寧波材料所高品質碳化硅陶瓷先驅體研制獲進展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高溫、耐磨損、耐腐蝕、耐輻照、抗氧化、熱膨脹率小和熱導率高等優異的綜合性能，在航空航天、核電、高速機車、武器裝備等關鍵領域具有重要的應用價值。SiC陶瓷因其極高的熱穩定性和強度，成型加工困難。 目前，國際上陶瓷材料的制備主要采用傳統的粉末成型方法，包括微粉制備、成型（壓延、擠塑、干壓、等靜壓、澆注、注射等方式）、燒結（熱壓燒結、反應燒結、常壓燒結、氣氛壓燒結、熱等靜壓燒結、放電等離子體燒結等方式）、加工等過程。最近30年，陶瓷材料新型制備工藝層出不窮，在各個環節上均有所突破，但仍存在局限性，制備溫度高（雖然添加燒結助劑可降低燒結溫度，但燒結助劑又會影響陶瓷的性能）、不易獲得均勻的化學成分與微觀結構、難以進行精加工以及陶瓷材料高脆性難以解決等問題。 先進的陶瓷制備技術必須在原料制備、成型、燒結等方面有所突破。自1975年Yajima等利用聚碳硅烷制備出SiC陶瓷纖維后，先驅體轉化陶瓷技術進入人們的......閱讀全文
碳化硅外延層厚度及其均勻性的無損檢測——紅外顯微系統
第三代半導體碳化硅材料快速發展近年來，5G通信、新能源汽車、光伏行業推動了第三代半導體材料碳化硅（SiC）技術的快速發展。相較于成熟的硅（Si）材料，SiC具有禁帶寬、擊穿電場高、電子飽和遷移率高、熱導率高等優良的物理化學特性，是制備高溫、高壓、高頻、大功率器件的理想材料，如電力轉換器、光伏逆變器、
我國首個碳化硅新型充電樁示范工程正式啟動
近日，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，北京華商三優新能源科技有限公司承辦的“碳化硅新型充電樁示范工程啟動暨技術與應用研討會”在北京召開。原科技部副部長曹健林，中國工程院院士李仲平，原科技部高新司司長趙玉海，科技部高技術中心相關人員，北京市科委、中國可再生能源學會、第三代半導體產業技術創新
2024－SIC半導體展|上海SIC半導體展|上海國際半導體技術展
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
耐磨熱電偶用耐磨材質的對比
1、金屬陶瓷耐磨：采用重結晶碳化硅金屬陶瓷保護管，高溫可達1300℃，內裝K分度或S分度鎧裝芯體，專門適用于水泥窯尾、循環硫化床等高溫強耐磨工況的溫度測量。 材質成分：SiC 使用溫度：0～1300℃ 2、熱風爐專用耐磨：采用新型碳化硅金屬陶瓷保護管，高溫可達1300℃，內芯為S分度或B分度高
耐磨熱電偶用耐磨材質的對比
?? 1、金屬陶瓷耐磨：采用重結晶碳化硅金屬陶瓷保護管，高溫可達1300℃，內裝K分度或S分度鎧裝芯體，專門適用于水泥窯尾、循環硫化床等高溫強耐磨工況的溫度測量。 材質成分：SiC 使用溫度：0～1300℃ 2、熱風爐耐磨：采用新型碳化硅金屬陶瓷保護管，高溫可達1300℃，內芯為S分度或B分度
天科合達成為英飛凌國產碳化硅材料供應商
5月3日，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱天科合達）與英飛凌公司簽訂了一份長期供貨協議，天科合達將為英飛凌供應用于生產碳化硅（SiC）半導體的6英寸碳化硅材料，其供應量占英飛凌未來長期預測需求的兩位數份額。據悉，天科合達孵化于中國科學院物理研究所（以下簡稱物理所），英飛凌公司前身是西門子集團
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（一）
全球有40%的能量作為電能被消耗了, 而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。我國作為世界能源消費大國, 如何在功率電子方面減小能源消耗成了一個關鍵的技術難題。伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。 早在1893年諾貝爾獎獲得者法國化
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（二）
