高質量單層二硫化鉬的熒光性能分析
在二硫化鉬等過渡金屬硫族化合物光電器件的研究中，調控及增強其發光性能尤其重要。為了實現這一目的，必須獲得高質量的單層二硫化鉬并充分發掘其內稟熒光性能。本文采用熱硫化法使預蒸鍍的三氧化鉬薄膜在高溫硫蒸氣中快速地轉化為單層二硫化鉬。這樣獲得的二硫化鉬具有很強的光致發光性能，強度比化學氣相沉積的二硫化鉬高一個數量級。熒光光譜隨溫度和功率的變化表明了硫空位的存在，反映了發光過程的自由-束縛激子復合類型。此外，真空中的熒光強度相比于空氣中大幅降低，這表明空氣條件下的高熒光強度與硫空位處的分子吸附有關。時間分辨熒光光譜也揭示了硫空位存在時的多通道復合特點。本工作合成了高質量單層二硫化鉬，并分析了硫空位對其熒光光譜的影響，對于探究二維納電器件和光電器件具有重要意義。 ......閱讀全文
高質量單層二硫化鉬的熒光性能分析
在二硫化鉬等過渡金屬硫族化合物光電器件的研究中，調控及增強其發光性能尤其重要。為了實現這一目的，必須獲得高質量的單層二硫化鉬并充分發掘其內稟熒光性能。本文采用熱硫化法使預蒸鍍的三氧化鉬薄膜在高溫硫蒸氣中快速地轉化為單層二硫化鉬。這樣獲得的二硫化鉬具有很強的光致發光性能，強度比化學氣相沉積的二硫化鉬高
單層二硫化鉬低功耗柔性集成電路研究
柔性電子是新興技術，在信息、能源、生物醫療等領域具有廣闊的應用前景。其中，柔性集成電路可用于便攜式、可穿戴、可植入式的電子產品中，對器件的低功耗提出了極高的技術需求。相對于傳統半導體材料，單層二硫化鉬二維半導體具有原子級厚度、合適的帶隙且兼具剛性（面內）和柔性（面外），是備受矚目的柔性集成電路溝
研究揭示襯底誘導單層二硫化鉬的電子局域化效應
近期，中國科學院合肥物質科學研究院固體物理研究所研究員徐文課題組與中國工程物理研究院科研人員合作，應用太赫茲時域光譜（0.2-1.2 THz）和傅里葉變換光譜（2.5-6.5 THz）研究了不同襯底上單層MoS2的太赫茲光電特性。相關成果以Substrate-induced electronic
物理所發展新技術誘導單層二硫化鉬相變
單層二硫化鉬是一種典型的二維過渡金屬硫屬化物，由于其特殊的能帶結構、半導體性質等，在納米電子器件和光電子學等諸多領域具有廣闊的應用前景。單層二硫化鉬由三個原子層（硫-鉬-硫）堆疊而成，不同的堆疊次序使其構成兩種不同的相，即2H和1T相。2H相層與層之間按照ABA堆垛，金屬原子為三棱柱配位，具有2
研究發展出單層二硫化鉬低功耗柔性集成電路
柔性電子是新興技術，在信息、能源、生物醫療等領域具有廣闊的應用前景。其中，柔性集成電路可用于便攜式、可穿戴、可植入式的電子產品中，對器件的低功耗提出了極高的技術需求。相對于傳統半導體材料，單層二硫化鉬二維半導體具有原子級厚度、合適的帶隙且兼具剛性（面內）和柔性（面外），是備受矚目的柔性集成電路溝
科學家突破單層二硫化鉬8英寸晶圓外延技術
近日，我國科學家在科技部重點研發計劃、國家自然科學基金委等項目的支持下，突破單層二硫化鉬8英寸晶圓外延技術。相關成果發表于《先進材料》（Advanced Materials）。由松山湖材料實驗室、中國科學院物理研究所、北京大學、華南師范大學組成的聯合研究團隊在松山湖材料實驗室研究員張廣宇的指導下，基
鋰電材料二硫化鉬的機械性能
二硫化鉬由于其層狀結構和低摩擦系數，作為潤滑材料表現優異。當剪切應力施加到材料上時，層間滑動耗散能量。在不同的環境中已經進行了大量的工作來表征二硫化鉬的摩擦系數和剪切強度。二硫化鉬的剪切強度隨著摩擦系數的增加而增加。這種特性被稱為超級潤滑性。在環境條件下，二硫化鉬的摩擦系數確定為0.150，相應
電子級二維半導體與柔性電子器件研究新進展
在半導體器件不斷小型化和柔性化的趨勢下，以二硫化鉬（MoS2）等過渡金屬硫屬化合物（TMDC）為代表的二維半導體材料顯示出獨特優勢，具有超薄厚度（單原子層或少原子層）和優異的電學、光學、機械性能及多自由度可調控性，使其在未來更輕、更薄、更快、更靈敏的電子學器件中具有優勢。然而，現階段以器件應用為
物理所實現多層MoS2外延晶圓推動二維半導體的器件應用
以二硫化鉬為代表的二維半導體材料，因其極限的物理厚度、極佳的柔性/透明性，是解決當前晶體管微縮瓶頸及構筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半導體芯片的一類新材料。近年來，國際上已在單層二硫化鉬的晶圓制備及大面積器件構筑方面不斷突破，在晶圓質量和器件性能方面逐漸逼近極限。例如，中國科學院物理研究所
二硫化鉬2H1T相邊界在催化析氫中的重要作用
氫能作為一種理想的綠色能源，是世界各國發展的戰略和科學研究的熱點。而通過電解水來制氫，有效且可再生循環，其關鍵在于催化劑。近年來，二硫化鉬催化劑由于其催化活性高、穩定性好、資源豐富、成本低等特點在析氫反應中嶄露頭角。單層二硫化鉬是由兩層硫原子將一層鉬原子夾雜在中間形成類似三明治的結構，是一個具有
方便地制備單層二硫化鉬/二硫化鎢量子點作為細胞成...
