日本科研團隊發現新的超導形成機制
東京大學和東京工業大學在合作研究中發現，通過在碳化硅（SiC）晶體基板表面制作單一原子層的石墨烯，然后向其上面蒸鍍鈣（在真空中層積原子）并進行加熱處理，制作出的樣品在冷卻后具備超導特性。相關論文發表在美國化學學會雜志《ACS Nano》上。 研究人員認為，這一超導現象是由于鈣原子直接結合到SiC晶體表面，使原來單原子層的石墨烯變成雙原子層，而鈣原子穿入到兩層石墨烯的夾層之間，從而產生超導性。這也表明，除了正常金屬電子態之外，石墨烯狄拉克粒子電子態以及特異電子態“范霍夫奇點”也與超導特性的形成有關。該研究成果意味著，在作為功率元件而備受關注和研究的SiC基板上可制作出石墨烯二維超導體。......閱讀全文
碳化硅－(SiC)：歷史與應用
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用。利用當代技術，人們已使用SiC 開發出高質量的工業級陶瓷。這些陶瓷
日本科研團隊發現新的超導形成機制
東京大學和東京工業大學在合作研究中發現，通過在碳化硅（SiC）晶體基板表面制作單一原子層的石墨烯，然后向其上面蒸鍍鈣（在真空中層積原子）并進行加熱處理，制作出的樣品在冷卻后具備超導特性。相關論文發表在美國化學學會雜志《ACS Nano》上。 研究人員認為，這一超導現象是由于鈣原子直接結合到Si
高壓碳化硅解決方案：改善4HSiC晶圓表面的缺陷問題2
其他儀器方面，本實驗使用Nanometrics公司的Stratus傅立葉變換紅外光譜儀(FT-IR)測量樣品厚度。表面分析實驗則使用Dimension 3100原子力顯微鏡(AFM)。顯微鏡為接觸測量模式，裝備一個單晶矽針尖。為取得更大的掃描區域，掃描尺寸是90×90μm2，掃描
高壓碳化硅解決方案：改善4HSiC晶圓表面的缺陷問題1
碳化硅(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但盡管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進，這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實，晶圓襯底的表面處理時間越長，則表面缺陷率也會跟著增加。 碳化硅(SiC)兼有寬能帶隙、高電擊穿場強、高熱導率、高
2024－SIC半導體展|上海SIC半導體展|
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
2024半導體展會|2024中國（上海）氮化(GaN)和碳化硅(SiC)博覽會「官網」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
2024邀您參展|中國(上海)國際第三代半導體碳化硅SiC博覽會
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
中國科大實現基于碳化硅的高壓原位磁探測
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497241.shtm 我校郭光燦院士團隊在碳化硅色心高壓量子精密測量研究中取得重要進展。該團隊李傳鋒、許金時、王俊峰等人與中科院合肥物質科學研究院固體所高壓團隊劉曉迪研究員等合作，在國際上首次實現了基
半導體展會|2024上海第三代半導體碳化硅SiC展覽會「上海半導體展」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
2024第21屆北京國際第三代半導體碳化硅SiC與加工設備展覽會
2024年第二十一屆中國國際半導體博覽會（IC CHINA）時 間：2024 年 9 月 5 一 7 日地 點：中國·北京 · 北人亦創國際會展中心參展咨詢：021-5416 3212大會負責人：李經理 136 5198 3978（同微）作為中國半導體行業協會主辦的唯一展覽會，自 2003 年起已連
SiC同質外延厚度分析
鈍化層分析 鈍化層作為保護層、絕緣層或抗反射層，在半 導體材料中扮演著重要的角色。 VERTEX 系列 光譜儀是分析鈍化層的理想工具，它可以實 現快速靈敏的無損分析。 磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等離子層和Si-O基鈍化層 分析超低K層
物理所成功研制6英寸碳化硅單晶襯底
碳化硅（SiC）單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強大、熱導率高、飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外，由于SiC和氮化鎵（GaN）的晶格失配小，SiC單晶是GaN基LED、肖特基二極管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想襯底材
SiCLED研究中取得進展－為我國SiC產業注入新活力
中國科學院上海硅酸鹽研究所與半導體研究所通過聯合攻關，在SiC-LED技術路線方面中涉及的核心技術，如SiC單晶襯底、外延、芯片和燈具封裝等方面取得了突破性進展，研制出了多種結構的SiC-LED，并封裝成了燈具，完全打通了SiC-LED技術路線，為SiC-LED技術在半導體照明產業領域的推廣打下
SiC和GaN技術將成為太陽能逆變器制勝關鍵
根據研究機構Lux Research報告顯示，受太陽能模組的下游需求驅動，寬禁帶半導體——即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)將引領太陽能逆變器隔離器市場在2020年達到14億美元，意味著其穩定的復合增長率(CAGR)達到7%，略低于可再生能源和基于電網的能源設備的復合增長率9%。隨著GaN
碳化硅外延層厚度及其均勻性的無損檢測——紅外顯微系統
第三代半導體碳化硅材料快速發展 近年來，5G通信、新能源汽車、光伏行業推動了第三代半導體材料碳化硅（SiC）技術的快速發展。相較于成熟的硅（Si）材料，SiC具有禁帶寬、擊穿電場高、電子飽和遷移率高、熱導率高等優良的物理化學特性，是制備高溫、高壓、高頻、大功率器件的理想材料，如電力轉換器、光伏