最近接連有消息報道，在美國和歐洲，氮化鎵和碳化硅技術除了在軍用雷達領域和航天工程領域得到了應用，在電力電子器件市場也有越來越廣泛的滲透。氮化鎵/碳化硅技術與傳統的硅技術相比，有哪些獨特優勢？ 大家最近都在談論摩爾定律什么時候終結？硅作為半導體的主要材料在摩爾定律的規律下已經走過了50多
陶瓷氣凝膠研究取得新進展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512177.shtm西安交通大學材料學院王紅潔教授課題組基于前期在彈性陶瓷氣凝膠變形和隔熱機理方面的相關研究，從結構設計的角度，提出并制備了一種由碳化硅基陶瓷納米線構筑的層狀陶瓷氣凝膠。近日，該研究成果
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？－（一）
日前，據日本媒體報道，日本經濟產業省（METI）計劃為致力于開發新一代低能耗半導體材料“氧化鎵”的私營企業和大學提供財政支持。報道指出，METI將為明年留出大約2030萬美元的資金去資助相關企業，預計未來5年的資助規模將超過8560萬美元。 ? 眾所周知，經歷了日美“廣場協定”的日本
新材料從水中提取可再生能源
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2021/3/454955.shtm ?立方碳化硅在水中 ? 圖片來源：Thor Balkhed/LiU 只借助陽光就從水中“取出”氫氣？瑞典林雪平大學研究人員開發出一種新材料——納米多孔立方碳化硅（3C-
高溫耐磨熱電偶耐磨頭的不同材質
高溫耐磨熱電偶耐磨頭的壽命是與熱電偶保護管材質有關。解決方法選擇好的熱電偶制造商，選好的保護管，高溫耐磨熱電偶是電廠循環流化訂鍋爐,沸騰鍋爐,粉磨煤機造氣爐和水泥廠系列窯頭,窯尾,爐頭罩及化工,冶煉等高溫耐磨環境較為理想的高技術類專用產品系列博采眾長,采用獨特的工藝配方,在失態平衡中制作出耐磨合金
6英寸碳化硅單晶襯底研制成功
近日，中國科學院物理研究所北京凝聚態物理國家實驗室（籌）先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）單晶襯底。 據悉，碳化硅屬于第三代半導體材料，是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。 上圖 科研人員在
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破
6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己
SiCM（Nb，Mo，Re）陶瓷先驅體的合成與陶瓷纖維制備研究
在SiC陶瓷材料中添加某些異質元素可以有效地抑制其高溫條件下的β-SiC析晶,并起到燒結助劑作用,本文在SiC陶瓷先驅體的基礎上,引入異質元素(如Nb、Mo、Re等),通過異質元素與Si形成超高溫硅化物,與C形成超高溫碳化物,或金屬間化合物,進一步提高SiC陶瓷及其纖維的耐溫性、抗氧化性能。本文選用
浙大成功生長出50mm厚6英寸碳化硅單晶
據浙江大學杭州國際科創中心發布，近日浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院-乾晶半導體聯合實驗室和浙江大學硅材料國家重點實驗室在浙江省“尖兵計劃”等研發項目的資助下，成功生長出厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導體碳化硅產業發展或將迎來發
碳化硅展|2024上海國際碳化硅展覽會「官網」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破
6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己
Ti3SiC2的MA合成法
圖1.? 研究中使用的行星式研磨機罐體。 由按化學計量組成所需的Ti、Si、C元素粉末混合物合成的機械合金Ti3SiC2是通過使用行星式球磨機來實現的，這種球磨機帶有機械合金罐，而且能夠在機械合金過程中實時測量溫度和氣體壓力。當混合后的粉末機械合金后的某一段時間里，偵測到突然的氣體壓力和溫
GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界
眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。 GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 不過，姑且不論摩爾定律（Moors
我國第三代半導體材料制造設備取得新突破
近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。 通常，國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高
氧化鎵和碳化硅功率芯片的技術差異
SiC（碳化硅）商業化已經20 多年了，GaN 商業化還不到5 年時間。因此人們對GaN 未來完整的市場布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能夠耐高壓、耐熱，但是缺點是頻率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。現在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅長高頻，效率可以做得非常好。例如，
陶瓷纖維布能做陶瓷墊片嗎
陶瓷纖維布具有抗熔觸鋁，鋅等有色金屬浸蝕能力；具有良好的底溫和高溫強度；無毒、無害、對環境無不良影響；施工安裝方便；應用范圍：建筑建材防火裝飾及消防隔斷內襯。各種窯爐、高溫管道及容器隔熱保溫；爐門、閥門、法蘭密封、防火門及防火卷簾材料、高溫爐門敏幕簾；汽車排氣管及發動機及儀表隔熱，電焊，電爐煉鋼爐前
日本科研團隊發現新的超導形成機制
東京大學和東京工業大學在合作研究中發現，通過在碳化硅（SiC）晶體基板表面制作單一原子層的石墨烯，然后向其上面蒸鍍鈣（在真空中層積原子）并進行加熱處理，制作出的樣品在冷卻后具備超導特性。相關論文發表在美國化學學會雜志《ACS Nano》上。 研究人員認為，這一超導現象是由于鈣原子直接結合到Si
陶瓷過濾器的性能特點介紹
過濾特性 過濾特性中最主要的是上述的收塵效率，其次還有過濾容量、氣孔堵塞問題等。 過濾容量 對于潔凈的流體，通過陶瓷過濾器層的流體滲透量與面積、壓力差成正比，與板厚、粘性系數成反比。將過濾（器）層看作毛細管的集合，通過毛細管的流體流量，可用下式表示： v=（π·d4·ΔP）/（128η·
高溫電爐的硅碳棒重要性
硅碳棒高溫電爐是一種易碎的元件，硅碳棒質脆易斷，拆卸安裝時應特別小心。更換硅碳棒時，應選用相同規格且阻值相等 或相近的硅碳棒。先卸下高溫爐上下兩面的保護罩和硅碳棒的接線夾，取出損壞的硅碳棒， 換上合格的硅碳棒，裝上接線夾和保護罩。導電電極用不銹鋼板制成，緊固在瓷塔支架上。 導電電極如果燒蝕嚴重，應及
馬弗爐硅碳棒的化學特性
馬弗爐也稱為箱式高溫爐，但是硅碳棒是一種易碎的元件，馬弗爐中硅碳棒的維護措施。?? ? ?硅碳棒質脆易斷，拆卸安裝時應特別小心。更換硅碳棒時，應選用相同規格且阻值相等 或相近的硅碳棒。先卸下高溫爐上下兩面的保護罩和硅碳棒的接線夾，取出損壞的硅碳棒， 換上合格的硅碳棒，裝上接線夾和保護罩。導電電極用不
第三代半導體有望寫入下月十四五規劃－成國產替代希望
近日，有媒體報道稱，權威消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。國信證券研報中指出半導體第三代是指半導體材料的變化，從第一代、
碳化硅雜化聚合物原料性能介紹
碳化硅雜化聚合物原料性能介紹 碳化物，是金剛石的混合體，故取名金剛砂，碳化硅微粉在油漆和涂料： 1、樹脂用量少/加量的潛力大：因為形狀中，球形具有小的比表面積，對樹脂的需求量也少。顆粒的堆積情況。碳化硅陶瓷微粉的寬的粒徑分布使得小的微球能夠填充到大的微球之間的空隙中。其結果就是：高加入量、高
我國科研團隊在碳化硅集成光量子糾纏器件領域取得新突破
記者從哈爾濱工業大學（深圳）獲悉，該校集成電路學院教授宋清海、周宇團隊在碳化硅集成光量子糾纏器件領域取得新突破，將進一步推進集成光量子信息技術在量子網絡和量子傳感領域的應用。相關研究成果于近日發表在《自然·通訊》上。波導集成的碳化硅電子－核量子糾纏示意圖。（科研團隊供圖）研究團隊通過在絕緣體上碳化硅