方便地制備單層二硫化鉬/二硫化鎢量子點作為細胞成像熒光探針和高效的析氫反應催化劑具有片層狀結構的過渡金屬二硫化物近年來被發現許多奇異的性質并引起了人們極大的研究興趣。通常情況下烷基鋰插層剝離的方法是化學法玻璃二硫化鉬/二硫化鎢納米片層中最常見也是剝離效果最好的方法，它是通過烷基鋰的插層進入二硫化鉬/
我國利用壓電材料實現對MoS2場效應晶體管動、靜態調控
自2004年Geim等人第一次在實驗室得到單層石墨烯以來，二維材料的出現為傳感器領域的進一步發展提供了可能，相對于傳統的三維材料，二維材料的層狀結構決定了其器件厚度可以達到單原子層，為實現更輕、更薄、體積更小的電子器件提供了可能。相較于其他二維材料，以單層二硫化鉬 (MoS2) 為代表的二維半導
半導體所等證實單層二硫化鉬谷圓偏振光吸收性質
《自然—通訊》（Nature Communications）最近發表了北京大學國際量子材料科學中心(馮濟研究員和王恩哥教授為通訊作者)與中國科學院物理研究所和半導體研究所合作的文章Valley-selective circular dichroism of monolayer m
物理所研究團隊發展出新的二維材料圖案化的方法
二維材料具有原子級厚度和較高的比表面積，所有原子處于表面，導致其表面對表面吸附和外界環境較為敏感。二維半導體材料在電子學與光電子學器件領域具有廣闊的應用前景，有望成為下一代小型化電子器件的核心材料。為實現此類應用，需要對材料進行剪裁。通過常規的微納加工技術，包括光刻和反應離子干法刻蝕或化學溶液濕
單層生長細胞的免疫熒光標記實驗
免疫熒光標記是微生物學、免疫學、病理學及免疫組織化學中常用的一種免疫學實驗方法，在臨床上得到了廣泛的應用。實驗方法原理免疫熒光標記技術（immunofluorescence technique）是將已知的抗體或抗原分子標記上熒光素，當與其相對應的抗原或抗體起反應時，在形成的復合物上就帶有一定量的熒光
單層生長細胞的免疫熒光標記實驗
實驗材料 單層細胞試劑、試劑盒 PBS多聚甲醛甲醇抗體儀器、耗材 離心機水浴鍋培養箱實驗步驟 1. ?置生長成片的單層細胞于冰上冷卻，吸去培養液并以4℃PBS洗滌。吸去PBS。2. ?如欲研究細胞表面抗原，則以2%PFA于冰上面定30 min。如為細胞質抗原，則可用含0.1% Triton X-10
美國科學家發現光激發下單層二硫化鉬導電能力下降
美國麻省理工學院和哈佛大學的研究人員發現，單層二硫化鉬半導體在光激發下導電能力下降。利用這一新的光電導機制有望研制下一代激子設備。該發現發表在近日的《物理評論快報》上。 眾所周知，電腦芯片及太陽能電池中使用的硅半導體在光的照射下，其導電能力增強。麻省理工學院和哈佛大學的研究人員發現，在強烈的激
X熒光硅鋁分析儀的性能特點
1 、微機化集成為一體，結構緊湊，外形美觀。2、大屏幕液晶顯示，全中文菜單提示操作，使用極為方便。3、分析時間短，1分鐘能測出SiO2%、Al2O3%。4、儀器檢測時不破壞樣品，樣品可重復使用。5、不用任何化學試劑、無三廢排放，不含放射源、低耗電，符合節能要求。 6、數據存儲量大，含量結果、儀器
美研究原子尺度的催化劑－可用以廉價制氫
據物理學家組織網1月23日(北京時間)報道，美國北卡羅萊納州立大學的研究人員發現，一種單原子厚度的二硫化鉬薄膜(MoS2)能作為催化劑生產氫氣，替代昂貴的鉑催化劑。與傳統技術相比，新技術不但成本低廉，使用上也更為簡單靈活。該發現為廉價氫氣的生產打開了一扇新的大門。相關論文發表在最近出版
上海微系統所在鍺襯底上直接制備出高質量單層石墨烯
Nature旗下期刊Scientific Reports(《科學報告》)近日刊發了中科院上海微系統與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室SOI課題組與超導課題組，采用化學氣相淀積法(CVD)，在鍺襯底上直接制備大面積、均勻的、高質量單層石墨烯的研究成果，文章題目為Direct Gro
