LED技術路線方面中涉及的核心技術，如SiC單晶襯底、外延、芯片和燈具封裝等方面取得了突破性進展，研制出了多種結構的SiC-LED，并封裝成了燈具，完全打通了SiC-LED技術路線，為SiC-LED技術在半導體照明產業領域的推廣打下
物理所成功研制6英寸碳化硅單晶襯底
碳化硅（SiC）單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強大、熱導率高、飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外，由于SiC和氮化鎵（GaN）的晶格失配小，SiC單晶是GaN基LED、肖特基二極管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想襯底材
SiC和GaN技術將成為太陽能逆變器制勝關鍵
根據研究機構Lux Research報告顯示，受太陽能模組的下游需求驅動，寬禁帶半導體——即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)將引領太陽能逆變器隔離器市場在2020年達到14億美元，意味著其穩定的復合增長率(CAGR)達到7%，略低于可再生能源和基于電網的能源設備的復合增長率9%。隨著GaN
LAICPMS法測定碳化硅器件中雜質元素
1引言? 碳化硅（SiC）陶瓷具有高溫強度大、硬度高、耐腐蝕性強、熱穩定性佳、耐磨性好等優良特性，在許多領域得到廣泛應用。痕量元素的含量及分布對碳化硅材料的性能有很大影響[1]，因此測定碳化硅中微量元素對控制其質量具有重要意義。添加氧化鋁和氧化釔的碳化硅經 2000 ℃燒結后器件，具有尺寸大、
碳化硅外延層厚度及其均勻性的無損檢測——紅外顯微系統
第三代半導體碳化硅材料快速發展 近年來，5G通信、新能源汽車、光伏行業推動了第三代半導體材料碳化硅（SiC）技術的快速發展。相較于成熟的硅（Si）材料，SiC具有禁帶寬、擊穿電場高、電子飽和遷移率高、熱導率高等優良的物理化學特性，是制備高溫、高壓、高頻、大功率器件的理想材料，如電力轉換器、光伏
傅里葉紅外光譜儀在第三代Sic半導體應用
據消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。當前，以碳化硅為代表的第三代半導體已逐漸受到國內外市場重視，不少半導體廠商已率
電子器件的光伏逆變器研制及示范應用項目通過驗收
?? 近日，科技部高新司在廈門組織召開了“十二五”國家863計劃“基于國產寬禁帶電力電子器件的光伏逆變器研制及示范應用”項目驗收會。?? 項目以實現碳化硅和氮化鎵光伏逆變器的示范應用為最終目標，開發了低缺陷SiC外延生長技術、攻克了氮化鎵二極管及增強型氮化鎵三極管設計技術、碳化硅二級管及MOSFET
寧波材料所就核用碳化硅及核能材料基因組工程發表觀點
核能的發展與安全性提升，離不開新型核材料的出現以及對于傳統核材料的改進。自2011年福島核事故以來，人們對反應堆包殼材料提出了事故容錯性的迫切需求，即在核安全事故發生后的一段時間內，包殼材料能夠保持其結構與功能的完整性，進而為后續的救助與修復工作爭取時間。近期，中國科學院寧波材料技術與工程研究所
陶瓷氣凝膠研究取得新進展
西安交通大學材料學院王紅潔教授課題組基于前期在彈性陶瓷氣凝膠變形和隔熱機理方面的相關研究，從結構設計的角度，提出并制備了一種由碳化硅基陶瓷納米線構筑的層狀陶瓷氣凝膠。近日，該研究成果發表于《自然·通訊》。 陶瓷氣凝膠具有輕質、化學穩定和超級隔熱等優點，但其應用受到脆性和低強度的限制。為了提高其