傅里葉紅外光譜儀在第三代Sic半導體應用
據消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。當前，以碳化硅為代表的第三代半導體已逐漸受到國內外市場重視，不少半導體廠商已率
電子器件的光伏逆變器研制及示范應用項目通過驗收
?? 近日，科技部高新司在廈門組織召開了“十二五”國家863計劃“基于國產寬禁帶電力電子器件的光伏逆變器研制及示范應用”項目驗收會。?? 項目以實現碳化硅和氮化鎵光伏逆變器的示范應用為最終目標，開發了低缺陷SiC外延生長技術、攻克了氮化鎵二極管及增強型氮化鎵三極管設計技術、碳化硅二級管及MOSFET
寧波材料所制備出新型碳化硅陶瓷致密化燒結助劑
碳化硅陶瓷作為現代工程陶瓷之一，其硬度僅次于金剛石，具有熱膨脹系數小、熱導率高、化學穩定性好、耐磨性能高、在高溫下仍具有良好力學性能和抗氧化性能等突出的物理化學性質，成為最具發展前景的結構陶瓷，可以廣泛應用于石油化工、冶金機械、微電子器件和航空航天等領域。同時，SiC還具有低的中子活性、良好的耐
寧波材料所制備出新型碳化硅陶瓷致密化燒結助劑
碳化硅陶瓷作為現代工程陶瓷之一，其硬度僅次于金剛石，具有熱膨脹系數小、熱導率高、化學穩定性好、耐磨性能高、在高溫下仍具有良好力學性能和抗氧化性能等突出的物理化學性質，成為最具發展前景的結構陶瓷，可以廣泛應用于石油化工、冶金機械、微電子器件和航空航天等領域。同時，SiC還具有低的中子活性、良好的耐
此類新型材料在催化領域中的應用
近日，大連化學物理研究所電鏡技術研究組（DNL2002）劉岳峰副研究員與法國斯特拉斯堡大學Cuong Pham-Huu主任研究員、意大利科學院ICCOM研究所Giuliano Giambastiani主任研究員、常州大學郭向云教授等團隊合作發表綜述文章，系統總結了多孔碳化硅材料在多相催化領域中的
碳化硅外延層厚度及其均勻性的無損檢測——紅外顯微系統
第三代半導體碳化硅材料快速發展近年來，5G通信、新能源汽車、光伏行業推動了第三代半導體材料碳化硅（SiC）技術的快速發展。相較于成熟的硅（Si）材料，SiC具有禁帶寬、擊穿電場高、電子飽和遷移率高、熱導率高等優良的物理化學特性，是制備高溫、高壓、高頻、大功率器件的理想材料，如電力轉換器、光伏逆變器、
我國首個碳化硅新型充電樁示范工程正式啟動
近日，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，北京華商三優新能源科技有限公司承辦的“碳化硅新型充電樁示范工程啟動暨技術與應用研討會”在北京召開。原科技部副部長曹健林，中國工程院院士李仲平，原科技部高新司司長趙玉海，科技部高技術中心相關人員，北京市科委、中國可再生能源學會、第三代半導體產業技術創新
2024－SIC半導體展|上海SIC半導體展|上海國際半導體技術展
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
天科合達成為英飛凌國產碳化硅材料供應商
5月3日，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱天科合達）與英飛凌公司簽訂了一份長期供貨協議，天科合達將為英飛凌供應用于生產碳化硅（SiC）半導體的6英寸碳化硅材料，其供應量占英飛凌未來長期預測需求的兩位數份額。據悉，天科合達孵化于中國科學院物理研究所（以下簡稱物理所），英飛凌公司前身是西門子集團
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（一）
全球有40%的能量作為電能被消耗了, 而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。我國作為世界能源消費大國, 如何在功率電子方面減小能源消耗成了一個關鍵的技術難題。伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。 早在1893年諾貝爾獎獲得者法國化
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（二）
最近接連有消息報道，在美國和歐洲，氮化鎵和碳化硅技術除了在軍用雷達領域和航天工程領域得到了應用，在電力電子器件市場也有越來越廣泛的滲透。氮化鎵/碳化硅技術與傳統的硅技術相比，有哪些獨特優勢？ 大家最近都在談論摩爾定律什么時候終結？硅作為半導體的主要材料在摩爾定律的規律下已經走過了50多
新材料從水中提取可再生能源
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2021/3/454955.shtm ?立方碳化硅在水中 ? 圖片來源：Thor Balkhed/LiU 只借助陽光就從水中“取出”氫氣？瑞典林雪平大學研究人員開發出一種新材料——納米多孔立方碳化硅（3C-
6英寸碳化硅單晶襯底研制成功
近日，中國科學院物理研究所北京凝聚態物理國家實驗室（籌）先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）單晶襯底。 據悉，碳化硅屬于第三代半導體材料，是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。 上圖 科研人員在
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破
6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己
麻省理工學院開發碳化硅核燃料包殼材料
近期，美國麻省理工學院(MIT)的研究人員正在測試碳化硅(SiC)陶瓷基體燃料包殼材料，這種材料能把產生氫氣的風險降低幾千倍，并為核燃料提供與鋯合金類似的保護。 世界上其他研究機構也提出將SiC用于核燃料包殼，而MIT目前正在開展最為詳細的測試和模擬。MIT的Kazimi教授及其團隊不僅在