小分子作為轉移媒介可實現高質量懸空單層石墨烯高效轉移
近日，西北農林科技大學理學院教授劉文林、副教授王曌采用環境友好小分子作為轉移媒介實現了高質量懸空單層石墨烯的高效轉移，相關研究成果發表在《自然-通訊》上。 具有原子厚度的二維材料在電子、光子學和能源等相關領域具有很高的應用前景。然而，轉移至襯底的二維材料受到襯底的散射作用會影響其本征性質的研究
解決二硫化鉬身子骨單薄的問題
二硫化鉬的超薄結構強度高、重量輕、柔韌性好，這些特性使其適用于很多應用領域，如高性能撓性電子。不過此超薄半導體材料與光的相互作用微弱，限制了這一材料在發光和光吸收應用領域的發展。 “問題是這些材料只有單層厚，” Koray Aydin說，他是麥考密克工程學院（McCormick School
科技突破！具有千個晶體管的二維半導體問世
據最新一期《自然-電子學》報道，瑞士洛桑聯邦理工學院研究人員提出了一種基于二硫化鉬的內存處理器，專用于數據處理中的基本運算之一：向量矩陣乘法。這種操作在數字信號處理和人工智能模型的實現中無處不在，其效率的提高可為整個信息通信行業節約大量的能源。 新處理器將1024個元件組合到一個一平方厘米的芯
具有千個晶體管的二維半導體問世！重新定義數據處理的能源效率
據最新一期《自然·電子學》報道，瑞士洛桑聯邦理工學院研究人員提出了一種基于二硫化鉬的內存處理器，專用于數據處理中的基本運算之一：向量矩陣乘法。這種操作在數字信號處理和人工智能模型的實現中無處不在，其效率的提高可為整個信息通信行業節約大量的能源。 新處理器將1024個元件組合到一個一平方厘米的芯
熒光法溶解氧分析儀的性能特點
? 熒光法溶解氧分析儀采用先進的熒光原理和準確的相位檢測技術以及創新的封裝工藝，使產品的可靠性及使用壽命大大競爭對手的同類產品。其獨特的長期低漂移和免維護特性，使該產品可以完全替代傳統的膜式電極。 一、熒光法溶解氧分析儀的性能特點： 1、溶解氧分析儀測量探頭最前端的傳感器罩上覆蓋有一層熒光物質
物理所等轉角二硫化鉬石墨烯異質結的垂直電導研究進展
近年來，二維材料以其優異的電學、光學以及力學性質被廣泛關注和研究。得益于二維材料層狀結構及弱層間范德華相互作用，不同的二維材料可以像樂高積木一樣相互組合形成各種二維材料異質結。正如樂高積木有無窮種搭建方式，二維材料也可以組合出具有不同性能的二維材料異質結，這為器件應用和諸多基礎物理現象研究提供了一個
二硫化鉬薄膜可大幅提高海水淡化效率
美國伊利諾伊州立大學研究人員在《自然·通訊》雜志上發表論文稱，他們發現二硫化鉬高能材料可更高效地去除海水中的鹽分，通過計算機模擬各種薄膜的海水淡化效率并進行對比后發現，二硫化鉬薄膜的效率最高，比石墨烯膜還要高出70%。 據物理學家組織網報道，這種材料只有一個納米厚，布滿了納米孔，能夠滲漏大量
二硫化鉬薄膜可大幅提高海水淡化效率－比石墨烯膜高出70％
美國伊利諾伊州立大學研究人員在《自然·通訊》雜志上發表論文稱，他們發現二硫化鉬高能材料可更高效地去除海水中的鹽分，通過計算機模擬各種薄膜的海水淡化效率并進行對比后發現，二硫化鉬薄膜的效率最高，比石墨烯膜還要高出70%。 據物理學家組織網報道，這種材料只有一個納米厚，布滿了納米孔，能夠滲漏大量的
二硫化鉬薄膜可大幅提高海水淡化效率
美國伊利諾伊州立大學研究人員在《自然·通訊》雜志上發表論文稱，他們發現二硫化鉬高能材料可更高效地去除海水中的鹽分，通過計算機模擬各種薄膜的海水淡化效率并進行對比后發現，二硫化鉬薄膜的效率最高，比石墨烯膜還要高出70%。 據物理學家組織網報道，這種材料只有一個納米厚，布滿了納米孔，能夠滲漏大
拉伸二硫化鉬晶體造出能隙可變半導體
這張放大1萬倍的圖片顯示，一個電子器件上雕刻出了高低不平的“山峰”和“山谷”，鋪在上面的二硫化鉬經過拉伸后，形成了一種擁有可變能隙的人工晶體。 近日，美國斯坦福大學一科研團隊首次通過拉伸二硫化鉬的晶體點陣，“扯”出能隙可以變化的半導體。利用這種半導體，科學家有望制造出能夠吸收更多光能的太陽能